Детектор амплитудно-модулированных сигналов

СОЮЗ СОВЕТСКИСОЦИАЛИСТИЧЕСНРЕСПУБЛИК151534 4 Н 03 Р 1/ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ онденения ель зис а, дель досанного стотеф-лыорнойс сопВАН(57) Изобретение относится к рацио- технике, Цель изобретения - расшире ние частотного и динамического диап зонов. Детектор содерзит транзистор коллекторную нагрузку 2, состоящую противили в ви .п,ф-лы,М(21) 42429 (22) 11.05 (46) 15. 10 (72) А.А.К (53) 621,3 (56) Автор 9 1363429, (54) ДЕТЕК НЫХ СИГНАЛ 11/24-098789, Бюл, В 38риллов6.23 (088,8)кое свидетельствокл, Н 03 0 1/18, 1ОР АМПЛИТУДНО-МОДУЛИРВ из резистора 3 и дросселя 4,саторы 5 и 7 и резистор 6 смеВключение конденсатора 7 параллколлекторному р-п-переходу тртора 1 уменьшает уровень сигитектируемого этим переходом.тигается за счет шунтированияперехода конденсатором 7 на чсигнала, Детектор по пп.2 и 3отличается выполнением коллекнагрузки 2 в виде резистора 3ротивлением, много меньшим соления резистора 6 смещения,де дросселя 4 с потерями. 2 з6 ил11 зобретецце относится к радиотехнике ц может быть использовано в радиоприемцых и электроизмерительных устройствах.Дель изобретения - расширение час. тотцого и динамического диапазонов.Нд фиг,1 приведена структурная электрическая схема детектора амплитудно-модулированных сигналов; на фиг.2 - примеры его выполнения.Детектор амплитудно-модулированных сигналов содержит транзистор 1, коллекторцую нагрузку,2, состоящую иэ резистора 3 и дросселя 4, первьп конденсатор 5, резистор 6 смещения и второй коцдецсдтор 7.Детектор амплитудно-модулированных сигналов, показанный на фиг.3, включает разделительный коцдецсатор 8, а на 20 фиг,4 - дополнительный конденсатор 9.Детектор амплитудно-модулированных сигналов работает следующим образом.Сигнал переменного тока И черезбх первый коцдецсдтор 5 поступает на пе реход база - эмиттер транзистора 1, который детектпрует его аналогично ,обычному диоду. Через переход база - коллектор транзистора 1 протекает постоянный ток от источника питания Е , через резистор 6 смещения, переход база - коллектор транзистора 1 и коллекторцую нагрузку 2, За счет проте, кдция коллекторцого токд в область базы ицжектпруются цеосцовцые носители35 н количестве, достдточцом для выравнивания коццецтрдцци дырок в базе по отцошеццю к змиттеру, Прц этом нрекращаетсл диффузия дырок из области эмцттера в область базы и, кдк следствие, умецьшдется потецциальцый барьер переходд бдзд - змиттер, что позволяет детектировдть сигцдлы с малым уровнем.Одцовремеццо входной сигнал проникает через емкости монтажа и коллектора,5 (це показаны) ца переход база - коллектор. Однако их детектирование коллекторцым р-и-переходом транзистора 1 вызывает незначительные изменения потецццдлд коллектора, так как емкости монтажа ц коллектора не успевают сохранять потенциал постоянного тока вследствие мдлой постоянной времени разряда коллекторной нагрузки 2, Включение второго конденсатора 7 парал 55 леньцо коллекторцому р-п-переходу умецьп дет уровень сигнала, детектируемого коллекторным р-п-переходом, эд счет шуцтцровация этого перехода вторым конденсатором 7 на частоте сигнала. Это позволяет сохранить режимтранзистора 1 в более, широком частотном и динамическом диапазонах. Аналогично работают детекторы, показанныена фиг. 2 - 6,Детектор, показанный на фиг.4, работает в более узком частотном диапазоне вблизи резонансной частоты колебательного контура, состоящего иэдросселя 4 (катушки индуктивности) идополнительного конденсатора 9Принцип его работы аналогичен описанномувьппе, В нем уменьшена возможностьпопадания входного сигнала на коллекторный р-п-переход транзистора 1 засчет действия большого резонансногосопротивления контура на частотевходного сигнала и малого сопротивления на частоте выходного сигнала.Величина резистора 6 смещения,обеспечиваюшего необходимый ток черезпереход коллектор - база, составляетдесятки-сотни килоом, а величина резистора 3 - десятки-сотни ом. В этомслучае потенциал коллектора точноравен падению напряжения на резисторе3 в коллекторной нагрузке и можетбыть уменьшен включением параллельнорезистору 3 дросселя 4. Потери в дросселе могут быть обеспечены также засчет использования определенного провода. Величина резистора определяетвеличину входного сопротивления детектора амплитудно-модулированных сигналов. Поэтому выполнение коллекторной нагрузки 2 в виде параллельного колебательного контура (фиг,4) позволяет увеличить входное сопротивление,Формула иэ обретения1. Детектор амплитудно-модулированных сигналов, содержащий транзистор, между эмиттером которого и общей шиной включен первый. конденсатор, между базой и выводом источника питания - резистор смещения, а между коллектором и общей шиной - коллекторная нагрузка, при этом база и змиттер транзистора являются соответственно входом и первым выходом детектора амплитудно-модулированных сигналов, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью расширения частотного и динамического диапазонов, введен второй конденсатор, включенный между базой и.2 коллектором транзистора, при этом коллектор транзистора является вторым выходом детектора амплитудно-модулиро-ванных сигналов. 2, Детектор по п.1, о т л и ч а ю -щ и й с я тем, что коллекторная нагрузка выполнена в виде резистора с сопротивлением, много меньшим сопротивления резистора смещения.3, Детектор по п.1, о т л и ч а ю - щ и й с я тем, что коллекторная нагрузка выполнена в виде дросселя с потерями./Х Составитель А.Осиповичдактор А.Лежнина Техред М.Моргентал Корректор М,Максимишине Заказ 6293/55 Тираж 884 Подписное НИИПИ Государственного комитета по изобрет ГКНТ ССС 113035, Москва, Ж, Раушс ениям и открытиям при кая наб., д. 4/5