Одновибратор

Союз Советски кСоциалистическикРеспублик ОПИСАНИЕИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ н 898596до делам изобретений и открытий(54) ОДНОВИБРАТОР Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано в устройствах для формирования временных задержек и импульсов различной длительности.Известен одновибратор с коллекторно-базовыми связями на двух транзисторах, в котором времязадающим элементом является конденсатор, включенный между коллектором нормально закрытого и базой-нормально открытого тО транзисторов 11,Однако этот одновибратор не позволяет использовать кремниевые транзисторы на полное коллекторное напря" 1 жение, так как у них сравнительно невелико допустимое обратное напряжение перехода эмиттер-база;Наиболее близким к предлагаемому является одновибратор на кремниевых и р -и транзисторах, содержащий конденсатор в цепи обратной связи коллектора нормально закрытого с базой нормально открытого транзистора 1 2.Однако в таком одновибраторе нет защиты перехода эйиттер-база закрытого транзистора от пробоя обратным напряжением. Включение параллельно его переходу эмиттер-база защитного устройства приводит к значительному снижению длительности формируемого импульса иэ-за уменьшения постоянной времени цепи разряда времязадающего конденсатора,Цель изобретениязащита перехода эмиттер-база закрытого транзистора от пробоя обратным напряжением и увеличение длительности формируемого импульса.Поставленная цель достигается тем, что в одновибраторе на кремниевых и р "и транзисторах, содержащем конденсатор в цепи связи коллектора нормально закрытого транзистора с базой нормально открытого транзистора, между базами транзисто 3 . 89859ров введен стабилитрон, напряжениестабилизации которого меньше допустимого обратного напряжения перехода эмиттер-база нормально открытоготранзистора, подключенный катодом кбазе нормалвно закрытого транзистора.На чертеже приведена принципиальная электрическая схема одновибратора. 10Одновибратор содержит два кремни"евых и "р-и транзистора 1 и 2, ста-,билитрон 3, включенный между базами транзисторов, резисторы 4-6 в коллекторных и базовых цепях транзисто Зров, конденсатор 7, включенный между коллектором транзистора 1 и базойтранзистора 2, и диод 8 в базовойцепи транзистора 1.Одновибратор работает следующимобразом.В исходном состоянии транзистор1 закрыт, транзистор 2 открыт, а конденсатор 7 заряжен практически донапряжения источника питания + Е. 25При подаче через диод 8 положительного запускающего импульса транзистор 1 открывается, напряжение наего коллекторе падает, а напряжениена базе транзистора 2 за счет заряда, накопленного конденсатором 7,становится отрицательным. Напряжение на коллекторе транзистора 2повышается и через делитель., состоящий из резисторов 5 и 6, поддерживает транзистор 1 в открытом состоянии. Когда отрицательное напряжениена базе транзистора 2 достигаетуровня пробоя стабилитрона 3, последний начинает пропускать ток,уменьшающий ток базы транзистора 1,что приводит к повышению напряжения на его коллекторе, Устанавливается динамическое равновесие, прикотором отрицательное напряжениена базе транзистора 2 определяетсяразностью напряжений на конденсаторе 7 и коллекторе транзистора 1 ипрактически не превышает уровнясрабатывания стабилитрона 3. По мере50разряда конденсатора 7 ток базытранзистора 1 возрастает, напряжение на его коллекторе уменьшаетвя, а напряжение на базе, транзистора 2 остается постоянным. При дальнейшем разряде конденсатора 7 стабилитрон 3 выключается и отрицательное напряжение на базе транзистора 2 уменьшается по экспоненциальному закону в соответствии с напряжением на конденсаторе 7 до возвращения схемы в исходное состояние.Таким образом, предложенный одновибратор дает возможность формирования импульсов в амплитудой, практи чески равной допустимому коллектор- ному напряжению кремниевого транзистора, при полностью исключенной возмощности пробоя перехода эмиттер-база нормально открытого транзистора. Кроме того, одновибратор позволяет повысить длительность формируемого импульса.Формула изобретенияОдновибратор на кремниевых и -р-итранзисторах, содержащий конденсатор в цепи связи коллектора нормально закрытого транзистора с базойнормально открытого транзистора,о т л и ч а ю щ и й с я тем, что,с целью защиты перехода эмиттер-база закрытого транзистора от пробояобратным напряжением и увеличениядлительности формируемого импульса,между базами транзисторов введенстабилитрон, напряжение стабилизации которого меньше допустимого обратного напряжения перехода эмиттербаза нормально открытого транзистора,подключенный катодом к базе нормально закрытого транзистора.Источники информации,принятые во внимание при экспертизе1. Будинский Я,Транзисторные переключающие схемы. М "Связь", 1965,с. 376, рис. 280.2. Патент ФРГ 9 127511кл. 21 а 36/02. прототип).898596 Составитель И. Гореловактор Т, Веселова Техред А,Бабинец Кор Л, Бокща Подписное о чо делам изобретени 3035, Москве, Ж, Р