Керамический материал

ОП ИСАНИЕИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТИДВСТВУ в 867906 Со 1 оз СоввтскикСоциалистичвскихРеспубликпо делам изфбретеиик и открытки(54) КЕРАМИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ аИзобретение относится к радиоэлектронной технике и может быть использовано для производства подстроечных конденсаторов, подложек для микросхем и других изделий, требующих повышенного коэффициента линейного расшире-.1 нияз,-20-100 (90-110) 10 и пониженной микропористости с ограниченным размером пор 6 10 мкм, что обеспечивает создание изделий с высокой частотой обработки поверхности, а также малогабаритных, толщиной 0,35-0,05 мм и менее. В настоящее время для изготовления малогабаритных изделий с высокой1 частотой обработки поверхности, как в отечественной промышленности, так и за рубежом используют в основном, корундовую керамику с с 1, 20-100о26 (50-60) ф 1 От, не обеспечивающую в ряде случаев требованиям тохники по коэффициенту термического линейного расширения. Форстеритовую керамику различных марок в отечественном приборостроении применяют для производства достаточно крупногабаритных изделий, таких как, например высоковольтные конденсаторы, некоторые виды оснований резисторов, изоляторов.и др., поэтому вопрос ограничения только внутренней пористости не является определяющим при ее изготовлении.Известен состав форстеритовой ке,рамики на основе окиси магния и двуо киси кремния с минерализующнми добавками 1Однако этот состав не обеспечивает возможность получения керамического материала с низкой температурой и широким интервалом спекания уменьшенной микропористостью и ограниченным размером пор 4 10 мкм, с необходимыми. физическими и диэлектрическими характеристиками, В некоторых случаях они сложны технологи861906 чески, так как в качестве плавнейиспользуют окись свинца,Наиболее близкой по техническойсущности и достигаемому результатук предлагаемой является форстерито-вая керамика 23, содержащая, вес,7.;Окись магния (МсО) 32Тальк Окотский,обожженный при 1200+50 С(3 Мс 10 4 5 О НО) 63Ошарит Индерского месторождения (3 Мс 10 ВО Н 0) 5Этот материал имеет достаточнотрудоемкую технологию: для образования активного силиката магния производят предварительный обжиг талькапри 200+50 С, затем материал,приготовленный согласно приведенноговыше состава, подвергают термообработке в интервале температур 1360 -1400 С для синтеза форстерита, измельочают и используют для оформления изделий.Обжиг керамики осуществляют при1380+20 С, микропористость спеченно- го материала 8-107., размер пор от5-20 до 50 мкм,Цель изобретения - снижение пористости, уменьшение размера пор и упрощение технологии.Поставленная цель достигается тем,что керамический материал, преимущественно для изготовления основанийподстроечных конденсаторов, содержащийокись магния и двуокись кремния,дополнительно содержит пятиокись ванадияи окись иттрия при следующем соотношении компонентов, вес.7.;МсО 55,5-58,05102 39,5-44,0ч,о 0,2-1,0О0,3-1,5Добавка УО способствует низкотемпературному синтезу форстерита иэМсО и 510, а введение УО в предварительно синтезированный форстеритовыйспек-спусканию материала при низкойтемпературе и получению керамики смалой пористостью ,с 67. и ограниченнымразмером пор ь 10 мкм.Состав керамического материала получают следующим образом.Окись магния, двуокись кремния и пятиокись ванадия смешивают мокрым способом в вибрационной или шаровой мельнице, обезвоживают и обжигают при1300+20 С. Спек с добавкой окиси иттрия измельчают до размера 5 мкми менее, после чего его используют. 4для приготовления изделий прессовкой, литьем пленки или методом горячего литья под давЛением.Обжиг изделий проводят при температуре, определяемой в связи с указанным ниже составом.П р и м е р 1 (по минимуму). Содержание форстерита, вес.7:Мс 10(МсСО) 55",5о 44,0УпО 0,2У,О 0,3Синтез форстерита осуществляютпри 1300+20 С, спекание материалапри 1340120 С.Иикропористость спеченной керамики при этом 5-67, размер пор .7,5 мкми менее.П р и,м е р 2 (по максимуму).Содержание форстерита, вес.7:Мс 0(Мс 1 СО) 58,0510 39,5Чд 0 1,0о 1,5Синтез форстерита производится при251300120 фС, спекание керамики при1360+ 20 фС,Иикропористость " 67, размер пор1 О мкм и менее.П р и м е,р 3 (по среднему значению). Содержание форстерита,вес.й;Мс 10 (МсСО) 56,75510 41,(5ЧО 0,600,9035 Обжиг спека производится при1300+20 РС, спекание материала при132020 оС,Иикропористость 67, .размер пор7,5 мкм и менее,"В Предлагаемый материал имеет следующие преимущества; при сохранениивысоких диэлектрических характеристикповышенного коэффициента термическоголинейного расширения материал имеетболее простую технологию (снимаетсяпредварительный обжиг талька) и снижается температура спекания. Крометого, предлагаемая керамика имеетпониженную пористость с ограниченным50 размером пор (не более 10 мкм), чтопозволяет испольэовать ее приизготовлении малогабаритных изделий как,напрмер оснований подстроечных конденсаторов. 55 ФоРмула изобретения Керамический материал, преимущественно для изготовления оснований86 7906 Составитель В; Соколова.Редактор М.Лысогорова ТехредЛ.Пекарь Корректор В.Бутяга Заказ 8233/29 Тираж 663 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Филиал ППП "Патент", .г, Ужгород, ул, Проектная, 4 подстроечных конденсаторов, содер-. жащий ИС 10 и 510 о т л н ч а ющ и й с я. тем, что, с целью снижения пористости н уменьшения размера пор и упрощения технологии, он дополнительно содержит ЧО н УдО при следующем соотношении компонентов, вес.%:ицо 55,5-58,0510 39,5-44,0 6чо, 0,2-1,0УО О, 3-1,5Источни ки информации,принятые во внимание при экспертизе1. Патент Японии У 45-11221,кл. 20 А 25, 1970.2, Богооодицкий И.П и др. Радиокерамика. М.-Л Госэнергоиздат,1963, с. 97"100 (прототип).