Фотоноситель для одноступенчатой записи оптической информации

(21)22 ество фотонос го чувствител Бюл.31й политехничесИ.Ленина и Хар ителе между метал-,АоточувствительДля этого в фотолическим слоем 2ным слоем 4 распкая прокладка 3 ий ложена диэлектричес е енныи унив ли нескольких 1 усси Фоточувствит из халькоген о,полу жающ роводни е покры рическа условию лект ря иент оптиче ницах точу ро ото и изменение теклообразн лине Волны и ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ ОАНИЕ ИЗОБРЕТЕН Н Д ВТОРСКОМУ СВИДЕТЕПЬСТ 4100212/3 ( ) 29.07,86 (46) 23.08.88. (71) Харьковски институт им. В ский государств им. А.М.Горьког (72) Е.А,Лупашк и А.П,Овчаренко (53) 772.93(088 (56) Регистриру графии. /Под ре и Н.И.Кириллова с. 143-147. ющие среды для голод. Н.И.Брачевского- Л.: Наука, 1975,(54) ФОТОНОСИТЕЛЬ ДЛЯ ОДНОСТУПЕНЧАТОЙ ЗАПИСИ ОПТИЧЕСКОЙ ИНФОРМЖКИ(57) Изобретение относится к фотоносителям для одноступенчатой записи нформации и позволяет повысить каеля путем увеличения ости и контрастности состоящая из одногодиэлектрических слоев. льный слой 4 выполнен дного стеклообразного а. Многослойное отраие 5 фотоносителя и дипрокладка 3 удовлетво- Н ), 1-п, где Е - коэффикого отражения на граствительного слоя; дп - анное в результате запиЖ показателя преломления го полупроводника на читывающего излучения.Изобретение относится к регистрирующим материалам, содержащим полупроводниковый слой, для одноступенчатой фотограйии и может быть использовано в устройствах записи - считывания оптической инйормации, голографии и др.Целью изобретения является повы-. шение качества путем увеличения 10 его чувствительности и контрастности,На фиг. 1 схематически изображена конструкция предлагаемого йоточувствительного материала; на фиг. 2 - расчетная зависимость йотоиндуциро ванного изменения коэфйициента отражения Кс на длине волны считывающего излучения распри различных значениях коэффициентов отражения К на границах фоточувствительного слоя (дп О равно 0,1); на йиг. 3 - спектр оптического отражения; на фиг. 4 - зави,симость контраста йотозаписи от времени экспозиции. Фотоноситель имеет подложку 1, металлический электронагревательный слой 2, диэлектрическую прокладку 3, состоящую из одного или нескольких диэлектрических слоев. Прокладка 3 30 расположена между металлическим слоем 2 и фоточувствительным слоем 4 из халькогенидного стеклообразного полупроводника (ХСП). Фотоноситель имеет также многослойное отражающее покрытие 5 из чередующихся диэлектрических слоев с большим и меньшим показателями преломления на длине волны считывающего инйормационного излучения, Диэлектрическая прокладка 3 40 и многослойное покрытие 5 удовлетворяют условиюН 7 1 - Дп,где К - коэйфициент оптического отражения на границах йоточувствительного слоя;йп - фотоиндуцированное в результате записи изменение показателя преломления стеклообразного полупроводника надлине волны считывающего излучения.При выводе соотношения учитывают необходимость фотоиндуцированного смещения полосы отражения на расстояние, превьппающее ее полуширину, Верхний предел с ограничивают реально достижимыми значениям0,995, обусловленными потерями вета в слоях. Значение Лп для выбранной длиныволны считывающего излучения находятиз изменений спектров оптическогопропускания пленки ХСП и по известному дп выбирают структуру слоев 3иП р и м е р, Фотоноситель содержитстеклянную подложку из стекла К 8, непрозрачный слой алюминия, слой криолита, слой сульфида мышьяка АзБ з ишесть чередующихся сдоев из криолитаи сернистого цинка. Слои приготавливают термическим напылением в вакууме 5 10 Па, при этом осуществляютфотометрический контроль коэфйициентаотражения на длине волны 3=0,725 мкмиз области прозрачности сульфидамышьяка, На фиг. 3 (кривая ) представлен спектр отражения фотоносителя вблизи указанной длины волны (амплитуда полосы отражения Л К=0,82, ееполуширина д =7,5 нм),В результате воздействия на фотоноситель активного излучения лазерас Л =0,44 мкм и интенсивностью0,35 Вт/см 2 полоса в спектре отражения смещается в длинноволновую область на 15 нм (йиг. ";, кривая 2), акоэффициент отражения на длине волнысчитывающего излучения (Дс=0,725 мкм)возрастает (примерно в 10 раз), чтосоответствует позитивному контрастуизображения. При этом значение показателя преломления АзБувеличивается на 0,07.На фиг. 4 (кривая 1) приведена зависимость изменения контраста йотозаписи, определенного из отношенияНсот времени облучения. ПосколькуНосс расположена вдали от края фундаментального поглощения сульйида мышьяка, контраст изображения при считывании не разрушается. При нагревефотоносителя до 160+10 С в течение15 мин путем пропускания электротокачерез слой алюминия полоса в спектреотражения смещается в коротковолновую область и контраст фотозаписиисчезает, В дальнейшем возможны циклы запись - стирание с высокой степенью реверсивности,Для сравнения найиг, 4 (кривая 2)Всизображена зависимость --- от времеОсни светового воздействия на пленкуАзБ приготовленную на высокоотражающем алюминиевом слое без дополни 14 18641тельных диэлектрических слоев. Оптическую запись и считывание осуществляют светом с 3=0,44 мкм.Из фиг. 4 (кривая 1) видно, что5 при малых экспозициях и, следовательно, малых изменениях показателя преломления слоя полупроводника, несмотря на значительное увеличение чувствительности (примерно на порядок), значение контраста записи меньшей максимально достижимого для данного образца.Формула из об ре тения 15Фотоноситель для одноступенчатой записи оптической информации, содержащий подложку, металлический электронагревательный слой и фоточувстви- ро тельный слой из халькогенидного стеклообразного полупроводника, о т л и - ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повьппения качества путем увеличения его чувствительности и контрастности,сн дополнительно содержит диэлектрическую прокладку, состоящую из одного или нескольких диэлектрическихслоев, при этом прокладка расположена между металлическим и фоточувствительным слоями, и многослойное отражающее покрытие из чередующихся диэлектрических слоев с большим и меньшим показателями преломления на длиневолны считывающего информацию излучения, при этом диэлектрическая прокладка и многослойное покрытие удовлетворяют условиюЙ) 1 - дп,где К - коэффициент оптического отражения на границах фоточувствительного слоя;дп - фотоиндуцированное в результате записи изменение показателя преломления стеклообразного полупроводника на длиневолны считывающего излучения.1418641 8,% ставитель В.Аксенохред Л.Олийнык Корректор М,Шароши дактор С.Пека Заказ 4149/ Тираж 4 Подписн 4/5 ул, Проек графическое предпрцяти Производственн жг ВПИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий13035, Москва, Ж, Раушская наб., д