Выходной каскад формирователя импульсов

)змерение парамальных микросвязь, 1982,наносекунд изобретения пазонов фор нтег его уровнеочности и адио и6.21. ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР ОПИСАНИЕ ИЭОБРЕТЕНИ А ВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТ(71) Ярославс венное объеди (72) Б.П.Куто (53) 621.374 (56) Эйдукас ров циФровых схем. - М.: Р с. 267, рис. ние относится к импульсжет бытЬ использоваФормирования ималов наносекундного и ного диапазонов, Целью вляется раснирение диарования верхнего и нижнапряжения, повышение абильности установки14571 выходного напряжения, а также быстродействия. Для достижения этой цели в каждый из каналов введен третий ключ, выполненный симметрично второму ключу и состоящий из двух диодов, резистора и транзистора. При этом проводимость транзистора выбрана противоположной проводимости транзистора второго ключа данного канала. Устройство содержит первый,и второй каналы Формирования верхнего и 49нижнего уровней соответственно, которые содержат первые 1 и 2 и вторые3 и 4 ключи на транзисторах 5 - В и11, 2, Третий ключ 23 первого канала содержит два диода 25 и 26, транзистор 28. Третий ключ 24 второгоканала содержит диоды 29 и 30, транзисторы и диоды, входящие в составключей соответствующих каналов, показаны на чертеже. 1 ил.1Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано в устройствах формирования импульсных сигналов наносекундного исубнаносекундного диапазонов. 5Целью изобретения является расширение диапазонов Формирования верхнего и нижнего уровней напряжения иповышение точности и стабильностиустановки выходного напряжения, уве личение быстродействия.На чертеже представлена схема вымодного каскада Формирователя импульсов.Выходной каскад включает первый и второй каналы Формирования соответственно верхнего и нижнего уровней, которые содержат первые 1 и 2 и вторые 3 и 4 ключи, выполненные на транзисторах 5 и 6, объединенные эмиттеры первого и второго транзисторов 7 и 8 первого ключа 1 первого канала через первый резистор 9 соединены с первой шиной 1 О питания,25 объединенные эмиттеры первого и второго транзисторов 11 и 12 первого ключа 2 второго канала через второй резистор 13 соединены с второй шиной14 питания, коллектор транзистора 7 соединен с точкой соединения первого30 и второго диодов 15 и 16, коллектортранзистора 1 соединен с точкой соединения третьего и четвертого диодов 17 и 18, базы транзисторов 5 и 6 вторых ключей первого и второго ка налов соединены соответственно через третий резистор 19 с первой шиной 20 опорного напряжения и через четвер 2тый резистор 21 - с второй шиной 22 опорного напряжения, третий ключ 23 первого канала и третий ключ 24 второго канала.Третий ключ 23 первого канала содержит два диода 25 и 26, резистор 27 и транзистор 28 с проводимостью, противоположной проводимости транзистора второго ключа данного канала, Третий ключ 24 второго канала содержит двя диода 29 и 30, резистор 31 и транзистор 32. Коллекторы первого и второго транзисторов 7 и 8 соединены через резисторы 33 и 34 с ниной 14. Коллекторы первого и второго транзисторов 11 и 12 через резисторы 35 и 36 соединены с ниной 10. Базы первого и второго транзисторов обоих каналов соединены соответственно с первым, вторым, третьим и четвертым входами 37 - 40 устройства, Устройство включает выходную пину 41,Выходной каскад работает следующим образом,Если ня входе 37 напряжение логической "1" отрицательной полярности,на входе 40 напряжение логической"1" положительной полярности, навходах 38 и 39 напряжение логического "0", напряжение на второй шине 22опорного напряжения (напряжение нижнего уровня СУ) отрицательной полярности, а напряжение ня нине 20 положительной полярности напряжениеверхнего уровня П, то транзисторы 8 и 11 открыты, я транзисторы 7и 12 закрыты. Тяк кяк транзистор 814571открыт, а напряжение на шине 20 положительное, то транзистор 28 открыт,Режим транзистора Я устанавлива"ют таким образом чтобы транзистор28 закрывался при напряжении на шине 20, близком к нулю. Режим транзистора 11 устанавливают таким образом,чтобы транзистор 5 открывался только при напряжении на шине 20, близком к нулю, следовательно, при положительном напряжении на шине 20 транзистор 5 закрыт. Так как закрыт тран 494на шине 22 и напряжения коллектор эмиттер открытого транзистора 32.Если изменить полярность напряжения на шине 22 на положительную, транзистор 32 закроется при напряженииблизком к нулю, откроется транзистор 6 и на выходной шине 41 будет Формироваться положительное напряжение нижнего уровня,Формула изобретениязистор 12, то закрыт и транзистор32. Отрицательным напряжением на ши не 22 транзистор 6 закрыт. Напряжение верхнего уровня положительнойполярности на выходной шине 41 определяется разностью напряжения на шине 20 и напряжения коллектор - эмиттер открытого транзистора 28, Если 20 изменить полярность напряжения на шине 20 на отрицательную, транзистор28 закрывается, открывается транзистор 5 и на шине 41 будет Формироваться отрицательное напряжение верхнего В отрицательной области изменения напряжения 11 на шине 20 быстродействие определяется только транзистором 5, который входит в насьш 1 ение при напряжении ПЗ, близком к нулю, и находится в этом режиме во всей области отрицательных напряжений У,Если на входах 37 и 40 напряжение логического "0", на входе 38 напряжение логической "1" отрицательнойполярности, на входе 39 напряжениелогической "1" положительной полярности, напряжение нижнего уровня 0 11на шине 22 отрицательной полярности,а напряжение верхнего уровня У нашине 20 положительной полярности,чтотранзисторы 7, 12 и 32 открыты,транзисторы 8,11,28, 5 и 6 закрыты. Формирование нижнего уровня на выходнойшине 41 происходит аналогично Формированию верхнего уровня, Напряжениенижнего уровня на выходной шине определяется разностью напряжения П уровня.Так как транзистор 28 находитсяв насыщении во всей области положительных напряжений и закрывается 30только при напряжении Ина шине 20,.близком к нулю, а во всем диапазонеизменение Пв положительной полярности, быстродействие Формирования выходного напряжения определяется толь 35ко транзистором 28,Выходной каскад формирователя импульсов, содержащий подсоединенные к выходной шине первый и второй каналы Формирования соответственно верхнего и нижнего уровней, каждый из которых включает первый ключ, выполненный на двух транзисторах по схеме токового переключателя, и второй ключ, выполненный на одном транзисторе, объединенные эмиттеры первого и второго транзисторов первого ключа первого и второго каналов через соответственно первый и второй резисторы соединены с первой и второй шинами питания соответственно, коллекторы первых транзисторов первого ключа соответственно первого и второго каналов подсоединены к точкам соединения соответственно первого, второго, третьего и четвертого диодов, вторые электроды которых соединены соответственно с базой и коллектором транзистора второго ключа второго канала и с базой и коллектором транзистора второго ключа первого канала, базы транзисторов вторых ключей первого и второго каналов соединены соответственно через третий резистор с первой шиной опорного напряжения, а четвертый резистор - с второй шиной опорного напряжения, проводимость транзисторов первого ключа совпадает с проводимостью транзистора второго ключа данного канала и противоположна проводимости транзисторов первого ключа второго канала, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью расширения диапазонов Формирования верхнего и нижнего уровней напряжения и повышения точности и стабильности установки выходного напряжения, увеличения быстро. ействия, в каждый из каналов введь третий ключ, выполненный симметрично второму ключу и состоящий из дву диодов, резистора и транзистора сСоставитель Л, СимоноваТехред М,дидык Корректор В.Бутяга Редактор А.Мотыль Заказ 7493/57 тираж 879 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 5 14571 проводимостью, противоположной проводимости транзистора второго ключа данного канала, эмиттер и коллектор транзистора третьего ключа соединены соответственно с эмиттером и кол 5 лектором транзистора второго ключа своего канала, общие точки диодов третьих ключей первого и второго каналов соединены соответственно с кол О лекторами вторых транзисторов первых 49 6ключей своих каналов, коллекторытранзисторов первых ключей соединенычерез соответствующие резисторы,вторые выводы которых объединены и подключены соответственно к второй ипервой шинам питания, базы первогои второго транзисторов обоих каналовсоединены соответственно с первым,вторым, третьим и четвертым входамиустройства.