Формирователь импульсов

2) Авторы взобретен С,И, Зиенко и В.В. Брыт Смоленский филиал Московского орд и ордена Ленина энергетического и(5 Й). ФОРИИРОВАТЕЛЬ ИМПУЛЬСОВ стояннои времени й Сн, где й к - со. противление нагрузки. Поэтому для получения коротких импульсов величину емкости необходимо уменьшить, что автоматически приводит к уменьшению амплитуды.Известен также формирователь импульсов, содержащий два последовательно соединенных лавинных транзистора с нагрузкой в цепи эмиттера первого лавинного транзистора, зарядный резистор и накопительный конденсатор в цепи коллектора второго лавинного транзистора, между базой и эмиттером которого включена вторичная обмотка импульсного трансформатора 21. ьсов, с наый1 о не 10 Оно позволяет получить к импульсы ( - 10-20 нс) .Одна ная амплитуда напряжения на уменьшается по величине при .два раза. Для увеличения ам импульсов вместо разрядной может использоваться накопи роткиео полезнагрузкеерно в ли туды и ь ныи Изобретение относится к импульсной технике и может использоватьсяв качестве источника импульсов длявозбуждения инжекционных полупроводниковых лазеров, мощных светодиодов,генераторных ламп и т.д.Известен формирователь импулсодержащий лавинный транзисторгрузкой в цепи эмиттера, заряднрезистор и накопительный кондентор 11,Это устройство не может генерировать короткие импульсы (5-1 и мее нс) повышенной амплитуды (500 и более вольт). Объясняется этотем, что в релаксаторе на лавинномтранзисторе повышенная амплитуда,импульсов может быть получена толькопри большом значении емкости накопительного конденсатора С.н. Однакоувеличение емкости приводит к возрастанию ширины импульса, так как длительность его среза определяется по ктябрьсрй, РеволюциийтутаБ "тэ.г.мал40 3 95741конденсатор. Недостатками известногоформирователя являются также низкиенадежность и быстродействие.Цель изобретения - повышение быстродействия и надежности.5Поставленная цель достигается тем,что в формирователь импульсов, содержащий два последовательно соединенных лавинных транзистора с нагрузкойв цепи эмиттера первого лавинногорт ран зи с тора, на копи тель ный конде нсатор и зарядный резистор в цепи коллектора второго лавинного транзистора, между базой и эмиттером котороговключена вторичная обмотка импульсного трансформатора, введен диод,анод которого подключен к базе первого лавинного транзистора, а катодподключен к общей шине.На чертеже изображено устройство.Устройство содержит задающий генератор 1, импульсный трансформатор 2,лавинный транзистор 3, накопительныйконденсатор 1, зарядный резистор 5,источник 6 питания, лавинный тран- щзистор 7, диод 8 и нагрузку 9.Устройство работает следующим образом,В исходном состоянии лавинныетранзисторы 3 и 7 закрыты. Накопительный конденсатор заряжен до напряжения Осе, величина которого выбирается нескольким меньшим суммызначений напряжений включения лавинных транзисторов 3 и 7. Значение Ос,оустанавли вается величиной сопротивления резистора 5 и напряжения источника 6 питания.Переход транзисторов 3 и 7 из закрытого состояния в открытое происходит при поступлении отпирающегоимпульса от задающего генератора 1.Включение лавинных транзисторов 3и 7 носит регенеративный характер.В процессе их включения мгновенныезначения токов в цепи эмиттера и ба 45зы транзистора лавинообразно нарастают во времени, Так как прямое импульсное сопротивление диода 8 впервый момент велико, то основнаячасть коллекторного тока транзисто-. 59ра 7 ответвляется в цепь. эмиттера и,следовательно, в нагрузку 9. С течением времени прямое импульсное сопротивление диода 8 спадает по величине,в результате чего составляющая токабазы транзистора 7 возрастает, Лоследнее приводит к увеличению эффекта шунтирования эмиттерного перехода. и уменьшению тока нагрузки. После достижения прямого импульсного сопротивления установившегося значения эмиттерный переход транзистора 7 оказывается практически полностью зашунтированным. Ток в нагрузке 9 спадет до нулевого значения. На этом заканчивается формирование импульса в нагрузке 9Накопленный в базе транзистора 7 заряд быстро рассасывается током диода 8, направление которого противоположно отпирающему току базы. Это приводит к запиранию лавинного транзистора 7 и, соответственно, транзистора 3.Высокочастотные точечные диоды имеют время установления импульсного прямого сопротивления равное а 1,0- 20 нс. Поэтому подключение диода 8 к базе транзистора 7 позволяет Формировать срез импульса, начиная с момента времени, соответствующего достижению током нагрузки пикового значения, т.е. значительно быстрее,Следует заметить что для нормальной работы схемы включение лавинных транзисторов 3 и 7 возможно в том случае, если отпирающий сигнал поступает на базу транзистора 3, Обьясняется это тем,что импульс задающего генератора 1, поданный на базу транзистора 7, оказывает влияние на величину заряда, накапливаемого в базе диода 8, и, следовательно, на время установления его прямого импульсного сопротивления.Таким образом, амплитуда импульса напряжения в нагрузке формирователя определяется величиной емкости накопительного конденсатора, тогда как длительность его среза определяется временем установления прямого импульсного сопротивления диода, включенного в цепь базы лавинного транзистора. благодаря этому длительность импульса в предлагаемом устройстве при такой же амплитуде заметно меньше, чем в известном.Формула изобретенияФормирователь импульсов, содержащий два последовательно соединенных лавинных транзистора с нагрузкой в цепи эмиттера первого лавинного транзистора, зарядный резистор и накопительный конденсатор в цепи коллекто957417 Составитель В,Техред М. Гергел агури Корректор В. Бут едактор А, Фрол каз 6622/48 Тираж 959 . Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий13035, Москва, Ж, Раушская наб., д. иал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная,5ра второго лавинного транзистора, между базой и эмиттером которого включена вторичная обмотка иипульсного трансформатора, о т л и ч а ю - щ и й с я тем, что, с целью повышения быстродействия и надежности, в него введен диод, анод которого подключен к базе первого лавинного транзистора, а катод подключен к общей шине. б Источники информации,принятые во внимание при экспертизе