Устройство для моделирования транзистора
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
О П И С А Н И Е 1111 574729ИЗОБРЕТЕНИЯ Союз Советских Социалистических Реслублик(21) 2313002, 18-2заявкиосударствеииык комитет овета Министров СССР УД 1 г 081 33308 юллетець36 о делам изоорет и открытий описания 18,10. Авторыизобретени орелов и Ю. П. Разува" В. П, П сомольский-нуре политехническчй институт аявител ОДЕЛИРОВАНИт ТРАНЗИСТО 54) УСТРОЙСТВО Д 2 к вычислительнои ользовано для мопей, содержащих яет собратной 8 одно- олупродом и т точкеопера. Делидиод 6, одникодиодный ю цепь Изобретение относитсятехнике и может быть испделирования и расчета цетранзисторы.Известно устройство для моделированиятранзистора 1 Ц, содержащее источники напряжения, усилители-ограничители, делитель напряжения, элемент односторонне; проводимостии.Недостатками устройства являются его ограниченные функциональные возмокности и слокность.Известно также наиболее близкое по технической сущности к изобретению устройство 121, содеркащее источники напрякения, усилитель-ограничитель, сумматор, делитель напряжения и разделительные диоды.Однако такое устройство имеет ограниченные функциональные возможности.Цель изобретения - расширение функциональных возмокностей устройства за счет моделирования зависимостей напряжения эмиттер - коллектор транзистора от тока коллектора.Для этого в предлагаемом устройстве выходпервого источника напряжения через усилитель-ограничитель подключен к первому входу делителя напряжения, второй вход которого соединен с выходом второго источника напряжения, подключенного непосредственно и через первый разделительный диод к входам сумматора, од и цз входов которого через второй раздслцтельный диод соединен со средней точкой делителя напряжения.5 Схема устройства показана цд чсртсже.Устройство содержит источники 1 ц 2 напряжсцця, усилитель-ограццчцтсль 3, сумматор 4, делитель 5 нацрякения и рдздслнтсль - цье диоды 6 ц 7. Напряжение 1/1 на выходе 10 источника 1 пропорционально току базы готранзистора, а напряжение Уз ца выходе источника 2 пропорционально току коллектора г,;. 11 дцряжецце СУз, пропорциональное напрякенцю К)к между эмцттером и коллектором 15 транзистора, вырабатывается ца выходе сумматора 4 с оордтцым знаком. Усилитель-ограццчцтель 3 представлбой операгцюццый усилитель, в цепи о20 связи которого содержится элементсторонней проводимости, например пводниковый днол, подключенный ановыходу, а катодом - к суммирующеусилителя. Сумматор 4 выполнен ца25 ционном усилителе и имеет двд входатель 5 напряжения п разделительныйвыполненный, например, на полупроввом диоде, образуют трехполюсныйэлемент, который включен во додц30 сумматора 4.)Ра)к 8 Типографи пуиова,Устройство работает следу)ощим образом, При подаче па вход сумматора 4 от источника 2 папрякения О положительной полярности, пропорционального коллекторному току 1) транзистора, на выходе сумматора 4 вырабатывается напряжение У пропорциональ- ПОЕ НЯПРЯЖЕППО Ь,)п МЕЖДУ ЭМИТТЕРОМ И КОЛ- лектором, по с обратным знаком. Значение напря)кения С/в зависит от величины управляющего напряжения Е/1, пропорционального току базы 1 п транзистора, которое подается па вход усилителя-ограпичителя 3 от источника 1. Гри неизменном значении напряжения 1/1, соответству)ощем некоторому постоянному значению тока базы транзистора, например /о устройсгво воспроизводит нелинейную зависимость Г/э=11(У,), которая соответствует лишь одной ветви семейства коллекторных ВОЛЬТ-аМПЕРНЫХ ХаРаКтЕРИСтИК Уаи -- 11(К) ДЛЯ тока /о,. Эта зависимость имеет два характерных участка: первый начальный участок, идущий под небольшим углом к оси абсцисс, и второй участок, идущий под углом около 90 к оси абсцисс, - соединяющиеся в точке перегиба. Гервый начальный участок можно назвать участком насыщения, так как он соответствует режиму насыщения транзистора, а второй более кр гой участок - участком активного режима в связи с тем, что он соответствует активному режиму работы транзистора.С увеличением напряжения Е/ от нуля изображающая точка сначала движется по первому участку еви вправо от начала координат п достигает точки перегиба. При работе на псрвом участке в устройстве работают только входной резистор 9 и усилитель с резистором 10 в цепи обратноп связи. Как только напряжение Е/, достигнет значепп 51, соотвстствуюп 1 его точке перегиба, происходит отпирание разделительного диода и на чипается формирование второго участка ста 5 тпческой характеристики.Предло)женос устройство более простое ипозволяет решать более широкий класс зада:1 по сравнению с пзвестнымп. Ф О ) м У . 1 1 1, 1 о ( ) Р е т е 11 1 5Устройство для моделирования транзистора, содержащее источники напряжения, усп лптель-ограничитель, сумматор,слитель напряжения и разделительные диоды, о т л и ч аю щ е с с я тем, что, с целью расширения функциональных возможностей устройства за счет моделирования зависимостей напряжения 20 эмиттер - коллектор транзистора от токаколлектора, в пем выход первого источника напряжения через усилитель-ограничитель подключен к первому входу делителя напряжения, второй вход которого соединен с выхо дом второго источника напряжения, подключенного непосредственно и через первый раз;1 елительный диод к входам сумматора, один пз входов которого через второй разделительный диод соединен со средней точкой дели теля напряжения,Исто ияки ппформации,принятые во внимание при экспертизе 1. Авторское свидетельство СССР Л" 203953,35 кл. Г. 06 С 7/48, 1967. 2. Авторское свидетельство СССР Ув 485470,кл. С 066 7/62, 1975.
СмотретьЗаявка
2133002, 14.01.1976
КОМСОМОЛЬСКИЙ-НА-АМУРЕ ПОЛИТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ
ПОГОРЕЛОВ ВЛАДИМИР ПАВЛОВИЧ, РАЗУВАЕВ ЮРИЙ ПЕТРОВИЧ
МПК / Метки
МПК: G06G 7/48
Метки: моделирования, транзистора
Опубликовано: 30.09.1977
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-574729-ustrojjstvo-dlya-modelirovaniya-tranzistora.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Устройство для моделирования транзистора</a>
Предыдущий патент: Квадратор
Следующий патент: Устройство для моделирования катодной защиты
Случайный патент: Способ обеспечения соосности индентора и вершины криволинейной поверхности испытуемого изделия при измерении твердости