Способ регулирования процесса кристаллизации в вальцовом кристаллизаторе

ОПИСАНИЕИЗОБРЕТЕН ИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ(11)886926 Сааз Советских Социалистических Республик(45) Дата опубликования описания 07.12.81(л 05 Р 27/00 1 осударственный комитет СССР по делам изобретений и открытий(54) СПОСОБ РЕГУЛИРОВАНИЯ ПРОЦЕССА КРИСТАЛЛИЗАЦИИ ВАЛЬЦОВОМ КРИСТАЛЛИЗАТО При понижении уровня расплава в ванне кристаллизатора время контакта охлаждаемой поверхности вальца с расплавом уменьшается, а время доохлаждения образовавшейся корки продукта увеличивается.Это приводит к уменьшению толщины образовавшейся корки кристаллического продукта, снижению ее термического сопротивления, а следовательно, к снижению производительности аппарата и переохлаждению получаемого кристаллического продукта.При повышении уровня расплава в ванне кристаллизатора, время контакта охлаждаемой поверхности вальца с расплавом увеличивается, а время доохлаждения вытягиваемой корки продукта уменьшается.Толщина образовавшейся корки кристаллического продукта и ее термическое сопро.тивление увеличивается, что приводит к получению недоохлажденного кристаллического продукта, который является некондиционным. Наиболе ности к изо ления про чающий значения р мого в к вальца, по Изобретение относится к области регулирования процессов химической технологии, а именно к способам регулирования процессов кристаллизации, проводимых на движущихся охлаждаем ых поверхностях,Известен способ регулирования процесса кристаллизации в вальцовом кристаллизаторе путем коррекции стабилизированного значения расхода хладоносителя, подаваемого в кристаллизатор для охлаждения вальца, по температуре хладоносителя на выходе из вальца 1.Однако в таком способе отсутствует регулирование уровня расплава в ванне кристаллизатора; стабилизирована не темпера тура кристаллического продукта, а температура поверхности вальца, которая измеряется по косвенному параметру - температуре охлаждающей воды на выходе из вальца кристаллизатора. 20Эти недостатки не позволяют получать кристаллический продукт с заданной температурой, так как при постоянной температуре поверхности вальца, обеспечиваемой путем коррекции стабилизированного зна чения расхода хладоносителя, подаваемого в кристаллизатор для охлаждения вальца, температура кристаллического продукта изменяется при изменении уровня расплава в ванне кристаллизатора.30 е близким по технической сущбретению является способ управцессом кристаллизации, вклюоррекцию стабилизированного асхода хладоносителя, подаваеристаллизатор для охлаждения температуре хладоносителя навыходе из вальца и стабилизацию уровця расплава в ванне кристаллизатора 12.Известный способ хотя и обеспечивает регулирование уровня расплава в ванне кристаллизатора, но не обеспечивает максимальную производительность кристаллизатора при заданном качестве кристаллического продукта, так как при изменении физических свойств кристаллизуемого продукта, например его концентрации в ванне кристаллизатора, а следовательно, и тепло- емкости при постоянной температуре поверхности вальца и уровне расплава в ванне (глубине потружения вальца в расплав) на погруженной в расплав поверхности вальца будет образовываться корка продукта различной толщины, которая при постоянном времени ее доохлаждення, определяемом уровнем расплава в ванне, будет иметь различную температуру (толстая корка - выше температуру, тонкая - ниже), что оказывает влияние на качество кристаллического продукта и производительность аппарата,Целью изобретения является обеспечение максимальной производительности кри. сталлизатора при заданном качестве кристаллического продукта.Эта цель достигается тем, что уровень расплава в ванне кристаллизатора корректируют по температуре кристаллического продукта в зоне его съема с поверхности вальца.На чертеже представлена принципиальная схема реализации способа.Кристаллизатор содержит валец 1, разбрызгивающее охлаждающее устройство 2, ванну 3 для расплава, ножи 4 для среза кристаллов, привод 5, датчик 6 расхода, регулятор 7 расхода, исполнительный механизм с регулирующим органом 8, датчик 9 температуры, корректирующий регулятор 10, датчик 11 уровня, регулятор 12 уровня, исполнительный механизм с регулирующим органом 13, датчик 14 температуры, коррек. тирующий регулятор 15.Датчик 6 расхода соединен с регулято. ром 7 расхода, воздействующим на испол. нительный механизм с регулирующим органом 8. Датчик 9 температуры соединен с корректирующим регулятором 10, воздействующим на блок задания регулятора 7 расхода. Датчик 11 уровня соединен с регулятором 12 уровня, воздействующим на ис. полнительный механизм с регулирующим органом 13. Датчик 14 температуры соединен с корректирующим регулятором 15, воз. действующим на блок задания регулятора 12 уровня.Способ осуществляется следующим образом.Вращающийся от привода 5 валец 1 непрерывно контактирует с горячим распла. вом, При этом на его охлажденной до за. данной температуры поверхности образует вальца 1 из ванны 3 охлаждается, твердеет и скалывается ножами 4 в выгружающий транспортер (не показан).Расход хладоносителя измеряется дат.чиком 6 расхода, сигнал от которого. посту.пает на регулятор 7 расхода. При отклонс.нии расхода хладоносителя от заданного значения регулятор 7 вырабатывает команд.цый сигнал, поступающий на исполнительный механизм с регулирующим органом 8, который изменяет подачу хладоносителя на охлаждение вальца 1 до тех пор, пока расход не устанавливается на заданном значении. Температура поверхности вальца 1 измеряется по зависимому от нее косвенному параметру - температуре выводимого из аппарата хладоносителя, которая измеряется датчиком 9 температуры, подсоединенным к корректирующему регулятору 10.При изменении температуры хладоносителя регулятор 10 вырабатывает корректирующий сигнал, поступающий в блок задания регулятора 7 расхода, который управляет исполнительным механизмом с регулирующим органом 8 так, что происходит компенсация изменения температуры хладоносителя за счет изменения его расхода. Уровень расплава в ванне кристаллизатора измеряется датчиком 11 уровня, сигнал от которого поступает ца регулятор 12 уровня, При отклонении уровня от заданного значения регулятор 12 вырабатывает командный сигнал, поступающий на исполнительный механизм с регулирующим органом 13, который изменяет подачу расплава в ванну кристаллизатора до тех пор, пока уровень расплава не установится на заданном зна. чении. Температура кристаллического про. дукта измеряется датчиком 14 температуры, подсоединенным к корректирующему регулятору 15, При изменении температуры кристаллического продукта регулятор 15 вырабатывает корректирующий сигнал, поступающий в блок задания регулятора 12 уровня, который управляет исполнительным механизмом с регулирующим органом 13 так, что происходит компенсация изменения температуры кристаллического продукта за счет изменения уровня расплава в ванне кристаллизатора.Таким образом, температура кристаллического продукта стабилизируется на заданном значении.Ожидаемый экономический эффект от использования данного способа на одном вальцовом кристаллизаторе в производстве хлорофоса составит 33 тыс. руб. в год, в производстве дифенилолпропана - 42 тыс. руб. в год. 60 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 Формула изобретенияСпособ регулирования процесса кристаллизации в вальцовом кристаллизаторе путем стабилизации уровня расплава в вант.лфъпадттти гцтабиптлэи 3 ълйятттОГЙ 1 дяце:.ния расхода хладоносителя, подаваемого в кристаллизатор для охлаждения вальца, по температуре хладоносителя на выходе на вальце, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью обеспечения максимальной производительности кристаллизатора при заданном качестве кристаллического продукта, уровень расплава в ванне корректируют по температуре кристаллического продукта в .зоне его съема е поверхности вальца. Источники информации, принятые вовнимание при экспертизе: 1. Авторское свидетельство СССР по заявке3946719/26, кл. В 01 Р 9/02, 1973,2. Отчет391-2430 ПЗ Кристаллизатор вальцовый для ДФП. Автоматизация, 10 с. 4 - 6, 1974. Тираж 712 Подписное СССР по делам изобретений и открытий Раушская наб., д. 4/5