Строительный раствор

Номер патента: 494593

Опубликовано: 05.12.1975

Авторы: Богатырев, Гевлич, Мезенцев, Самигуллин, Свинухов

МПК: F28G 9/00

Метки: имеющих, основные, отклонений, поверхностей, раствор, свойства, теплообменников

...продуктом произВодства легких сульфокислот. рации его во м-ГГВР У ры 50-70 С.Теплообменник, освобожденный от технологического продукта и теплоносителя, промывается водой при температуре от 50 до 100 С, затем в одно иа ра 1 о бочих пространств теплообмвнника (в трубное или межтрубнов) подается твплоноситель - горячая вода или водяной пар с температурой 90-150 С. Промывная вода и поток отработанного твплоносителн (конденсат) сбрасываются.После этого в пространство, свободное от теплоносителя, с помощью насоса из кислотной емкости подается 40- -507 о водный раствор кислого гудрона. аб Отработанный раствор, очищенный от смол и механических примесей в фильтре, состоящем из твердого силикагеля и стекловолокна (или стекловаты), подавт...

Номер патента: 117261

Опубликовано: 01.01.1958

Авторы: Антонова, Бродский, Лейрих, Смирнова, Фискина

МПК: C04B 24/24, C04B 28/02

Метки: бетонов, других, растворов, строительных

...качестве вяжищего могут применяться обычный портланд-цемент, специальные портланд-цементы (Б:1 Ц, сульфятостойкие, самоап 1 эягающие и др,), пластифицированный и пуццолановый портланд-цементы.Например, раствор состава 1:2 (портлянд-цемента Белгородского заводя песок речной) при В/1 Я,51 с добавкой 10 20 фурилового спирта (от веса цемента) и 5 20 в соляпокислого анилина (от веса фурилового спирта) может применяться при избыточном давлении воды.Растворы и бетоны в том числе с микронаполнителем (тонкомолотый строительный песок), при В,ц 0,40 с добавкой фурилового спирта 20 60, 10 20 вв солянокислого анилина и 5 - 8 ( хлористого кальция (от веса фурилового спирта) являотся бензонепроницаемыми,Добавка хлористого кальция в...

Номер патента: 300816

Опубликовано: 01.01.1971

Автор: Московский

МПК: G01N 21/47

Метки: исследования, образца, пористой, строительного, структуры

...и повышения т втоматического с Достигается это тем, что выход сканирующего устройства соединен через согласующее устройство и устройство запуска, связанное с генератором эталонных импульсов, с блоком сортировки импульсов и электроимпульсными счетчиками.Предложенная установка изображена на чертеже,Она состоит из сканирующего устройства 1, выход которого соединен через согласующее устройство 2 с устройством запуска 3, причем последнее связано с генератором эталонных импульсов 4. Устройство запуска 3 соединено с блоком сортировки импульсов 5 и электро. импульсными счетчиками б,Установка работает следующим образом, Исследуемый шлиф образца помещают на предметном столике сканирующего устройства 1 и освещают, при этом встречные косые пучки...

Номер патента: 514239

Опубликовано: 15.05.1976

Авторы: Садунас, Садунене, Шяучюлис

МПК: G01N 33/38

Метки: керамических, строительных, структуры, характеристики

...и по отношению их определяют структурность глиняного кирпича.Определение характеристики структуры производят следующим образом. Из кирпича выпиливают образец в виде куба. Образец высушивают до постоянного веса, насыщают в холодной воде в течение 20 ч. с последу 1 ощим кипячением в течение 4 ч. После остываиия образец промораживают на специальном холодильнике с одной стороны в органическом растворителе при температуре - 6 С в течение 5 ч. Одностороннее замораживание образца связано с расположением структурных трещ:1 и кирпича и поэтому оио проводится в направлении, перпендикулярном ложковой плоскости кирпича. Вытеснеи 11 ый во время 5 замораживания па нижнюю поверхность образца лед снимают гигроскопическим веществом в герметической...

Номер патента: 708877

Опубликовано: 23.06.1985

Авторы: Зайцев, Пинчук, Рюмшин

МПК: H01L 21/306

Метки: активации, полупроводниковых, раствор, структур

...кислоты с рН 1-6, инертные к полупроводниковым материалам и их окислам, и фтористый аммоний при следующем соотношении ингредиентов, мас. 7; 1 10 -5.1 КОт 0,5 донасыщения Ионы золотаФтористый аммонийВода деиониОстальное эованная В растворе отсутствует свободная плавиковая кислота, благодаря чему степень воздействия его на защитные окислы незначительна. Скорость снятия атмосферного окисла с поверхности полупроводников легко регулируется количеством добавляемой кислоты, Поскольку каталитически активные центры на поверхности полупроводникового материала в процессе активации возникают при непосредственном (контактном) восстановлении ионов золота атомами полупроводника, использование окисляющих кислот нежелательно. Кислоты должны быть...