Аналоговое запоминающее устройство

Цель изобретения - увеличение быстроцействия устройства.Поставленная цель достигается тем, что в аналоговое запоминающее устройство, содержащее накопительный элемент, например конгГенсатор-, одна обкладка которого соединена с шиной нулевого потенциала, операционный усилитель, охваченный по инвертирующему входу обратной связью, выход операционного усилителя под ключен к выходу устройства, последовательно соединенные первый и второй ключи, формирователь, вход которого соединен с шиной управления и управляющими входами ключей, сигнальный вход первого ключа подсоединен ко входу устройства, выход второго ключа соединен с неинвертирующим входом операционного усилителя и другой обкладкой конденсатора, и третий ключ, управляющий вход третьего ключа соединен с выходом формирователя, сигнальный вход третьего ключа подсоединен к выходу первого ключа, а выход третьего ключа соединен с инвертирующим55 вхоцом операционного усилителя. На чертеже представлена функциональная схема предлагаемого устройства.Устройство содержит первый и второй ключи 1 и 2, накопительный элемент, например конденсатор 3, операционный усилитель 4, формирователь 5, третий ключ б, шину 7 нуле 60, 65 момент подачи управляющего импульсаФормируется напряжение, равное"оп+ "сгде О- напряжение, Формируемоеопорным элементом; 0 - напряжениесигнала.С учетом того, что известные устройства сдвига уровня (опорный элемент)имеют низкий коэффициент использования напряжения по сравнению с транзисторными ключами, для питанияопорного элемента (с учетом потерь)требуется повышенное напряжениепитания. Это в некоторых случаяхограничивает сферу применения устройства нли требует уменьшения диапазона запоминающих напряжений, Кроме 15того, подача управляющего напряжения,на затвор второго полевого транзистора чсроэ цепь формировательтрепы полевой транзистор - опорныйэлемент, обладающие ограниченным 20быстро:;ействиегл, приводит к снижениюбыстродействия всего устройствав целогл. При этом подключение в точку соединения первого н второго полевого транзистора ниэкоомного выхода операционного усилителя повышаетггадепие напряжения на канале поленого транзистора и снижает точностьзапоглинания,вого потенциала и шину 8 управления. Ключи 1, 2 и б выполнены на полевых транзисторах.Устройство работает следующим образом.Входной сигнал поступает со входа устройства на вход первого ключа 1. При поступлении импульса с шины 8 управления на входы ключей 1 и 2 они открываются, и сигнал со входа устройства поступает на конденсатор 3 и на инвертирующий вход операционного усилителя 4. Одновременно управляющий сигнал, пройдя через Формирователь 5, инвертируется и запирает ключ б, отключая выход операционного усилителя 4 от точки соединения ключей 1 и 2. Таким образом, сопротивление ключей 1 и 2 (каналов транзисторов, в режиме записи) включено последовательно с высоким входным сопротивлением операционного усилителя 4 по неинвертирующему входу, и падение напряжения на сопротивлении ключей 1 и 2 минимально. В результате снижается погрешность запоминания. Так как сигнал управления на управляющем входе ключа подается непосредственно, то исключаются задержки на промежуточных цепях и возрастает быстродействие устройства.Иалая нелинейность устройства запоминания достигается следующим образом: на конденсатор 3 наводится паразитная помеха, обусловленная проникновением сигнала управления через емкость ключей 1, 2 и б (затвор-канал транзисторов) . Помеха от ключа б имеет противоположный знак, так как он управляется инверсным напряжением. В результате помехи на конденсаторе 3 складываются в противофазе и взаимно уничтожаются (полностью или частично), В результате уменьшается нелинейность устройства.После окончания действия управляющего импульса ключи 1 и 2 закрываются, а ключ б открывается. На точку соединения ключей 1 и 2 подается потенциал, близкий к потенциалу на запоминающей емкости ключа 2, В результате ток утечки транзистора ключа 2 в закрытом состоянии близок к нулю, так как ток утечки определяется разностью потенциалов сток- исток, годеленной на сопротивление канала. Время разряда конденсатора 3 получается большим, и возрастает время хранения величины записанного сигнала.Использование нового элемента - ключа б, выполненного на полевом транзисторе, введенного в цепь обратной связи, позволяет получить высокое быстродействие, большое время хранения и меньшую погрешность по сравнению с йзвестным.830582 На базе предлагаемого устройства возможно создание более высокоскоростных и точных устройств выборки запоминания, применяющихся в различных радиотехнических приборах. Аналоговое запоминающее устройство, содержащее накопительный элемент, например конденсатор, одна обкладка которого соединена с шиной нулевого потенциала, операционный усилитель, охваченный по инвертирующему входу обратной связью, выход операционного усилителя подключен к выходу устройства, последовательно соединенные первый и второй ключи, формирователь, вход которого соединен с шиной управления и управляющими 15 оставительдровинТехред А. Бабинец КорректорН. едактор И. Цытки а Заказ 3507/ Тираж 6 НИИПИ Госуда по делам и 035, Москва, П "Пат илиал г. Ужгород, ул.Проект Формула изобретения входами ключей, сигнальный вход первого ключа подсоединен ко входу устройства, выход второго ключа соединен с неинвертирующим входом операционного усилителя и другой обкладкой конденсатора, и третий ключ,о т л и ч а ю щ е е с я тем, что,с целью повышения быстродействияустройства, в нем управляющий входтретьего ключа соединен с выходомформирователя, сигнальный вход третьего ключа подсоединен к выходупервого ключа, а выход третьего ключа соединен с инвертирующим входомоперационного усилителя.Источники информации,принятые во внимание при экспертизе1. Приборы и техника эксперимента, 1976, У 3, с. 90-91,2. Авторское свидетельство СССРВ 545008, кл, 6 11 С 27/00, 1976.(прототип). 5 Подписноественного комитета СССРобретений и открытийБ, Раушская наб., д. 4/