Многоустойчивый двухпараметровый элемент

72) Автор изобретения 71) Заявитель Кишиневский дарственныи педагогический ин, И. Крянге 54) МНОГОУСТОЙЧИВЫЙ ДВУХПАРАМЕТРОВЫЭЛЕМЕНТ выводо Изобретение относится к радиоэлектронике и может быть использовано в устройствах автоматики и счетно-вычислительной техники,Известны многоустойчивые двухпараметровые элементы, выполненные на основе резис- . тивного моста, подключенного одной диагональю к источнику постоянного нанрязвния, с накопительным конденсатором в другой диагонали, причем каждый вывод конденсатора через клю. чевой каскад связан с соответствувлцим источником входных сигналов 1 Ц и 2).Общий недостаток двухпараметровых элементов - значительная погрепшость амплитуды выходного напряжения каждого из устойчивых состояний, обусловленная нелинейностью заряда накопительного конденсатора.Наиболее близким техническим решением к изобретению является многоустойчивый двухпараметровый элемент, который, как и данный элемент, выполнен на основе резистивного моста, подключенного одной диагональю к источнику постоянного напряжения, содержащий накопительный конденсатор, подключенный к другой диагонали моста, причем каждый из опительного конденсатора подсоеди.ючевые каскады к общей шине Недостатком указанного элемента являетсяограниченный динамический диапазон устойчи.вых состояний, что связано с погрешностями, вносимыми ключевыми каскадами.Цель изобретения - расширение динамичес.кого диапазона числа устойчивых состояний,Цель достигается тем, что в мостовом двухпараметровом элементе каждый из выводов накопительного конденсатора соединен с коллектором дополнительного транзистора ток%- лнэирующего каскада, эмиттер которого через дозирующий конденсатор подсоединен к выходу источника входного сигнала, при этом ключе.вые каскады выполнены в виде транзисторного эквивалента двухбаэового диода на траизис.торах разного тина проводимости, охваченных коллекторно-базовыми связями, причем пако. пительный конденсатор подключен к диагонали моста через базово-эмиттерные переходы соответствующих транзисторов ключевых каскадов, а токостабилизирующие каскады выполнены3 8 на многоэмиттерных транзисторах, эмиттеры которых через дозирующие конденсаторы подсо единены к соответствующим источникам входных сигналов.На чертеже представлена принципиальная электрическая схема многоустойчивого двухпараметрового элемента.Многоустойчивый двухпараметровьа элемент содержит накопительный конденсатор 1, выво ды которого через ключевые каскады 3 и 4 подсоединены к общей шине питания, а также соединены с коллекторами дополнительных транзисторов 2 и 5, выполняющих роль токостабилизирующих каскадов, эмиттеры которых через дозирующие конденсаторы б и 7 соответствен. но подсоединены к источникам входных сигналов, при этом ключевые каскады 3 и 4 выполнены в виде транзисторных эквивалентов двухбазового диода на транзисторах разного типа проводимости, охваченных коллекторно. базовыми связями, а токостабилизирующие каскады 2 и 5 выполнены на многоэмиттерных транзисторах, эмиттеры которых через дозирующие конденсаторы б и 7 подсоединены к соответствующим источникам входных сигналов, причем все эмиттеры транзисторов 2 и 5 через прямо включенные диоды 8 и 9 соединены с шиной источника питания.Многоустойчивый двухпараметровый элемент работает следующим образом.В исходном состоянии все транзисторы схемы закрыты. При поступлении каждого счетного импульса на левый вход схемы (см, рис. 1) заряженный за предыдущий цикл работы накопительный конденсатор 1 перезаряжается через левый токостабилизирующий транзисторный каскад 2 и открытые транзисторы правого клю. чевого каскада 4. Как только под воздействием и-го счетного импульса напряжение на накопительном конденсаторе досппает величины пороговогонапряжения срабатывания левого ключевого каскада 3, последний срабатывает, транзисторы ключа закрываются, так как к змиттеру транзистора.р - и - р.типа цроводимости прикладывается скачок отрицательного напряжения накопительного конденсатора 1. В таком состоянии схема не реагирует на импульсы, действующие по левому входу, а конденсатор 1 переэаряжается в обратном направлении лишь от воздействия импульсов по входу правого токостабилизирующего каскада 5, Процесс перезаряда накопительного конденсатора 1 в этом направлении продолжается до момента баланса схемы, когда напряжение на накопительном конденсаторе 1 становится равным напряжению срабатывания ключевого каскада 4. 4156Использование многоэмиттерных транзисторовпозволяет расширить логические свойства эле.мента.Высокая линейность выходного напряжениядостигается за счет использования токостабилиэирующих каскадов, поэтому динамическийдиапазон может достигать максимального размаха, т,е, от - Е до +Е, где Е - напряжениеисточника питания.Конденсаторы б и 7 являются ускоряющи.ми, диоды 8 и 9 - разделительными, их присутствие не всегда необходимо,Формула изобретения1, Многоустойчивый двухпараметровый эле.мент, выполненный на основе резистивногомоста, подключенного одной диагональю к источнику постоянного напряжения, содержащий , накопительный конденсатор в другой диагоналимоста, причем каждый из выводов накопитель.ного конденсатора подсоединен через ключевыекаскады к общей шине питания, о т л и ч аю щ и й с я тем, что, с целью расширениядинамического диапазона, каждый из выводовнакопительного конденсатора соединен с коллектором дополнительного транзистора токостабилизирующего каскада, эмиттер которого через 36дозирующий конденсатор подсоединен к выходу источника входного сигнала.2, Устройство по п. 1, о т л и ч, а ю щ ее с я тем, что ключевые каскады выполненыв виде транзисторного эквивалента двухбазового диода на транзисторах разного типа прово димости, охваченных коллекторно-базовымисвязями, при этом накопительный конденсаторподключен к диагонали моста через базовоэмиттерные переходы соответствующих транзисторов ключевых каскадов.4 О3. Устроиство попп. 1 и 2, о т л ч ч а ющ е е с я тем, что токостабилнзирующие каскады выполнены на многозмиттерных транзисторах, эмиттеры которых через дозирующиеконденсаторы подсоединены к соответствующим 4 источникам входных сигналов,ИстОчники информации,принятые во внимание при экспертизе 1, Горн Л. С. и Хазанов Б, И. Транзисторыв радиометрической аппаратуре. Госатомиздат,1961, с. 150.2. Приборы и элементы автоматики и вычислительной техники, инфр. У 15, 1973, с, 14, 55 приортитет 1972 (прототип).884156 7 Казаковош Составитель Техред И,Астап Корректор Н. Стен актор Л. Гратилло одписное Заказ 10256 Проектная,Патент", г. Ужгоро Тираж 991 ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж.35, Раушская наб., д. 4/