Устройство для измерения температуры, преимущественно в магнитных полях

ОП ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Соев СоветскнкСоцнапнстнческннРесттублнк и 870976(51)М. Кл. с присоединением заявки М С 01 К 7/16 Гоеударствснный комитет СССР по делан нзобретенн и вткрытнй(23)Приоритет Опубликовано 07. 10.81Бюллетень М 37 Дата опубликования описания 10. О, 81.(5 З) УДК 536. 53. (088. 8) ИА. И. Чередов, Л. Л. Люзе и В. Г. РыжихтсОмский политехнический институти Омский государственный университет(72) Авторы изобретения(54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ТЕМПЕРАТУРЫ,ПРЕИМУЦЕСТВЕННО В МАГНИТНЫХ ПОЛЯХИзобретение относится к областитермометрии, преимущественно к измерению температуры в сильных магнитныхполях.Известно устройство для измерениятемпературы, содержащее германиевыйтермометр сопротивления, подключенный к блоку регистрации 1,Однако это устройство не обладаеттребуемой точностью измерения из-запогрешности, обусловленной влияниеммагнитного поля,Наиболее близким по техническойсущности к изобретению являетсяустройство для измерения температуры,преимущественно в магнитных полях, со 15держащее полупроводниковый термометр,соединенный последовательно с элементом компенсации влияния магнитногополя, потенциометром, источником нап- .ряжения, и блок цифрового отсчета 2Однако такое устройство не обладает требуемой точностью измерения,так как для получения информации о температуре и цифровом виде требуется наличие дополнительного преобразователя тока в цифровой код, что приводит к существенной погрешности измерения,Целью изобретения является повышение точности измерения,Это достигается тем, что в устройство введен формирователь импульсов, выход которого подключен к входу блокацифрового отсчета, а.вход - к элементукомпенсации, выполненному в виде терморезистора.Термометр выполнен в виде кристала из высокоомного германий электрон.ного типа проводимости.На чертеже изображена схема устройства.Устройство содержит термометр 1,потенциометр 2, источник напряжения 3,элемент компенсации влияния магнитного поля 4, выполненный в виде терморезистора, формирователь импульсов 5 и блокцифрового отсчета 6.Устройство работает следующим образом,Термометр 1, выполненный в видекристалла из высокоомного германия Ю -типа, снабженный с торцов контактами,один из которых является инжектирующим и предназначен для создания инфекции электронно-дырочной плазмы в полупроводнике термометра, помещается вмагнитный зазор и к нему прикладывается электрическое напряжение определенной величины, создаваемое с помощьюпотенциометра.2 и источника напряжения3, в полупроводниковом термометре 1возникают колебания электрического то.ка. С нагрузочного резистора, которымявляется терморезистор 4, снимаютсяколебания напряжения, частота которых равна частоте колебаний тока втермометре 1 и зависит от измеряемойтемпературы. Колебания напряжения стермореэистора 4 .подаются на вход формирователя импульсов 5, с выхода которого импульсы поступают на входблока цифрового отсчета 6.При измерении температуры в магнитном зазоре в нем изменяется величинаиндукции. При этом, так как частотаколебаний тока в кристалле 1 зависитот величины магнитной индукции и величины приложенного к нему напряжения,изменяется частота колебаний напряжения на терморезисторе 4.Частота колебаний тока в кристалле1 увеличивается при увеличении величины магнитной индукции и при увеличенииприложенного к нему напряжения. Длякомпенсации влияния изменения величины индукции при изменении температурыпоследовательно с термометром 1 включен терморезистор 4. Терморезистор 4помещен в магнитный зазор, где измеряется температура, поэтому одновременно с изменением величины индукциипри изменении температуры изменяетсявеличина сопротивления терморезистораИзменение величины сопротивлениятерморезистора 4 приводит к изменению напряжения, приложенного к кристаллу 1Так как терморезистор 1 выполнен так,что его сопротивление уменьшается,если уменьшается величина магнитнойиндукции при изменении температурыи наоборот, величина напряжения накристалле 1 увеличивается в то время,как величина магнитной индукции уменьшается и наоборот. При этом, так как 10 частота колебаний тока в кристалле 1уменьшается при уменьшении величинымагнитной индукции, а при увеличенииприложенного к нему напряжения частота увеличивается, достигается компен сация влияний изменения величины магнитной индукцииФормула изобретения20Устройство для измерения температуры, преимущественно в магнитныхполях, содержащее полупроводниковыйтермометр, соединенный последовательд но с элементом компенсации влияниямагнитного поля, потенциометром, источником напряжения, и блок цифровогоотсчета, отличающееся тем,что, с целью повышения точности измерения, в устройство введен формировательимпульсрв, выход которого подключен квходу блока цифрового отсчета, а входк элементу компенсации, выполненному ввиде терморезистора.2. Устройство для измерения температуры по и. 1, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что термометр выполнен в виде кристалла из высокоомного германия электронного типа проводимости.40Источники информации,принятые во внимание при экспертизе1, Шефтель И. Т. Термореэисторы,М., "Наука", 1973, с. 363.4 2. Авторское свидетельство СССРУ 359542, кл 6 01 К 7/16 0103 71прототип).870976 42 г/1 г Тира 910ВНИИПИ Государственного комитета Спо делам изобретений и открытий13035 Москва ЖРаушсккая набиал ППП ",Патент Заказ оддиР г. Уагород, ул. Проект Сг Составитель А. Терековищ и. П.Т. Ш.И