Способ плакирования металлических изделий

СО)ОЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИХРЕСПУБЛИК 5 В 23 К 20/08 САНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ 088.8)Сварка взрывом, М,:1987, с,53, рис,2.3,П:)СУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР МУ СВИДЕТЕЛЬСТВ,56) Конон Ю,А,Машиностроение,(54) СПОСОБ ПЛАКИРОВАИИЯ МЕТАЛЛИЧЕССКИХ ИЗДЕЛИЙ(57) Изобретение относится к технологии плакирования металлических изделий путем приварки взрывом пластиныи может быть использовано в химической, авиационной пром-сти, в другихобластях техники, Цель изобретениярасширение технологических возможностей за счет обеспечения плакированияучастков криволинейных в плане поИзобретение относится к технологи плакирования металлических изделий путем приварки взрывом металлической пластины и может быть использовано в химической и авиационной промышленности, машиностроении, судострое нии и других областях техники.Цель изобретения - расширение тех нологических возможностей за счет обеспецения плакирования участков криволинейных в плане поверхностей, расположенных в замкнутых и незамкнутых полостях, и повышение безопасности взрывного плакирования. 2верхностей, расположенных в замкнутых и незамкнутых полостях. Над плакируемой поверхностью устанавливают плакирующий элемент, в котором расположены основной и дополнительный заряды взрывчатого вещества (ВВ). При этом дополнительный заряд размещен в центральной части основного заряда по Форме трапеции, боковые стороны которой размещают под прямым углом к касательным к криволинейным поверхностям.основного заряда, Над основным и дополнительным зарядами ВВ устанавливают двухслойную полуэллиптическую оболочку, заполненную ВВ. Толщину оболоцки выбирают меньше критического диаметра ВВ. Торцы основного заряда ВВ располагают в Фокусах полу- эллиптической оболочки. Заряды ВВ инициируют. В результате происходит соударение плакирующего элемента с плакируемой поверхностью и их прочное соединение. 3 ил Способ плакирования металлических изделий включает установку плакирующего элемента над плакируемой поверхностью и инициирование расположенного на ней основного и в центральнои части основного дополнительного зарядов взрывчатого вещества, Боковые стороны дополнительного заряда взрыв чатого вещества размещают под прямым углом к касательным к криволинейным поверхностям основного заряда взрывчатого вещества. Над основным и дополнительным зарядами взрывчатого вещества устанавливают двухслойнуюполуэллиптицескую оболочку, которую заполняют взрывчатым веществом. Торцы основного заряда взрывчатого вещества располагают в фокусах полуэллиптицеской оболочки. Толщину последней выбирают меньше критицеского диаметра взрывчатого вещества.На фиг, 1 изображена деталь с выступом, имеющим криволинейную в пла 1 не поверхность, разрез; на фиг, 2 фзрма основного и дополнительного зарядов; на фиг, 3 - двухслойная полуэллиптицеская оболочка.П р и м е р. Деталь с элементом 15 типа "хомутн 1, изготовленную из серого чугуна марки СЧ 35, устана вливают на основание из сыпучего материала (песок, стальная дробь и т,п.). Нд плакируемую поверхность, выступ 2 20 криволинейной в плане поверхности, расположенный в незамкнутой полости 3 хомута 1, располагают с зазором Я0,5 мм криволинейный плоский плакирующий элемент 4 (дуга кольца), изго товленный из материала Л 62 толщиной 0,8 мм.На плакирующем элементе 4 размещают основной заряд 5 взрывчатого вещества аммонит 6 ЖВ толщиной 4 мм, мЕньшей критического диаметра аммонита 6 ЖВ, равного 10 мм, Форма в плане основного заряда соответствует ФОрме в плане плакируемой криволинейной поверхности, В центральной части35 основного заряда 5 располагают электродетонатор 6 ЭД 8 и дополнительный заряд 7 со скоростью детонации, большей скорости детонации основного заряда, например Гексоген, ДОПОлнитель ный заряд 7 взрывчатого вещества размещают по форме трапеции, боковые стороны которой располагают под прямым углом к касательным к криволинейным поверхностям основного заряда 545(Фиг.2). Над основным зарядом 5 взрывчатого вещества устанавливают двухслойную полуэллиптическую оболочку 8,которую заполняют взрывчатым веществом 9 - аммонитом 6 ЖВ Толщина сРполуэллиптической оболочки меньшекритического диаметра используемоговзрывчатого вещества и равна 3 мм.Торцы основного заряда 5 взрывчатоговещества располагают ы фокусах полуэллиптической оболочки 8 (фиг.3).При инициировании дополнительногозаряда 7 электродетонатором 6 происходит распространение детонации по основному заряду 5, В результате воздействия давления, возникающего придетонации взрывчатого вещества, происходит соударение пла кирующей пластины 4 с поверхностью выступа 2 и ихпрочное соединение,При подрыве электродетонатора 6дополнительный заряд 7 взрывчатоговещества позволяет выровнять фронтдетонации по криволинейной поверхности основного заряда 5, что обеспечивает устойчивую детонацию по всейего поверхности. Полуэллиптическаяоболочка 8 с зарядом взрывчатоговещества при инициировании обеспечивает образование кумулятивной струимежду основным зарядом 5 и зарядом,расположенным в полуэллиптическойоболочке, которая, в свою очередь,обеспечивает детонацию зарядов повсей плакируемой поверхности, Крометого, полуэллиптицеская оболочка препятствует воздействию ударных и детонационных волн на внутреннюю полостьдетали. Расположение торцов основного заряда взрывчатого вещества в фокусах полуэллиптицеской оболоцки способствует стабильности детонации повсему объему основного заряда взрывчатого вещества и препятствует вылету и воздействию продуктов детонациина поверхности детали,Расширение технологических возможностей связано с тем, цто для сваркивзрывом необходимо, чтобы вес зарядабыл примерно равен весу привариваемойпластины 4 (параметр сварки г-отношение веса взрывцатого вещества к весупривариваемой пластины лежит в пределах 0,5 ( г ( 3). 1 сли пластина тонкая, то заряд для осуществления сварки взрывом должен быть толщиной, меньшей критического диаметра (т,е. который невозможно инициировать). Применение системы зарядов толщиной, меньшей критического диаметра, позволяетуменьшить общую массу заряда приобеспечении устойчивой детонации оттолщины плакирующего элемента. Приэтом Форма заряда 9 в полуэллиптицеской оболоцке 8 позволяет компенсировать нестабильность скорости детонации заряда при образовании кумулятивной струи,Способ можно применять для плакирования участков криволинейных в пла.не поверхностей внутренних замкнутыхи незамкнутых полостей изделия, а1 О 5 156911 также для локального плакированиявнутренних поверхностей различныхдеталей,Способ позволяет повысить долговечность и ресурс эксплуатируемыхизделий путем плакирования тяжелонагруженных контактных поверхностей,расположенных практически в любыхместах детали, Применение способавозможно как непосредственно приизготовлении деталей, так и при ихвосстановлении. Повышение ресурса,как правило, достигается в 1,5-2 раза.Формула изобретенияСпособ плакирования металлическихизделий, включающий размещение надплакируемой поверхностью плакирующего элемента с установленным на немсоответствующим в плане плакируемойповерхности основным и расположеннымв его центральной части дополнительным зарядами взрывчатого вещества,5бинициирование зарядов, о т л и ч а ю" щ и й с я тем, что, с целью расширения технологических возможностей за счет обеспечения плакирования участков криволинейных в плане поверхностей, расположенных в замкнутых и незамкнутых полостях, и повышения безопасности, используют двухслойную оболочку полузллиптической формы, заполняют пространство между ее слоями взрывчатым веществом, толщина которого не превышает его критический диаметр, устанавливают упомянутую оболочку над основным зарядом, торцы которого располагают в фокусах оболочки, боковые стороны.дополнительного заряда в плане располагают под прямым углом к касательным к криволинейной поверхности основного заряда, а инициирование осуществляют от дополнительного заряда к заряду, размещенному между слоями оболочки, а затем к основному заряду.15 б 91115 оставитель И. Николаеваехред М,Дидьпс Корректор В,Кабаци дактор С.Патрушев акаэ 1 Производственно-изпатальски 11 комбинат "Патент", г, Ужгород, ул, Гагарина, 10 16 Тираж б 37осударстпепного комитета по изобретен 11303)1 осква, Ж, Раушска Подписноеи открытиям при ГКНТ СССб., д. 4/5