Электролит для получения осмиевых покрытий
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 1014996
Авторы: Бойко, Некоз, Полковенков, Турченко
Текст
ае ггггЗЮС 2 В 0 СОЮЗ ООВЕТСНИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИРЕСПУБЛИК 0,19-19 50 -3000,00004-40 ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ ПИСАНИЕ ИЗОБРЕК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТ(71) Харьковский государственныйпедагогический институт им. Г.С. Сковдроды(56) 1. Авторское свидетельство СССРУ 334276, кл. С 25 Э 3/50, 19702, Патент США й 3622474кл. 04-47) опублик, 1971(54)(57) ЭЛЕКТРОЛИОСНИЕВЫХ ПОКРЫТИЙосмия, комплексообксид натрия, о т лтем что, с цельюпокрытий и упрощенкачестве комплексролит содержит сулследующем соотноШег/л:Ионы осмия( в пересчетена металл )Сульфат натрияГидроксиднатрия Т ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯсодержащий ионы разователь и гидрои ч а ю щ и й с я увеличения толщины ия процесса, в ообразователя электьфат натрия при нии компонентов,0,19-19 1 10149Изобретение относится к гальваностегии, в частности, к электрохимическому осаждению осмия.Известен электролит для электрохимического осаждения осмия, содержащий комплексные соединения осмия,соляную кислоту, хлористый аммонийи аммиак 1 1Недостатком указанного электролита является малая толщина осмиевых 10покрытий и низкий катодный выход потокудо 1),Наиболее близким к изобретению потехнической сущности и достигаемомурезультату является электролит, 15содержащий ионы осмия при использовании в качестве комплексообразователя натриевой соли сульфаминовойкислоты и гидроксид щелочного метал.ла Г 21 .20Существенным недостатком данногоэлектролита является его низкая ста-бильность, обусловленная снижениемустойчивости осмий-сульфаматного комплекса при незначительном отклонении кислотности раствора от аптИмального значения, что значительноусложняет процесс электрохимическогоосаждения осмия,Кроме того, из указанного электролита не удается получить качественныеосмиевые покрытия толщиной более 3 мкмЦель изобретения - увеличение толщины покрытий и упрощение процесса.Указанная цель достигается тем,35что электролит для получения осмиевых покрытий, содержащий ионы осмия,комплексообразователь и гидроксидщелочного металла, в качестве комплексообразователя содержит сульфатнатрия при следующем соотношениикомпонентов, г/л:Ионы осмияв пересчетена металл)Сульфатнатрия 50 -300Гидроксиднатрия 0,00004-40Процесс осаждения проводят вячейки без диафрагмы при 50-90 С иплотности тока 0,1-10 А/дм, Приуказанных режимах осаждения скоростьнаращивания покрытий составляет,0,08-0,4 мкм/мин.Катодный выход по току составляет2,5-423.Электролит готовят путем анодногорастворения металлической осмиевой 96 1пластины в растворах сульфата натрия с концентрацией соли от 50 до 300 г/л при рН 8 - 14, регулируемом добавлением определенного количества гидроксида натрия, и температуре 50-90 С в электролизере без разделения анод- ного и катодного пространства. Растворение протекает со 1004-ным выхо дом по току в интервале плотностей тока 0,02 - 2 А/дм.Растворение ведут до накопления необходимого количества металла в растворе.Электроосаждение осмия из полученного раствора можно осуществлять как с растворимым анодом 1 металлический осмий), так и нерастворимыми 1, платина, родий, графит) .Электроосаждение осмия в ванне с растворимым анодом исключает . необходимость корректировки раствора в процессе электролиза.При соответствующих соотношениях катодной и анодной поверхностей, выбираемых с учетом анодного и катодного выходов по току, можно длительное время поддерживать неизменной концентрацию осмия в растворе.Кроме того, для поддержания постоянной концентрации осмия можно применять определенное сочетание площадей растворимого и нерастворимого анодов.Концентрации компонентов, используемые для приготовления электролита являются оптимальными и обеспечивают получение качественных осадков осмия в широком интервале рН раствора.Гидроксид натрия добавляют в электролит с целью поддержания необходимой кислотности раствора, которая в области граничных значений содержания этого компонента в растворе составляет рН 8 - 14. Предельные значения концентрации осмия в электролите обусловлены областью получения качественных покрытий и высоким выходом осмия по току. Кро" ме того, .при высоких концентрациях осмия неоправдано возрастает стоимость ванн и увеличиваются затраты, связанные с уносом электролита деталями. Предельные концентрации сульфата натрия в растворе объясняются необходимостью поддерживать постоянным со". отношение между сульфат-ионами и,О 40,0 дроксид натр рН, ед. 12,8 гПлотность тока,Ф/дмТемпература, С 70Толщина покрытий,мкм5 7 7 160 . 240 Время осажд м Выход по току,Ж Переходное сопротивление, ИОмпри нагрузке 100 г, величи" . не тока 25 мА ,(ГОСТ 16875"71)Пористость, пор Адгезия:С ГОСТ 16875-71) 42Беспористо спористое пористое Отслаиванияне наблюдается тслаивани е наблюда Отслаиванине наблюдается ется 4 Светло-сероветло-сероеголубоватымттенком, мелко- ристаллическое Светло-сероеполублестящеемелкокристаллческое ешний лическо 3 1014996 ионами осмия в пределах от 60: 1 до при 65-75 С, При более низких темпе:1. ратурах скорость. осаждения снижается,Нижний предел содержания сернокис- а при более высоких происходит интен" лого натрия обусловлен тем, что недо-. сивное испарение ванны. статок сульфат-ионов сказывается наЭлектролит стабилен в работе и не непостоянстве образующегося,осмий-. требует частой корректировки. После сульфатного комплекса при накоплении . пропускания через электролит количев электролите осмия свыше 0,5 г/л, ства из расчета 42 А:" продолжают несвязавшиеся в комплекс ионы осмия осаждаться качественные осадки осмия 1,вследствие дефицита сульфат-ионов, 1 ф необходимой толщины, характеризующие- являющихся лигандами), перешедшие в ся хорошим сцеплением с подложкой и раствор при анодном растворении метал- отсутствием трещин. Содержание осмия ла, окисляютя до токсичной летучей в электролите в продолжение его эксчетырехокиси осмия, что приводит к плуатации остается практически посто- обеднению электролита осмием и отри янным. цательно сказываетсяна условияхтруда. Электролит позволяет осуществлятьВерхний предел концентрации натрия ,непосредственное осаждение осмия наобусловлен возможной кристаллизацией различные проводящие материалы, в том соли на катоде и в растворе при пони-;, числе на медь и медные сплавы, пержении температуры электролита. в маллой, никель, вольфрам, молибден,Скорость осаждения осмиевых покры- титан, золото, серебро, платину, ротий и,выход по току осмия повышается дий, палладий, индий, графит. с увеличением температуры. Предпочти- . Примеры, иллюстрирующиеиспользовательно процесс осаждения осмия ведутние изобретения представлены в табл.1.Т а б л и а 1% 1014996Для сравнения были получены покры тия иэ известного электролита. в 4Сравнительные данные приведенытабл. 2,Таблица 2 Показатели Электролит евтетее иветт Адгеэия( по ГОСТ16875 т 7 1Толщина Внешний покрыти вид помкм крытия Переходноесопротивле,"ние( ГОСТ 16875-71)МОМ т веттететететт Известный 3 Отслаивание беспористоев местах пере-,сечения надрезов ненаблюдалось Плотное, 30-.40блестя- щее,5 Тусклое,рыхлое Более 1000 Наблюдалось 2 т 4отслаивание 27 т 34 беспористое Предлагаемый 3 42 т 50 То же Темно-сет 100-250рого цветас губча- .той поверх- ностью Как видно из таблиц, предлагаемый электролит обеспечивает возможность получения качественных осмиевых покрытий толщиной до 5 мкм с высоким вы" ходом по току, позволяет значительно упростить процесс эа счет его анодного растворения и увеличить срок службы электролита без его замены или корректировки.Изобретение может быть использовано в радиоэлектронной и химической отраслях промышленности для получения стойких гальванических осмиевых покрытий. ВНИИПИ Заказ 3150/26 Тираж 643 Подписное фили а ППП "Патент", г. Ужгород, ул, Проектная, 4 Плотноемелкокрйсталличес-.кое сероголубогоцвета Плотное мелкокристаллического серого цве- та Отслаиваниев местах пересечениянадрезов ненаблюдалось Наблюдалосьотслаиваниев местахпересечениянадрезов Пористость
СмотретьЗаявка
3317851, 13.07.1981
ХАРЬКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ПЕДАГОГИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ ИМ. Г. С. СКОВОРОДЫ
ТУРЧЕНКО НАДЕЖДА ВАСИЛЬЕВНА, НЕКОЗ АННА МИХАЙЛОВНА, БОЙКО АНДРЕЙ ВЛАДИМИРОВИЧ, ПОЛКОВЕНКОВ АНАТОЛИЙ ПЕТРОВИЧ
МПК / Метки
МПК: C25D 3/50
Метки: осмиевых, покрытий, электролит
Опубликовано: 30.04.1983
Код ссылки
<a href="https://patents.su/4-1014996-ehlektrolit-dlya-polucheniya-osmievykh-pokrytijj.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Электролит для получения осмиевых покрытий</a>
Предыдущий патент: Устройство для сбивки катодной сурьмы
Следующий патент: Механизм подъема подвесок автооператора
Случайный патент: Устройство для подачи водонасыщенных грунтов на конвейер