Оперативное запоминающее устройство

.П,Саха 8)видетельство СССР11 С 11/40, 1987.А.Г, Микросхемоть, 1982, с. 247,ника. Е УСОЕ ЗАПОМИН е относится к вычислительапоминающим устройствам пользовано при разработке фиг. 1 ОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМРИ ГКНТ СССР ВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТ(57) Изобретениной технике - зи может быть ис вных ЗУ (ОЗЦ) с повышенной устойк воздействию дестабилизируюторов (ДФ). Цель изобретения - ие устойчивости устройства к возю дестабилизирующих факторов. енная цель достигается тем, что уссодержит блок 5 формирования абилизирующих сигналов; блок 6 ния выборки накопителя 1. При вии ДФ блок 6 устанавливает деры 2, 4 в такое состояние, при котое их выходы невыбраны, что ращает запись ложной информации тель. Блок 5 при этом задает в шиния накопителя 1 повышенный ток, ющий переброс элементов памяти й ля 1 в противоположное состояп, ф-лы, 3 ил. операти чивостью щих фак повышен действи Поставл тройство антидест . запреще воздейст шифрато ром вс предотв в накопи ны хране затрудня накопите ние,2 3, 1575234Изобретение относится к вычислительной технике, а именно к запоминающим устройствам (ЗУ), и может быть использованопри разработке оперативных ЗУ (ОЗУ) с повышенной устойчивостью к воздействиюкратковременных дестабилизирующих факторов (ДФ).Цель изобретения - повышение устойчивости устройства к воздействию дестабилизирующих факторов,На фиг,1 изображена блок-схема предлагаемого устройства; на фиг,2 - электрические схемы накопителя и блокаформирования антидестабилизирующихсигналов соответственно; на фиг,З - электрическая схема блока запрещения выборкинакопителя.Устройство содержит накопитель 1, дешифратор 2 слов, блок 3 усилителей записисчитывания, дешифратор 4 разрядов, блок 5формирования антидестабилизирующихсигналов и блок 6 запрещения выборки накопителя 1.Накопитель 1 состоит из элементов 7памяти, источников 8 тока хранения, адресных шин 9, шин 10 хранения и разрядныхшин 11, Элементы 7 памяти выполнены натранзисторах 12 с перекрестными связямии нагрузочных элементах 13.Блок 5 состоит из фототранзисторов 14и ограничительных элементов 15 на резисторах.Блок 6 состоит из фототранзистора 16,ограничительного 17 и нагруэочного 18 элементов на резисторах и формирователя логических уровней на переключателе 19 тока.Генераторы 20 тока отражают собойсумму фототоков, возникающих в р-и-переходах всех конструктивных компонентовэлемента 7 памяти при воздействии дестабилизирующих факторов (ДФ). Генераторы21 и 22 отражают собой фототоки, возникающие в коллекторных переходах соответствующих фототранзисторов 14 и 16 привоздействии ДФ.Устройство работает следующим образом,При отсутствии воздействия ДФ ток генераторов 20 - 22 равен нулю, поэтому фототранзисторы 14 и 16 закрыты, Врезультате в шины 10 хранения поступаеттолько ток источников 8, а на вход переключателя 19 тока нагрузочным элементом 18задаетсявысокий потенциал. Сигналы с выходов блока 6 поступают на первые входыдешифратора 2 и 4. На остальные входыдешифраторов 2 и 4 подается адрес, в соответствии с которыми производится выборкаинформации из накопителя 1, Дешифратор2 слов повышает потенциал выбранной ши 30 35 40 45 50 55 5 101520 25 ны 9. Вместе с ним повышается и потенциал баз транзисторов 12 элементов 7 памяти выбранной строки. В результате ток записи- считывания, задаваемый источниками блока 3, выбранных столбцов накопителя с помощью дешифратора 4 разрядов будет протекать через первые эмиттеры транзисторов 12 выбранной строки и выбранных столбцов, Первые эмиттеры транзисторов 12 невыбранных элементов 7 памяти останутся закрытыми, а их состояние будет поддерживаться за счет протекания черезвторые эмиттеры транзисторов 12 тока хранения источника 8.В режиме считывания ток считывания пропускается в обе разрядные шины 11 (фиг.2) каждого выбранного столбца накопителя 1. В блоке 3 производится усилениеразности потенциалов шин 11 каждого столбца и выдача информации на выход.В режиме записи на входы блока 3 подается записываемая информация, В соответствии с ней в одну из разрядных шин 11 каждого выбранного столбца накопителя 1 задается ток. В результате элемент 7 памяти, находящийся на пересечении выбранной строки и столбца, переключается в соответствующее состояние.Кратковременное воздействие ДФ вызывает генерацию фототоков в о-и-переходах конструктивных элементов устройства (кратковременными является такое воздействие ДФ, которое не приводит к необратимым изменениям характеристик элементов устройства). Фототоки генераторов 20, возникающие в элементах 7 памяти, стремятся выравнять потенциалы коллекторов и баз транзисторов 12, т,е. перевести элементы 7 памяти в неопределенное состояние. При достижении фототоками генераторов 20 значения, превышающих ток хранения элементов 7 памяти, может произойти потеря хранящейся информации, Для того, чтобы избежать этого устройство содержит блок 5, увеличивающий ток хранения элементов 7 памяти накопителя 1.Ограничительный элемент 15 выбирают таким, чтобы при величине фототока генераторов 20, недостаточной для изменения информации в элементе 7 памяти, падение напряжения на нем, создаваемое фототоком генератора 21, было меньше О (3 - падение напряжения на эмиттерном р-и-переходе открытого транзистора), т.е, фото- транзистор 14 закрыт, и ток хранения элементов 7 памяти увеличивается незначительно. При превышении фототоками генераторов 20 порога, при котором происходят сбои в элементах 7 памяти, токи генераторов 21 достигают величин, открывающихфототранзисторы 14, Последние начинают усиливать фототоки соответствующих генераторов 21. В результате токи хранения в шинах 10 хранения накопителя 1 резко возрастут, что обеспечит сохранение информации во время кратковременного воздействия Дф.Однако при этом невозможно производить выборку информации из накопителя 1, так как токи хранения элементов 7 памяти становятся сравнимыми с токами записи или считывания информации, задаваемыми блоком 3. Когда ток генератора 22, возникающий из-за воздействия ДФ, достигнет такой величины, что откроется фототранзистор 16, то последний установит на входе переключателя 19 тока низкий уровень (нике опорного напряжения, подаваемого на опорный вход переключателя 19 тока). В результате переключатель 19 переключится и на выходах блока б информация изменится на противоположную, Изменятся также сигналы и на первых входах дешифраторов 2 и 4, что эквивалентно изменению адреса на адресных входах устройства, На входах дешифраторов 2 и 4 установится такой адрес, который не соответствует ни одному из выходов, поэтому все адресные шины 9 накопителя 1 будут иметь одинаковый потенциал, а все разрядные шины 11 будут обесточены. Через элементы 7 памяти будет протекать ток из адресных шин 9 только в шины 10 хранения.Воздействие ДФ вызывает возникновение фототоков не только в элементах 7 памяти и коллекторных переходах фото- транзисторов 14 и 1 б, но и во всех р-и-переходах элементов конструкции устройства, Однако режимные токи периферийных элементов устройства (логических элементов дешифраторов 2 и 4 блока 3 усилителей записи-считывания) значительно больше токов хранения элементов 7 памяти накопителя 1. Поэтому фототоки, вызывающие потери информации из накопителя 1, сравнимые с токами хранения, нд оказывают существенного влияния на работу периферийных узлов устройства,Формула изобретения 1. Оперативное запоминающее устройство., содержащее накопитель, дешифратор слов, блок усилителей записи-считывания, дешифратор разрядов, входы которого, кро лителей записи-считывания являются информационными выходами устройства, о тл и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью повышения устойчивости устройства к Воздействиюдестабилизирующих факторов, в него введень 1 блок фоомирования энтпдестабилизирующих сиГнэлОВ, ВыхОды которОГОподключены к соответствующим шинам хранения накопителя, блок запрещения выборки накопителя, выходы которогоподключены к первым входам дешифрэторов слов и разрядов соответственно.2, Устройство по и,":, О ", ла О 1 ц е ес я тем что блОк фоог 1 повэния 1 ниГ,есэбилизиоующих сигналов состоит из . гоэ;1 и.ЧИТ ",ЬНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ НЭ ОЕЗКГ;ПВХ Ифотатоанзисторэх, коллекторы ко,ор:.;подключены соответственно к глина:1 хгэНЕНИЯ НаКОПИтЕЛЯ, ЭМИГТЕОЫ ПОД;, О.,:н 1. Кшине нулевого потенциала усто-та иПодКГ:ОЧдНЫ К ПЕРВЬ;1 Выс 1.1;1 Р д д,лОГОЭцИЧИТЕЛЬНЫХ ЭЛЕ,.1 гНТОВ ч, О- дд ддь, которых подключены к б,.,. -. О -стВующих фототрэнзистсров,5. ) СТрОИСТВО ПО 01 1" г ф. .4Ще с с я тем, что блск зэпоещ;. .ч.;Ог,кь;накопителясостоитизфогот 1-у Оп-, эгрузочного и Огрэничительнг,- элем.,:товна резисторах и формирователя ло;ичсскихуровней на переключателе, выходы котороГО являются выходам,локэ з,1 Г 1;.,:выборки накопителя, э:.:Ход под 1.коллектору фототрэнз, сторэ и пер-п.";,Воду резистора нэгрузсч ного эл;, .РОЙ выВОД котОРОГО пс:;,1 . ,питания устройства, зь 1 игт: ф;"сторэ и парвыи вывод разпсгорэ О,тельного элемента подключены к ш;,.;: - .нулевого потенциала ус 1 рсйст=э.т, .Е;ВОД РЕЗИСТОРВ ОГРЭНИЧИ ГОЛ" БОГС ЗЛподключен к саве фотсгрэнз 1.стерв,15 20 25 30 35 40 45 50 ме первого, являются адресными входами первой группы устройства, адресными входами второй группы которого являются входы, кроме первого, дешифратора слов,выходы которого подключены к соответствующим адресным шинам накопителя, разрядные шины которого подключены к соответствующим информационным входам блока усилителей записи-считывания,Входы управления коммутацией которого подключены к соответствующим выходам дешифратора разрядов, выходы блока уси.2 Фиг. Лоставитель А.Ершоваехред М,Моргентал рректор Н.Ревска А,Реви едак одственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул;Гагарина, 101 каз 1788 Тираж 489 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5