Устройство автоматического смещения

(д) Н 02 И 7/217 сзщАРственный номитеТО ДЕЛДМ ИЗОБ КТЕНий И ОТН ПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ АВТОРСКОМУ С ЕЛЬСТВУ(54)(5) УСТРОЙСТВО АВТОМАТИЧЕСКОГОСМЕЩЕНИЯ, например, подложки интег-,ральной схемы, содержащее конденсатор, ИДП-транзистор заряда, инверторна,МДП-транзисторах, в котором одинвывод конденсатора соединен с выхо, дом инвертора, вход которого подключен к входной шине, второй вывод конденсатора соединен с выходной шиной и со стоком ИДП-транзистора заряда, исток которого подключен к общей шине, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью повьвення надежности путем увеличения напряжения смещения, в него введены резистор, включенный между выходом инвертора и затвором,транзистора заряда, и дополнительный ИД 1-транзистор, затвор которого соединен с,входной шиной, а сток и исток соединены соответсвенно со стоком и затвором ХЦП-транзис" тора заряда.Изобретение относится к преобра эовательной технике, в частности к преобразователям энергии в интеграль.ных микросхемах и может быть использовано н интегральных микросхемах для создания напряжения смещения на подложке.Известны устройства смещения под" лохпси интегральной схемы, содержащие генератор напряжения Я . 1 бНо для известных устройств требуется специальный канал питания для смещения подложки что усложняет устройство.Известно устройство автоматичес кого смещения подложки интегральной схемы. содсржащее иннертор и конденсатор включенный последовательно с МДП-транзистором заряда, затвор которого соединен с его стоком, а 2 р исток - с общей шиной. Б этом устройстве смещение подложки происходит за счет разряда накопительного конденсатора, Во время действия импульсов конденсатор заряжается, а после пре- д кращення импульса он разряжается на емкость поцложки относительно общей шины 2.Такое устройство является наибо-. лее близким по технической сущности и достигаемому результату к о 1 исываемому из о бра тени 0 е Недостатком инвест ного устройства является низкое напря . жение смещения, обусловленное подклю" чением эатвооа МДП-транзистора заряда к его стоку.Цель изобретения " повышение надежности путем увеличения напряжения смещения подложки.Для достижения поставленной цели 411 н устройство антоматического смещений подложки интегральной схемы, соцержащее кондесаторМДП-транзстор заряда, инвертор на МДП-транзисторах н котором один вывод конденсатора сое динен с выходом инвертора, а вход которого подключен к нходной шине, второй нынод конденсатора соединен с выходной шиной и со стоком МДП-транзистора заряца,исток которогоподклочен к общей шине, введены резистор, включенный между выходом иннертора и затвором МДП-транзистора заряда, и дополительнь МДП"транзистор, эатнор которого соединен с входной линой, а ээ сток и исток соединены соответственно со стоком и затвором МДП-транзистора заряца. На чертеже представлена принципиальная электрическая схема устройства автоматического смещения подложки.Устройство содержит иннертор 1, используемый в качестве источника импульсного напряжения, шину питания 2, входную шину Э, накопительный конденсатор 4, ИДП-транзистор заряда 5, резистор 6, дополнительный МДП-транзистор 7, выходную шину 8, общую шину 9. В качестве резистора 6 может быть использован транзистор со встроенным каналом в реэистивном нключенииеВыход инвертора подключен к одной обкладке конденсатора 4, другая обкладка которого соединена с выходной шиной 8, с токами дополнительного ИДП-транзистора 7 и ИДЯ-транзистора заряда 5, Исток последнего подключен к общей шине 9, а затвор - к истоку дополнительного ИДП-транзистора 7 и через резистор - к выходу инвертора 1. Затвор дополнительного МДП-транзистора 7 соединен с входом инвертора ЗвУстройство работает следующим образомеПри закрытом состоянии инвертора 1 высокое напряжение с его выхода заряжает конденсатор 4 почти до напряжения питания на шине 2, так как ИДП- транзистор 5 открыт высоким напряжением, поступающим на его затвор с выхода инвертора через резистор 6,При переключении инвертора импульсом напряжения первая обкладка конденсатора 4 соединяется с общей шиной 9, а на второй обкладке возникает Напряжение с полярностью, противоположной полярности питающего напряжения. Конденсатор 4 разряжается на подложку интегральной схемы, заряжая ее до определенного потенциала. Во время разряда конденсатора 4 ИДП-транзистор 7 открыт, соединяя сток ИДП- транзистора заряда 5 с его затвором. Поэтому на затвор ИДП-транзистора заряда 5 передается с его стока запирающее напряжение, что предотвращает потерю части заряда конденсатора 4 при его разряде из-за каналього тока МДН-транзистора заряда 5.Таким образом, благодаря управлению затвором МДП-транзистора заряда 5 от выхода инвертора обеспечивается его низкое сопротивление в открытом состоянии и тем самым уменьшается3 , 9956734выходное сопротивление устройства и 5 В (стандартное значение для совреувеличивается напряжение на конденса-. менных и-канальных ЩЗП-интегральныхторе 4, что, в свою очередь, увеличи- схем) увеличивается тем самым почтивает напряжение смещения, на 30-503. Приблизительно в два разаВыигрыш в напряжении смещения со-уменьшается и выходное сопротивлениеставляет приблизительно 1 В; Напряже- устройства автомагического смещения .ние смещения при напряжении питания подложки.Составитель В.Багурин Редактор С.Титова ТехредЖ.Кастелевич Корректор И.Эрдейи Заказ 2845/4 Тираж 64 б ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж"35, Раушская наб., д. 45Филиал ППП "Патент", г.ужгород, ул,Проектная, 4