Способ управления матричной сегнетоэлектрической жидкокристаллической панелью

(5 ЗОБРЕТЕТЕЛЬСТВУ ИСА К АВТОРСКОМУ е относится й технике и управлении ствами. Суотличается ьс, который атрицы как стробируюех фрагменых имеет двух других енсации понститут 3/36,1987, р. НОИ КРИчной идко ии сегнетоэического усттГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОВЕДОМСТВО СССР(54) СПОСОБ УПРАВЛЕНИЯ МАТРСЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ЖИДСТАЛЛИЧЕСКОЙ ПАНЕЛЬЮ Изобретение относится к электронной технике, более конкретно - к управлению жидкокристаллическими устройствами, в частности - к управлению матричными сегнетоэлектрическими жидкокристаллическими устройствами, .обладающими бистабильностью.Целью настоящего изобретения является увеличение скорости смены информации сегнетоэлектрического жидкокристаллического устройства с одновременным снижением энергопотребления эа счет уменьшения циклов переполяризации и устранением мерцаний,На фиг. 1 - зависимость времени переключения от амплитуды переключающего импульса для переключающих импульсов различной формы; на фиг. 2 - временные диаграммы управляющих импульсов в соответствии с предлагаемым изобретением, пример 1; на фиг. 3 - временные диаграммы управляющих импульсов в соответствии с предлагаемым изобретением, пример 2; на фиг. 4 - временные диаграммы управляющих импульсов в соответствии с предлагае,Ж, 1830545 А 1(57) Использование: изобретен к автоматике и вычислительно может быть использовано в жидкокристаллическими устро щность изобретения: способ тем, что переключающий импу формируют на элементе ЖК-м разность информационного и щего импульсов, состоит из тр тов, средний иэ котор длительность, равную сумме фрагментов, служащих для комп стоянной составляющей. 5 ил. мцм изобретением, пример 3; на фиг, 5 - временные диаграммы управляющих импульсов в соответствии с предлагаемым изобретением, пример 4, управление импульсами одной полярности.На фиг. 1: 1 - время переключения при управлении одиночными импульсами; 2 - время переключения при управлении напряжением в форме "меандра"; Т - время переключения; 0 - амплитуда переключающего импульса,На фиг, 2-5; (по оси абсцисс - время, по оси ординат - напряжение), 3 - стробирующие импульсы в первом и втором полукадрах; 4 - информационные импульсы при записи 1; 5 - информационные импульсы при записи 0; 6 - временная диаграмма напряжения на элементе стробируемой строки при записи 1; 7 - временная диаграмма напряжения на элементе стробируемой строки при записи 0; 8 - длительность (время записи) строки; 9-длительность первого полукадра.Схема матри адресацлектрического ж кристаллройства должна удовлетворять следующим требованиям: импульс напряжения, приложенный к элементу стробируемой строки, должен содержать фрагмент, произведение амплитуды на длительность которого равно или выше порога переключения в требуемом направлении, и возможно меньшую длительность остальных фрагментов, чтобы сократить время записи строки и тем самым повысить быстродействие устройства. Элементы остальных строк при этом не должны изменять своего состояния, т.е, к ним в любой момент времени должен быть приложен импульс напряжения, произведение амплитуды на длительность которого существенно ниже пэрога переключения. При этом, на любом элементе за некоторый промежуток времени должна быть скомпенсирована постоянная составляющая приложенного напряжения, независимо от содержания входной информации.В прототипе для компенсации постоянной составляющей используется предварительный импульс противоположной полярности в стробируемом сигнале, что приводит к недостаткам схемы адресации, описанным выше. В предлагаемом изобретении компенсирующая часть импульса, приложенного к элементу стробируемой строки, разделена на два фрагмента, причем один компенсирующий фрагмент противоположной полярности предшествует переключающему фрагменту, второй фрагмент противоположной полярности следует за переключающим. При этом, суммарная длительность фрагментов противоположной полярности не превышает длительности переключающего фрагмента, а их амплитуда в полтора раза меньше, показатель качества равен трем, Как видно из рисунков 2-5, полная компенсация постоянной составляющей происходит при этом за два полукадра, Снижение амплитуды компенсирующих частей более, чем в полтора раза по отношению к амплитуде переключающей части, приведет к увеличению амплитуды напряжения на элементах стробируемой строки, состояние которых изменять не нужно, и снизит показатель качества схемы адресации.Наличие в переключающем импульсе, приложенном к элементу устройства, только одного фрагмента, имеющего произведение амплитуды на длительность равную или выше порога переключения, приводит к снижению энергопотребления и увеличению скорости адресации по сравнению с прототипом эа счет снижения длительности импульса, требуемой для переключения при . той же амплитуде электрического поля. На50 55 Формула изобретения Способ управления матричной сегнетоэлектрической жидкокристаллической панелью, заключающийся в одновременной подаче на горизонтальные и вертикальные шины панели последовательностей стробирующих и информационных сигналов в виде совокупности разнополярных импульсов, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения быстродействия и качества отображения за счет устранения мерцания и снижения энергопотребления, совокупфиг. 1 показана зависимость времени переключения. от амплитуды импульса для импульсов различной формы, Режим адресации, предложенный в прототипе, со ответствует переключающим импульсам вформе "меандра", т.е, сначала переключение в обратном направлении, а затем в требуемом. Способ адресации в соответствии с предлагаемым изобретением соответствует 10 переключению одиночными импульсами,что позволяет снизить длительность импульса и, следовательно, увеличить скорость адресации не менее, чем в полтора раза.Примеры конкретной формы управляю щих строчных и столбцовых импульсов, показанные на рисунках 2 и З,не нуждаются в пояснениях. На рисунке 4 показана форма управляющих импульсов, при которой в первом полукадре запись 1 производят на не четных строках, 0 - на четных, во втором -наоборот. Преимущество такой схемы в устранении сложения импульсов одной полярности в конце длительности предыдущей строки и начале следующейи, как следствие, повышение показателя качества в некоторых случаях.Для получения скорости записи информации близкой к телевизионной, т.е. времени записи строки порядка 60 мкс 30 переключающий импульс должен иметь амплитуду около 20 В. При этом управляющие микросхемы должны обеспечивать формирование импульсов с амплитудой +20 В и - 20 В. Модификация матричной схемы уп равления, показанная на рис.5, обеспечивает формирование на элементах устройства импульсов требуемой конфигурации при подаче на строки и столбцы импульсов только одной полярности, т,е. вдвое снижает тре бования к управляющим микросхемам.Использование предлагаемой схемыматричного управления мегнетоэлектрическим жидкокристаллическим устройством позволит повысить быстродействие устрой ства ( снизить время записи строки на 2530) более, чем в два раза уменьшить энергопотребление и устранить мерцание,1830545 7;мс цф И 5 ность разнополярных импульсов формируют из трех разнополярных относительно друг друга импульсов, длительность среднего из которых равна сумме длительностей крайних, амплитуды импульсов информационного сигнала равны, а амплитуда среднего импульса стробирующего сигнала превышает амплитуды крайних таким образом, чтобы сумма амплитуд средних импульсов стробирующего и информационного сигна- Б лов была больше или равна пороговому напряжению переключения.Тираж Подписноеарственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ ССС 113035; Москва, Ж, Раущская наб 4/5 Производственно-издательский комбинат Патент", г. Ужгород, ул,Гагарина, 101 з 2523 ВНИИП1