Пороговое устройство

Союз Советских Социалистических Республик,79 (21) 28 18-2 присоедммеиием заявки йо оеуАЗрствекныв %СССРко Аелви изобретеи открытей Приоритет Опубликов но 300981, еиоллетемь Йо 3) УДК 621. 37433(086.6) а опу мковамия описания 300981 72) Авторымзобретени С.Б, Фроло Н. Скородум 1) Заявите 4) ГОВОЕ УСТРОЙСТ 10 20 Изобретение относится к импул1 ной технике и может найти применв радиоэлектронной аппаратуре ским уровнем потребления энергии отисточников питания.Известно пороговое устройство,содержащее входной транзистор, базаи коллектор которого соединены черезрезисторы с разнополярными шинамиисточника питания, выходной транзистор, подключенный своим коллекторомк шине нулевого потенциала черездва последовательно включенных резистора, общая точка которых соединенас базой дополнительного транзистора, 1резистор связи,подключенный одним своимвыводом к первому электроду разделительного диода, второй электрод которого подключен через резистор к шиненулевого потенциала 1,Однако известное устройство характеризуется недостаточной эффективностью работы, связанной с небольшойкрутизной фронтов формируемого выходного импульса и ее зависимости отвнутреннего сопротивления источникавходных сигналов.Цель изобретения - повышение эффективности работы устройства путемформирования на его выходе импульса 3 с высокой крутизной переднего и заднего Фронтов и устранения влияния величины внутреннего сопротивления источника входного сигнала на условия протекания регенеративного процесса при опрокидывании схеж.Указанная цель достигается тем, что в устройство, содержащее входной транзистор, база и коллектор которого соединены через резисторы с разнополярными шинами источника питания, выходной транзистор, подключенный своим коллектором к шине нулевого потенциала через два последовательно включенных резистора, общая точка которых соединена с базой дополнительного транзистора, резистор связи, подключенный одним своим выводом к первому электроду разделительного диода, второй электрод которого подключен через резистор к шине нулевого поТенциала, введена ВС-цепь, включенная между коллектором входного и коллектором дополнительного транзисторов, выход которой подключен к базе выходчого транзистора, причем эмиттеры входного и выходного транзисторов соединены с соответствующими шинами источника питания, коллектор входного транзис 868696тора подключен к первому электроду разделительного диода, второй электрод которого подключен к эмиттеру дополнительного транзистора, коллектором подключенного к выводу резистора связи, не соединенного с разделительным диодом.На чертеже приведена схема порогового устройства.Пороговое устройство содержит входной транзистор 1, выходной тран- зистор 2, дополнительный транзистор 3, подключенный эмиттером и коллектором к последовательно соединенным разделительному диоду 4 и резистору 5 связи, выводом подключенного к ВС-цепи, выполненной на Форсирующем конденсаторе 6 и резисторе 7, Электроды транзисторов 1-3 подключены к шинам источников питания через резисторы 8-12.Устройство работает сльдукщим образом.В исходном состоянии транзисторы 1-3 и разделительный диод 4 закрыты. Поданный в цепь базы транзистора 1 входной сигнал положительной полярности после превышения порога срабатывания схемы переводит упомянутый транзистор 1 в насыщенное состояние и тем самым производит коммутацию в цепи обратной связи и вызывает запуск схемы. В результате такой коммутации точка соединения разделительного диода 4 и резистора 5 оказывается подключенной к шине нулевого потенциаЛа, благодаря чему диод 4 шунтирует резистор 10, а через резисторы 5 и 7 обеспечивается подача отпиракщего тока в базу транзистора 2. Зарядный ток конденсатора 6 формирует процесс отпирания транзистора 2, коллекторный тон которого, создавая падение напряжения на делителе, образованном резисторами 11 и 12, обусловливает отпирание транзистора 3. В свою очередь, ток коллектора транзистора 3, ограничиваемый лишь резистором 7 и входным сопротивлением открытого транзистора 2, поддерживает процесс отпирания этого транзистора. В схеме развивается регенеративный процесс, она опрокидывается и переходит в состояние,когда все транзисторы схемы открыты и насыщены.,Формула изобретенияПороговое устройство, содержащеевходной транзистор, база и коллектор которого соединены через резисторы 40 с разнополярными шинами источникапитания, выходной транзистор, подключенный своим коллектором с шине нулевого потенциала через два последовательно включенных резистора, 45 общая точка которых соединена с базой Коммутация цепи обратной связи, осуществляемая во время запуска схемы приводит к тому, чтЬ резистор 10 являющийся элементом цепи местноюй отрицательной обратной связи, окаэы" В.-.ется в момент прямого опрокидыва 4. ния схемы зашунтированным диодом . Эмиттерный ток транзистора 3 смещает ра бочун точку диода 4 в прямом напр й равлении, так что глубина местно отрицательной обратной связи на этой стадии работы схемы становитСй; малой. Практически можно считать, чтона стадии опрокидывания транзистор 3включен по схеме с общим змиттером,т,е. оказывается реализованной схема, обеспечивающая максимально возможный коэффициент усиления. Поэтомуи петлевое усиление в общем кольцеобратной связи, а значит и скоростьразвития регенеративного процесса исвязаннаяс ней крутизна Фронтов выходного импульса в устройстве послеего запуска является максимальной.Так как транзистор 1 исключен изобщей петли обратной связи и осуществляет лишь коммутацию цепей, тоскорость развития регенеративного 5 процесса в схеме после превышениявходным сигналом порогового уровнятеперь не зависит от величины выходного сопротивления источника входныхсигналов.О Когда входной сигнал, уменьшаясь,становится меньше порогового уровнясхемы, транзистор 1 выходит из сос-тояния насыщения и вызывает подзапирание транзистора 2, а затем и транзистора 3. Из-за действия положительной обратной связи в схеме развивается регенератывный процесс и она, опрокидываясь, возвращается в исходноесостояние, При этом момент прекращения развития процесса опрокидыванияопределяется моментом запирания диода4, который, тем самым, фиксирует достижение схемой исходного состояния,Это состояние характеризуется тем,что шунтирование резистора 10 диодом З 5 4 прекращается, и каскад, собранныйна транзисторе 3, оказывается охваченный глубокой отрицательной обратнойсвязью. Величина резистора 10 выбрана так, что местная отрицательная 9 связь получается глубже положительной обратной связи, охватывающей всюсхему. Это обеспечивает устойчивостьисходного состояния и исключает воэможность случайного самопроиэвольно го опрокидывания схемы при отсутствии на ее входе сигнала, превышающего порог срабатывания.Таким образом, в предлагаемомпороговом устройстве устранено влияние параметров выходной цепи источни О ка входного сигнала на условия опрокидывания схемы и обеспечйваетсявысокая крутизна фронтов Формируемого импульса./68 Тираж 943ВНИИПИ Государственного комипо делам изобретений и о13035, Москва, Ж, Раушская каэ 8326 Подписноеета СССРрытийнаб., д /5 4 ПП "Патентф, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 илиал Дбполнительного транзистора, резистор связи, подключенный одним своим выводом к первому электроду разделительного диода, второй электрод кото.рого подключен через резистор к шине нулевого потенциала, о т л и - ч а ю щ е е с я тем, что, с целью повьквения эффективности работы устройства путем формирования на его выходе импульса с высокой крутизной переднего и заднего фронтов и устранения влияния величины внутреннего сопротивления источника входного сиг. нала на условия протекания регенеративного процесса при опрокидываниисхеж, введена ЙС-цепь, включенная между коллектором входного и коллектором дополнительного транзисторов,выход которой подключен к базе выходного транзистора, причем змнттерывходного и выходного транзисторовсоединены с соответствукщими шинамиисточника питания, коллектор входноготранзистора подключен к первомуэлектроду разделительного диода,второй электрод которого подключенк эмиттеру дополнительного транзистора, коллектором подключенного к выводу резистора связи, не соединенного с разделительным диодом.Источники информации,принятые во внимание при экспертизе1. Авторское свидетельство СССР15 М 748812, кл. Н 03 К 3/295, 1978