Способ получения скрытого электростатического изображения

ОП ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ Сфеэ Сфветскнк Соцнаанстическнк Республик(22) Заявлено 18,01.79 (21) 2716908/28-12 Ф)М Кд О 03 6 13/00 с присоединением эаявки Ио(23) Госудврствеииый комитет СССР ио делам иэобретеиий и открытий(088.8) Дата опубликования описания 2 30981 Б.А.Тазенков, И.Б.Шнейдман, В.В.Враницкий, А.А.Икртичан,Я.Ф.Калантаевский, ВМ.Котов, Е,Е.Ледванов и Р.Х.Самяткин Г Специальное конструкторское бюро элект цфртоГрафических аппаратов ГПО вОргтехникаф(71) Заявитель 154) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СКРЫТОГО ЭЛЕКТРОСТАТИЧЕСКОГО ИЗОБРИКЕНИЯ Изобретение относится к электрографии и может быть использовано в электрофотографических копировально" множительных аппаратах, в которых применяют промежуточные носители изображения-фоторецепторы, содержащие проводящую, подложку, Фотопроводниковый слой и диэлектрический слой.Известен способ формирования скрытого изображения на селеновом фоторецепторе с диэлектрическим сло, ем, включающий зарядку фоторецевтора в отрицательной короне на свету, перезарядку в положительной короне и последующее экспонирование 11.В связи с созданием рельефа изображения, образованного положительным зарядом, этот способ в принципе дает возможность получения биполярного скрытого изображения, который, в отличие от монополярного, имеет более низкий уровень фона и более высокое разрешение.Однако при цнкличной работе аппарата трудно реализовать биполярное изображение из-за накопления положительного заряда на границе между селеновым и диэлектрическим слоями. Кроме. того, при циклической работе уменьшаются чувствительность слоя к 2активному излучению и время тамновойразрядки вследствие накопления положительного заряда на границе межд селеновым слоем и подложкой, что вызывает усталость фоторецептора.Накопление значительного положительного заряда у подложки приводитк образованию локального сильногоэлектрического поля в селеновом слое 0 у подложки, вследствие чего резковозрастает генерация свободных носителей заряда у подложки и возрастает скорость темнового спада положительного заряженного селенового 15 слоя. другим следствием накопленияположительного заряда у подложки является уменьшение фактической разности потенциалов на остальной частиселенового слоя, заряженного до того 20 значения, положительного потенциала.Последнее является причиной резкогоуменьшения чувствительности селено- .вого слоя к сильиопоглощаемым актив,ным лучам.25 Цель изобретения - повышение качества изображения.Поставленная цель достигается тем,что перед зарядкой отрицательным коронным разрядом производят зарядку 3 О носителя положительным коронным разрядом с .одновременной засветкой его слабопоглощаемым актиничным излучением с длиной волны не менее 600 мкм.фоторецептор заряжают в коронном разряде до заданного значения положительного потенциала и одновременно облучают слабопоглощаемым актиничнымсветом. После этого, фоторецептор перезаряжают в коронном:разряде до заданного значения отрицательного . потенциала и одновременно облучают сильнопоглощаемым актиничным светом, потом фоторецептор вновь перезаряжают в темноте до заданного значения . положительного потенциала, а затем экспонируют сильнопоглощаемым актиничным светом. Зарядка,совмещенная во времени с облучением положитель"ного заряжаемого фоторецептора слабопоглощаемым актиничным светом, приводит к рассеиванию положительного объемного заряда у подложки и к снятию усталости селенового слоя. Необходимость использования именно слабопоглощаемого актиничного света продиктована тем, что только слабо- поглощаемый свет способен проникнуть через селеновый слой к подложке. С другой стороны, этот свет сильно поглощается в сравнительно тонкой части селенового слоя у подложки, какраз в зоне образования положительногообъемного заряда. Поглощение света упомянутой тонкой частью селенового слоя у подложки происходит вследствие значительной степени полимериэации селена в этой области.На фиг.1 показана схема распределения зарядов и потенциалов в фото- рецепторе при зарядке с одновремен.ным освещением слабопоглощаемым светом (1 стадия);на фиг.2 - схема распределения зарядов и потенциалов в фоторецепторе при перезарядке с одновременным освещением сильнопоглошаемым светом (2 стадия); на фиг.З схема распределения зарядов и потенциалов в фоторецепторе при зарядке в темноте (3 стадия); на фиг.4 схема распределения зарядов и потенциалов в фоторецепторе при экспонировании в сильнопоглощаемом свете (4 стадия).Электрофотографический носитель(фиг,1) состоит из алюминиевой подложки 1 с последовательно нанесенными на нее селеновыгл слоем 2 и диэлектрической пленкой 3. Селеновый стеклообразный слой 2 на границе с подложкой содержит высокополимерную прослойку 4.Распределение потенциалов селенового 2 и диэлектрического 3 слоев фоторецептора после первой стадии зарядки до потенциала 2500 В при одновременном облучении слабопоглощаемым (кранным) актиничным светом с длиной волны 660-800 нм показано на первой стадии. Время первой стадии около 0,7 с. Красный свет непоглощается в аморфном слое и практически полностью поглощается лишьв прослойке 4. Поглощение красногосвета в прослойке 4 сопровождаетсягенерацией положительных и отрицательных свободных носителей заряда,что обеспечивает зарядку диэлектрического слоя за короткое время и рассасывание положительного объемногозаряда на границе аморфного селена свысокополимерным селеном.На второй стадии показано распределение зарядов и потенциалов послевторой стадии отрицательной зарядкидоВ при одновременном облучении15 сильнопоглощаемым актиничным светомс длиной волны 380-500 нм. На этойстадии не происходит накопление положительного ббъемного заряда вблизипрослойки 4.щ В верхней части селенового слояпри облучении сильнопоглощаемым светом у границы селена с диэлектрическим слоем происходит генерация носителей и под действием электрического поля электроны инжектируются через слой к подложке и на границескапливаются положительные заряды,нейтралнзующие отрицательный заряддиэлектрического слоя,На третьей стадии (фиг.З) осуществляется перезарядка фоторецептора втемноте до потенциала +50 ОВ. Приэтом слой за счет положительныхзарядов на границе диэлектрик-селенприобретает потенциал относительно35 подложки равный +2500 В. Положительные заряды на границе уравновешиваются частично за счет отрицательныхзарядов на диэлектрике. Так как темновой спад потенциалов в селеновом40 слое мал, то вблизи полимерной "прослойки еще нет объемного заряда.На четвертой стадии экспонированные участки соответствуют .энергии освещения порядка 107 Дж/см, а темные4 участки освещались в 5-6 раз слабее.В результате формируется монополярный потенциальный рельеф 800 В на. селеновом слое и результирующий биполярный рельеф от -300 до 300 В на внешней поверхности диэлектрика.Использование предлагаемого спосо"ба получения скрытого иэображения нафоторецепторе с диэлектрическим слоемобеспечивает, по сравнению с известным способом, стабильное биполярноеИ скрытое электростатическое изображение с малым уровнем фона и высокимразрешением нри длительной работеаппарата.формула изобретенияСпособ получения скрытого электростатического изображения на селеновом носителе с диэлектрическим по8 бб 531фигЗ Ч Составитель В.АксеновГ.Волкова Техред И.Астолош Корректор Л.Бокш еда каэ 8075/70 Тираж 509 ВНИИПИ Государственног по делам изобретений 113035, Москва, Ж, Раушисное Пота ССтий коми отк ская д4/ аб илиал ППП,"Патентф, г.ужгород, ул.Проектная,4 крытием, включающий зарядку носителя отрицательным коронным разрядом .с одновременной засветкой его поверхности актиничным излучением, переза- ,рядку носителя в темноте положительным коронным разрядом и экспонирование, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения качества изображения, перед зарядкой отрицательным коронным разрядом производят зарядку носителя положительным коронным разрядом с одновременной засветкой его слабопоглощаеиюм актиничным излучением с длиной волны не менее 600 мкм.Источники информации; принятые,во внимание при экспертизв1. ИаЬаюцга К. 1 ЕЕЕ Тгапв оп Еесйг. Оем. Ч; Е 0-19, Р 4, 1972, с.405.