Генератор ступенчатого напряжения

(22) Заявлено 21. 05. 81(21) 3291666/18-21 Н 03 К 4/0,2 с присоединением заявки Йо -ю Государственник коиктет СССР яо дедам язобретеяий я открытийОпубликовано 0702.83.Бюллетень йо 5 Дата опубликования описания 07. 02 83(У 1) Заявит 54) ГЕНЕРАТОР СТУПЕНЧАТО ра 3Изобретение относится к .нмПульс-ной технике и может быть использовано, например в устройствах .форми- .рования многоступенчатых напряжений.Наиболее близким по техническойсущйости к предлагаемому является генератор ступенчатых напряжений, соффдержаций полупроводниковый пентод,первый эмиттер которого подключен 10к накопительному конденсатору и .разрядному элементу, второй эмиттер - крегулирующему элементу, первую базу,.вторая база подключена к дозирующвмуконденсатору, коллектор - через первый ограничительный резистор - к шинеисточника питания,к которой подключен первый вывод резистора смещения,второй ограничительный. резистор, первый вывод которого соединен с шинойустройства 1,Недостатком устройства являетсянизкая стабильность вго работы.Цела изобретения,- повышение стабильности работы устройства,Поставленная. цель достигается тем,что в генератор ступенчатых напряженийвведены два полевых транзистора,затворы которых объединены и подключенык первому эмиттеру полупроводникового пентода, сток полевого транзисто - ко второму выводу резистораецения, исток - к второй базе полу- .проводникового пентода, сток второгополевого транзистора соединен с иервой базой полупроводникового пентода,а исток в . с вторым выводом второго .;ограничительного резистора.На чертеже приведена функциональ-ная электрическая схема устройства,Устройство содержит полупроводНиковый пентод 1, накопительный кой-;денсатор 2, разрядный элемент 3, регу-лируюцнй элемент на резисторах 4 н.5 дозирующий конденсатор б первыйограничительный резистор 7, шину 8источника питания, резистор 9 смещения, второй ограничительный резистор10, полевые транзисторы 11 и 12.Устройство работает следуюцнм образом,источника пиойства формирувт-ка напряжения,эирующего кондентор 9 ачвщенияа сток-исток по 1 с нулевьак по- .й-типа до напряроводникового пе нраэрядадоэнрующе-. При подключении тания на выходе устр ся начальнаяступень вследствие заряда до сатора 6 через реэис и сопротивление канал левого транзистора 1 тенциалом на затворе жения включения полуп; тода 1 по второй базе и,го конденсатора 6 через открытый канал первая база - вторая база включенного пентода 1, сопротивление канала сток-исток полевого транзистора 12 и ограничительный резистор 10 на отрицательную шину источника питания. Начальная ступень выходного, напряжения образуется за счет прохождения управляющего тока через открытый канал первая база - вторая база и переход первая база - первый эмиттер пен- р тода 1, обеспечивающего заряд накопительного конденсатора 2 через от, открытый коллекторный переход пентода 1 до амплитуды, определяемой напряжением на втором эмиттере пентода 1. При. равных потенциалах на дозирующем и- накопительном конденсаторах пентод 1 переходит в закрытое состояние. Процесс переэаряда доэирующего конденсатора б продолжается до максимального напряжения на доэирующем и накопительном конденсаторах, равного пороговому напряжению ключевого элемента. После разряда накопительногО конденсатора через ключевой элемент схема возвращается .в исходное состоя ние и начинается процесс Формирования начальной ступеньки напряжения.Сопротивление каналов сток-исток полевых транзисторов с затворами.п- З типа увеличивается с ростом выходного напряжения. Постоянная времени заряда доэирующего конденсатора 6 до напряжения включения пентода 1 по второй базе также возрастает, что З увеличивает стабильность длительности формируемых ступеней в закрытом состоянии пентода 1.При открытом состоянии полупроводО никового пентода 1 увеличение выход,- ного напряжения на накоПительном конденсаторе приводит к возрастаниюколлекторного напряжения пентода 1.Сопротивление открытого канала первая база - вторая база пентода 1 приэтом увеличивается, что ведет куменьшению управляющего тока канала.Стабильность управляющего тока черезпереход первая база - первый эмиттерпентода 1 повышается за счет увеличения сопротивления канала сток-истоквторого полевого транзистора 12 вцепи разряда доэирующего конденсатора б. Тем самым повышается стабильность амплитуды Формируемых ступеней.Изменением потенциала на второмэмиттере пентода 1 осуществляетсярегулирование длительности, амплитуды и количества ступеней выходногонапряжения. Например с увеличениемпотенциала на втором эмиттере пентода1 увеличивается длительность и количество формируемых ступеней и уменьшается их амплитуда,формула изобретенияГенератор ступенчатого напряженияпо авт.св. 9 475725, о т л и ч а ющ и й с я тем, что, с целью повышения стабильности работы, в него введены два полевых транзистора, зат-воры которых соединены и подключенык первому змиттеру полупроводникового пентода, сток первого полевоготранзистора подключен к второму выводу резистора смещения, исток - квторой базе полупроводникового пентода, сток второго полевого транзистора соединен с первой базой полупроводникового пентода, а исток - свторым выводом второго ограничительного резистора.Источники информации,принятые во внимание при экспертизе1. Авторское свидетельство СССР9 475725, кл. Н 03 К 4/02, 02.01.74.в ректор А.Дэятк ое лиал ППП Патентфф, г.улаород, ул.Проектная,4 аз 669/44Тираа 9 Э 4 Государственного лам изобретений скяа, 3"35, Рауш Подпикомитета СССРоткрытийкая наб., д.4/5