Способ получения скрытого электростатического изображения
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
ОП ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ Сфеэ Сфветскнк Соцнаанстическнк Республик(22) Заявлено 18,01.79 (21) 2716908/28-12 Ф)М Кд О 03 6 13/00 с присоединением эаявки Ио(23) Госудврствеииый комитет СССР ио делам иэобретеиий и открытий(088.8) Дата опубликования описания 2 30981 Б.А.Тазенков, И.Б.Шнейдман, В.В.Враницкий, А.А.Икртичан,Я.Ф.Калантаевский, ВМ.Котов, Е,Е.Ледванов и Р.Х.Самяткин Г Специальное конструкторское бюро элект цфртоГрафических аппаратов ГПО вОргтехникаф(71) Заявитель 154) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СКРЫТОГО ЭЛЕКТРОСТАТИЧЕСКОГО ИЗОБРИКЕНИЯ Изобретение относится к электрографии и может быть использовано в электрофотографических копировально" множительных аппаратах, в которых применяют промежуточные носители изображения-фоторецепторы, содержащие проводящую, подложку, Фотопроводниковый слой и диэлектрический слой.Известен способ формирования скрытого изображения на селеновом фоторецепторе с диэлектрическим сло, ем, включающий зарядку фоторецевтора в отрицательной короне на свету, перезарядку в положительной короне и последующее экспонирование 11.В связи с созданием рельефа изображения, образованного положительным зарядом, этот способ в принципе дает возможность получения биполярного скрытого изображения, который, в отличие от монополярного, имеет более низкий уровень фона и более высокое разрешение.Однако при цнкличной работе аппарата трудно реализовать биполярное изображение из-за накопления положительного заряда на границе между селеновым и диэлектрическим слоями. Кроме. того, при циклической работе уменьшаются чувствительность слоя к 2активному излучению и время тамновойразрядки вследствие накопления положительного заряда на границе межд селеновым слоем и подложкой, что вызывает усталость фоторецептора.Накопление значительного положительного заряда у подложки приводитк образованию локального сильногоэлектрического поля в селеновом слое 0 у подложки, вследствие чего резковозрастает генерация свободных носителей заряда у подложки и возрастает скорость темнового спада положительного заряженного селенового 15 слоя. другим следствием накопленияположительного заряда у подложки является уменьшение фактической разности потенциалов на остальной частиселенового слоя, заряженного до того 20 значения, положительного потенциала.Последнее является причиной резкогоуменьшения чувствительности селено- .вого слоя к сильиопоглощаемым актив,ным лучам.25 Цель изобретения - повышение качества изображения.Поставленная цель достигается тем,что перед зарядкой отрицательным коронным разрядом производят зарядку 3 О носителя положительным коронным разрядом с .одновременной засветкой его слабопоглощаемым актиничным излучением с длиной волны не менее 600 мкм.фоторецептор заряжают в коронном разряде до заданного значения положительного потенциала и одновременно облучают слабопоглощаемым актиничнымсветом. После этого, фоторецептор перезаряжают в коронном:разряде до заданного значения отрицательного . потенциала и одновременно облучают сильнопоглощаемым актиничным светом, потом фоторецептор вновь перезаряжают в темноте до заданного значения . положительного потенциала, а затем экспонируют сильнопоглощаемым актиничным светом. Зарядка,совмещенная во времени с облучением положитель"ного заряжаемого фоторецептора слабопоглощаемым актиничным светом, приводит к рассеиванию положительного объемного заряда у подложки и к снятию усталости селенового слоя. Необходимость использования именно слабопоглощаемого актиничного света продиктована тем, что только слабо- поглощаемый свет способен проникнуть через селеновый слой к подложке. С другой стороны, этот свет сильно поглощается в сравнительно тонкой части селенового слоя у подложки, какраз в зоне образования положительногообъемного заряда. Поглощение света упомянутой тонкой частью селенового слоя у подложки происходит вследствие значительной степени полимериэации селена в этой области.На фиг.1 показана схема распределения зарядов и потенциалов в фото- рецепторе при зарядке с одновремен.ным освещением слабопоглощаемым светом (1 стадия);на фиг.2 - схема распределения зарядов и потенциалов в фоторецепторе при перезарядке с одновременным освещением сильнопоглошаемым светом (2 стадия); на фиг.З схема распределения зарядов и потенциалов в фоторецепторе при зарядке в темноте (3 стадия); на фиг.4 схема распределения зарядов и потенциалов в фоторецепторе при экспонировании в сильнопоглощаемом свете (4 стадия).Электрофотографический носитель(фиг,1) состоит из алюминиевой подложки 1 с последовательно нанесенными на нее селеновыгл слоем 2 и диэлектрической пленкой 3. Селеновый стеклообразный слой 2 на границе с подложкой содержит высокополимерную прослойку 4.Распределение потенциалов селенового 2 и диэлектрического 3 слоев фоторецептора после первой стадии зарядки до потенциала 2500 В при одновременном облучении слабопоглощаемым (кранным) актиничным светом с длиной волны 660-800 нм показано на первой стадии. Время первой стадии около 0,7 с. Красный свет непоглощается в аморфном слое и практически полностью поглощается лишьв прослойке 4. Поглощение красногосвета в прослойке 4 сопровождаетсягенерацией положительных и отрицательных свободных носителей заряда,что обеспечивает зарядку диэлектрического слоя за короткое время и рассасывание положительного объемногозаряда на границе аморфного селена свысокополимерным селеном.На второй стадии показано распределение зарядов и потенциалов послевторой стадии отрицательной зарядкидоВ при одновременном облучении15 сильнопоглощаемым актиничным светомс длиной волны 380-500 нм. На этойстадии не происходит накопление положительного ббъемного заряда вблизипрослойки 4.щ В верхней части селенового слояпри облучении сильнопоглощаемым светом у границы селена с диэлектрическим слоем происходит генерация носителей и под действием электрического поля электроны инжектируются через слой к подложке и на границескапливаются положительные заряды,нейтралнзующие отрицательный заряддиэлектрического слоя,На третьей стадии (фиг.З) осуществляется перезарядка фоторецептора втемноте до потенциала +50 ОВ. Приэтом слой за счет положительныхзарядов на границе диэлектрик-селенприобретает потенциал относительно35 подложки равный +2500 В. Положительные заряды на границе уравновешиваются частично за счет отрицательныхзарядов на диэлектрике. Так как темновой спад потенциалов в селеновом40 слое мал, то вблизи полимерной "прослойки еще нет объемного заряда.На четвертой стадии экспонированные участки соответствуют .энергии освещения порядка 107 Дж/см, а темные4 участки освещались в 5-6 раз слабее.В результате формируется монополярный потенциальный рельеф 800 В на. селеновом слое и результирующий биполярный рельеф от -300 до 300 В на внешней поверхности диэлектрика.Использование предлагаемого спосо"ба получения скрытого иэображения нафоторецепторе с диэлектрическим слоемобеспечивает, по сравнению с известным способом, стабильное биполярноеИ скрытое электростатическое изображение с малым уровнем фона и высокимразрешением нри длительной работеаппарата.формула изобретенияСпособ получения скрытого электростатического изображения на селеновом носителе с диэлектрическим по8 бб 531фигЗ Ч Составитель В.АксеновГ.Волкова Техред И.Астолош Корректор Л.Бокш еда каэ 8075/70 Тираж 509 ВНИИПИ Государственног по делам изобретений 113035, Москва, Ж, Раушисное Пота ССтий коми отк ская д4/ аб илиал ППП,"Патентф, г.ужгород, ул.Проектная,4 крытием, включающий зарядку носителя отрицательным коронным разрядом .с одновременной засветкой его поверхности актиничным излучением, переза- ,рядку носителя в темноте положительным коронным разрядом и экспонирование, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения качества изображения, перед зарядкой отрицательным коронным разрядом производят зарядку носителя положительным коронным разрядом с одновременной засветкой его слабопоглощаеиюм актиничным излучением с длиной волны не менее 600 мкм.Источники информации; принятые,во внимание при экспертизв1. ИаЬаюцга К. 1 ЕЕЕ Тгапв оп Еесйг. Оем. Ч; Е 0-19, Р 4, 1972, с.405.
СмотретьЗаявка
2716908, 18.01.1979
СПЕЦИАЛИЗИРОВАННОЕ КОНСТРУКТОРСКОЕ БЮРО ЭЛЕКТРОФОТОГРАФИЧЕСКИХ АППАРАТОВ ГПО "ОРГТЕХНИКА"
ТАЗЕНКОВ БОРИС АФАНАСЬЕВИЧ, ШНЕЙДМАН ИСААК БОРИСОВИЧ, БРАНИЦКИЙ ВИКТОР ВЛАДИСЛАВОВИЧ, МКРТИЧАН АЛЬБЕРТ АНДРЯСОВИЧ, КАЛАНТАЕВСКИЙ ЯКОВ ФЕДОРОВИЧ, КОТОВ ВЛАДИСЛАВ МИХАЙЛОВИЧ, ЛЕДВАНОВ ЕВГЕНИЙ ЕГОРОВИЧ, САМЯТКИН РАВИЛЬ ХИКМАТОВИЧ
МПК / Метки
МПК: G03G 13/00
Метки: изображения, скрытого, электростатического
Опубликовано: 23.09.1981
Код ссылки
<a href="https://patents.su/3-866531-sposob-polucheniya-skrytogo-ehlektrostaticheskogo-izobrazheniya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ получения скрытого электростатического изображения</a>
Предыдущий патент: Электронно-оптическое устройство для скоростной фотографии
Следующий патент: Электрофотографический аппарат
Случайный патент: Устройство для измерения диаметров и высот деталей типа дисков