Многофазный мультивибратор климова

(19) . . (1 1) 3 КЗ 151)5 ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИ ДЕТЕЛЬС К АВТ РСКОМУ(57) Изобретениегехнике. Целью и МУЛЬТИ ВИ БРАТ относится к импульснойэобретения является рас(61) 1598124(56) Авторское свидетельство СССРМ 1598124, кл. Н 03 Е 3/281, 21.11.8 Мультивибратор относится к импульс 1 ой технике и может быть использован в качестве распределителя и генератора импульсов. Цель изобретения - расширение диапазона длительностей формируемых многофазным мультивибратором импульсов в сторону увеличения длительностей этих импульсов при сохранении их амплитуды и формы их фронтов и срезов путем автоматического управления сопротивлением цепей, соединяющих базы транзисторов основных звеньев с шиной источника питания, обеспечивающего насыщение открытого транзистора соответствующего основного звена независимо от значения сопротивления базового резистора данного транзистора.На чертеже приведена принципиальная схема предлагаемого многофазного мультивибратора. ширение диапазона длительностей формируемых многофазным мультивибратором импульсов в сторону увеличения длительностей этих импульсов при сохранении их амплитуды и формы их фронтов и среэов 11 утем автоматического управления сопротизле ния цепей, соединяющих базы транзисторов основных звеньев с шиной источника питания, обеспечивающего насыщение открытого транзистора соответствующего основного звена независимо от начения сопротивления базового резистора данного транзистора, 1 ил,ногофаэный мультивибратор содержит М соединенных в кольцо основных звеньев 1-1,1-й, выполненных на биполярных транзисторах одинаковой проводимости, одновибратор 2 и вспомогательные звенья 3-13-М, общую шину 4 и шину 5 источника питания, причем каждое (1-и)-е основное звено включает биполярный гранзистора 1-п, соединенный змиттером с шиной 4, базюй через конденсатор 1-ис входом (1-п)-го звена и через резистор 1-ис шиной 5, коллектором - через резистор 1-ис шиной 5 и через резистор 1-ис входом одновибратора 2. содержащего два биполярных транзистора 2-1, 2-2, проводимость которых соответствует проводимости транзисторов 1-1-1.1-И, пять резисторов 2-32-7, конденсатор 2-8 и туннельный диод 2-9, причем вход одновибратора 2 соединен через туннельный диод 2-9 с шиной 4 и через резистор 2-3 с базой транзистора 2-1, кол 1706016лектор которого, являющийся выходом одновибра; ара 2, соединен через резистор 2-4 с шиной 5, а также через резистор 2-5 с базой транзистора 2-2, коллектор которого саединв с первой обкладкой конденсатора 2-8 и через резнеар 2-6 с шиной 5, при этом вторая обкладка конденсатора 2-8 соединена через резистор 2-7 с входом одновибратора 2, а змиттеры транзисторов 2-1 и 2-2 обьединены и соединены с общей шиной, причем выход каждого (3-и)-го из М вспомога 1 ельных звеньев соединен с базой транзистора соответствующего (1-и)-го основного звена, а вход каждого (3-и)-го из М вспомогательных звеньев - с выходом соатветствуацего (1-и)-го основного звена, при зтам каждое (3-и)-е вспомогательное звена включает два биполярных транзистора 3-ии З-п, проводимость которых обратна проводимости транзистора 1-п, полевой транзистор 3-ас индуцированным каналом, пять резисторов З-п-пи конденсатор З-п, первая обкладка которого соединена с эмиттером транзистора 3-ии шиной 5, а вторая обкладка - через резистор 3-исо стоком транзистора 3-пи через пезистор 3-ис базой транзистора З-п, каллектаа которого соединен с змиттером трлнзис гара З-п, соединенного коллекторам .ерпзезистор 3-ис входом испамаг;.тельнага звена З-п, а базой через резистор 3-и- с затвором транзистора 3-и, являющимся входом вспомогательного звена З-п, причем эмитгер транзистора 3-и соединен также через резистор 3-ис шиной 5, а исток и подложка транзистора 3-псоединены с шиной 4,Многофазный мультивибратар работает следующим бразам.В исходном состоянии при отсутствии запускающего импульса транзисторы 1-1- 1.1-Моткрыты и насыщены, конденсаторы 1-1-21-К, 2-8 и 3-1-9.3-Мразряжены, напряжение на туннельном диоде 2-9 отсутствует, транзисторы 2-1, 3-1- 1 З-М, 3-1-33-И-З и диоды 1-1-62-Изакрыты, транзисторы 2-2, 3-1-23-Моткрыты. С приходом отрицательного запускающего импульса на базу транзистора 1-1-1 основного звена 1-1 транзистор 1-1-1 закрывается, конденсатор 1-2-2 следующего основного звена 1-2 заряжается. При закрытом ранзистаре 1-1-1 и полностью заряженном конденсаторе 1-2-2 напряжение на выходе звена 1-1 равно напряжению шины 5 и ток д через туннельный диод 2-9, выбираемый иэ условия л0,6-0,7 и, где и - ток переключения 1 уч н.льнага диода, недоста 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 точен для его переключения, поэтому транзистор 1-2 закрыт.По окончании запускающего импульса транзистор 1-1-1 открывается, конденсатор 1-2-2 разряжается, закрывая при этом транзистор 1-2-1 основного звена 1-2 на время. определяемое параметрами времязадающей цепи в составе конденсатора 1-2-2 и резистора 1-2-3. Процесс происходит аналогично описанному, вдоль многофазного мультивибратора проходит волна возбуждения, когда в любой промежуток времени закрыт только один из М транзисторов 1-1-11-ч, Ток, протекающий через туннельный диод 2-9, при этом всегда недостаточен для его переключения, и транзистор 2-1 и диоды 1-1-61-8-6 постоянно закрыты, не оказывая влияния на работумногофазного мультивибратора.При запирании под действием помехи одновременно двух и более из М транзисторов 1-1-11-Мчерез туннельный диод протекает ток д1.2 - 1,4 и, что приводит к переключению туннельного диода. После переключения туннельного диода транзистор 2-1 открывается, соединяя через разделительные диоды 1-1-61-Мс общей шиной 4 коллекторы всех М транзисторов 1-1-11-М, а транзистор 2-2 закрывается, При этом прекращается следование волны возбуждения вдоль многофазного мультивибратора, начинается разряд конденсаторов 1-1-21-Ии заряд конденсатора 2-8 времязадающей цепи одновибратора, Ток заряда конденсатора 2-8 удерживает транзистора 2-1 в открытом состоя ни и и туннельный диод 2-9 в переключенном состоянии на время, определяемое параметрами цепи конденсатор 2-8, резисторы 2-6 и 2-7, необходимое для полного разряда конденсаторов 1-1-21-М. После заряда конденсатора 2-8 ток через туннельный диод 2-9 прекращается и ан возвращается в исходное состояние, При этом транзистор 2-1, диоды 1-1-61-Мза к ры ва ются, а тра нзисторы 1-1-11-Ми 2-2 открываются, то есть схема приводится в исходное состояние.Рассмотрим работу каждого (3-и)-го из Г 4 вспомогательных звеньев 3-1 З-М. В исходном состоянии многофазного мультивибратора при отсутствии волны возбуждения напряжение на входе (3-и)-го дополнительного звена соответствует низкому потенциалу "0" и равно по значению коллекторному напряжению открытого и насыщенного транзистора 1-иосновного звена 1-и. При этом транзистор 3-изакрыт, конденсатор 3-иразряжен, в результате чего ток в базовой цепи транзистора3-иотсутствует и этот транзистор закрыт. Отсутствие коллекторного тока закрытого транзистора 3-иприводит к тому, что эмиттерный ток транзистора 3-ибудет протекать через резистор З-п, значение сопротивления которого выбирается таким образом, чтобы базовый ток открытого транзистора 1-п, равный сумме токов, протекающих через резисторы 1-ии З-п, обеспечивал насыщение транзистора 1-п. Следовательно, в исходном состоянии все транзисторы 1-1-11-8-1 будут открыты и насыщены независимо от значений активных сопротивлений резисторов 1-1-31-й.При прохождении по многофазному мультивибратору волны возбуждения в момент запирания транзистора 1-ина входс вспомогательного звена 3-и появляется высокий потенциал "1", равный по значению напряжению на шине 5, Это приводит к открыванию транзистора З-п-З, заряду конденсатора 3-ии появлению базового тока транзистора 3-и. В результате этого транзистор 3-иоткрывается и насыщается и на эмиттер транзистора 3-иподается напряжение, равное разности напряжения "1" и напряжения между коллектором и эмиттером насыщенного транзистора З-п, в то время как на базу транзистора 3-иподается напряжение "1". Это приводит к запиранию транзистора 3-ии отсутствию тока в коллекторной цепи этого транзи"тора. В момент начала открывания транзистора 1-инапряжение на входе вспомогательного звена 3-и уменьшается, в результате чего транзистор 3-иоткрывается и в его коллекторной цепи начинает течь ток, увеличивающий базовый ток транзистора 1-ии падение напряжения на резисторе 1-п, что приводит к соответствующему увеличению тока через резистор 3-ии к возникновению лавинообразного процесса, открыванию и насыщению транзистора 1-и. При этом эмиттерный ток транзистора 3-ипротекает через коллекторный переход открытого и насыщенного транзистора 3-ии резистор З-п. 5 10 15 20 25 30 35 40 45 После окончания формирования среза импульса основным звеном 1-и транзистор 3-изакрывается и по мере разряда конденсатора 3-ибазовый ток транзистора 3-ипостепенно уменьшается до нулевого значения. В соответствии с этим увеличивается сопротивление между эмиттером и коллектором транзистора 3-и. В момент закрывания транзистора 3-иэмиттерный ток транзистора 3-ине прекращается, как в прототипе, а протекает через резистор З-п, что обеспечивает, в отличие от прототипа, протекание коллекторного тока транзистора 3-ии после разряда конденсатора З-п, Величины этих токов подбираются значением активного сопротивления резистора 3-итаким образом, чтобы обеспечить насыщение транзистора 1-инезависимо от сопротивления резистора 1- ии после разряда конденсатора 3-ии закрывания транзистора 1-п,Таким образом, предлагаемое техническое решение расширяет диапазон длительностей формируемых многофазным мультивибратором импульсов в сторону увеличения длительностей этих импульсов при сохранении их амплитуды и формы их фронтов и срезов путем автома; 1 аскоо управления сопротивлением цепей, соединяющих базы транзисторов основных звеньев с шиной источника питания, обеспечивающего насыщение открытого транзистора соответствующего основного звена независимо от значения сопротивления базового резистора данного транзистора,Формула изобретения Многофазный мультивибратор по авт,св. М 1598124, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью расширения диапазона длительностей формируемых многофазным мульти вибратором импульсов в сторону уве - личения длительностей этих импульсов при сохранении неизменными их амплитуды и формы их фронтов и срезов, в него введены Й дополнительных резисторов, каждый из которых подключен между эмиттером второго биполярного транзистора соответствующего вспомогательного звена и шиной источника питания.1706016 Техред М.Мо орректор А,Осауленко едактор М,Циткин Зэка Производственно издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101 03 ИИ Тираж Подписноеосударственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР113035, Москва, Ж, Раушская наб 4/5