Способ определения концентрации микрочастиц в фоторезистах
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 803637
Авторы: Дубова, Жалковская, Олейник, Хайруллина
Текст
ьоюз ьовбГбННХЗО 3637 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ СоциапистичесйИХ Республик(23) Приоритет -СССР по делам изобретений и открытий(72) Авторы изобретения Ордена Трудового Красного Знамени институт физики АН Белорусской ССР(54) СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ КОНЦЕНТРАЦИИ МИКРОЧАСТИЦ В ФОТОРЕЗИСТАХ1Изобретение относится и полупроводниковой текнике и может бьть использовано для контроля качества фоторезистиьвнык материалов, применяемык при изготовлении полупроводниковык приборов.Известен способ для контроля стспсни очистки фоторезистон, основанныи 11 а нанесении на окисленную кремниевую подложку фотсрезиста, проведении процесса фоголитографии при исключении операции экс. поыирования, по 1 мещении подложки в контактное у 1 стройство фотослоем ввсрк, паложении на подложку фотобумаги, смоченной дистиллированной водой, подаче напряжения в течение определенного врсмса 1 и, проявлении фотобумаги, закреплешш, промывании, сушке 11.В этом способе подсчитывают кол,иьсство отпечатков проколов в слое фоторезиста.Недостатками этого способа являются низкая точность (30 О), а такькс иизка 51 экспрессность.Известен также способ определения концентрации микрочасгиц в фоторсзистак, оснонаивный на освещении кьоветы с фоторезистом коллимированным излучением и измеренни потока излучения, прошедшего через кювету с фоторезистом 21,Недостатком этого способа является низкая экспрессность, так как измерения иеоб. 2кодимо производить в 25 - 30 точкак с последующей обэаботко данныи иа ЭВМ, начто потребуется 15 - 20 мип.Цельо изобретения является повышение5 точ;ости и экспрсссиости.Поставленная цель достигается тем, чтов извсстном способе опоедсления концентрации микрочастиц в фоторсэистак, основанном иа освещении кюветы с фоторезистом10 коллимирсванным излучением и измере 1 гиипотока излучения, прошедшего через кювету с фоторезистом, измеряют поток излучения, рассеянный в иатьравлении 40,5 С отоси прямопрошедшего потока в телесном уг 15 лс 0,01 о=0,005 стсрадиаи, и ио отношсшио рассеянного и прямопрошсдшего потоков определяют концентрацию микрочастиц,На чертеже представлен градуировочныйграфик зависимости отношения потоков из 20 лучеия рассеянного в направлении у=4 втелесном угле Ле = 0,015 стерадиан и пря(У)моирошсд 1 исго через фоторезист в зависимости от концеь 1 грации микрочастиц в25 фоторезпсте ХВыбор направления наблюдения рассеянного излучения в интергале у =4+ О,Г ив телесном угле Лсо -0,015 в0,005 стерадианобусловлен тем, что для у)4" и м 0,0075ЗО стерадиап нс прослеживается корреляция=- 0,4, т. с. 312 п 1 тс,1 но Выше,П р и м ср. Г)оторсзпт, рдзл:пы:, ирок помсПдк)т в кювы,О,пцпид ло ф:10 рсзист(1 в кО)сс 1 ), с 3 ндо Г (,)о Гор(Зист 1331 чснисм 1)13 срд , 11 36 - ( сПно.волны ,=б 32,3 нм и раско пмо(.Г,о 2,ПЗ:)СРЯ 0 ПОГОНИ НР 5 МОПРОН О ЧСР 3фоторсзист излучения 1)(0) н рассяниог )Р( в П 2 пр 2 в;1 снин " 3 1 лсном ) )1(0,015 радиан, По от ошснию потоков 1)Р(0) из градуировочного графика о: рд:ЯО г конЦснтрапию де Пи 13 (1 ОорсЗ 1Х(3. При построении грд;унро 3но рдфика ЗИ 2 чснн 51 кони сит) Пни опр,Г 51, ипо известному спосоо)., 1)151 дтоо ПЗм(р -Заказ 128 Изд 6 114 НИИПИ Государств по делам изобре 3035, Москва, Ж, Тираж 88енного комитета СССтений и открытийРаушская наб., д. 4/5 одписно Загорская типография Упрполиграфиздага Мособлисполкома ФПФПФП.Р 11.7 Ф П -11 1.7 ФПФП33 1 О 2,2 10 о 1,7 10 2,1 1 Оц 2.7 10 2,4 1 О
СмотретьЗаявка
2787964, 27.06.1979
ОРДЕНА ТРУДОВОГО КРАСНОГО ЗНАМЕНИ ИНСТИТУТ ФИЗИКИ АН БССР
ДУБОВА Г. С, ОЛЕЙНИК Т. В, ХАЙРУЛЛИНА А. Я, ЖАЛКОВСКАЯ Л. З
МПК / Метки
МПК: G01N 21/00
Метки: концентрации, микрочастиц, фоторезистах
Опубликовано: 23.02.1982
Код ссылки
<a href="https://patents.su/3-803637-sposob-opredeleniya-koncentracii-mikrochastic-v-fotorezistakh.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ определения концентрации микрочастиц в фоторезистах</a>
Устройство для имитации магнитных потоков рассеяния дефектов
Номер патента: 1508137
Опубликовано: 15.09.1989
МПК: G01N 27/82
Метки: дефектов, имитации, магнитных, потоков, рассеяния
...с я тем, что стенкиканалов выполнены с реэьбовой нарезкой, пары токовводов выполнены в виде коаксиальных цилиндров, а концытоковводов для взаимодействия состенками имеют Фланцы с нарезкой набоковой поверхности, ответной нарезке стенок,нова Корректор М.Шароши Заказ 5535/47 Тираж 789 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Производственно-издательский комбинат "Патент", г.ужгород, ул. Гагарина,101 3 1508137Изобретение отпосится к контроль, но-измерительной технике и может бытьиспользовано при проектировании инастройке средств электромагнитнойдефектоскопии в качестве имитаторадефектов в ферромагнитных средах,Цель изобретения - расширение ди,апазона...
Электромашинный усилитель поперечного поля
Номер патента: 253906
Опубликовано: 01.01.1969
МПК: H02K 23/20, H02K 3/20
Метки: поля, поперечного, усилитель, электромашинный
...обмотку на дне па ними размещать ферромагнитный ш Однако при этом полностью не влияние на обмотки управления продольной оси усилителя.15 и усилитель с целью действия снабжен доп размещенной между и компенсационной овательно с компенсповьннелни гель- обмотка- и соеди- ационной ная оомотка для повышения ееможет быть расположена на м сердечнике,Предлагаемь ния его быстро ной обмоткой,ми управления ненной послед обмоткой. Дополнитель эффективности ферромагнитноНа чертеже схематично представлен большой паз статора предложенного электромашинного усилителя,В большом пазу 1 статора 2 электромашинпого усилителя между обмоткой 3 управления и компенсационной обмоткой 4 расположена дополнительная обмотка 5. Для повышения эффективности...
356813
Номер патента: 356813
Опубликовано: 01.01.1972
Авторы: Карасев, Макаров, Чков
МПК: H04M 3/18
Метки: 356813
...абонента 7 с абонентом 8ток, питающий микрофоны телефонных аппаратов, протекает по цепям:10 а) цепь абонента 7 - плюс источника напряжения, обмотка 1 дросселя, провод 9, телефонный аппарат абонента 7, провод 10, обмотка 2 дросселя и минус источника напряжения;15 б) цепь абонента 8 - плюс источника напряжения, обмотка 8 дросселя, провод 11, телефонный аппарат абонента 8, провод 12, обмотка 4 дросселя и минус источника напряжепня.20 Обмотки соединены так, что ток, питающиймикрофон телефонного аппарата абонента 7, протекает по обмоткам 1 и 2 от начала к концу, а ток, питающий микрофон телефонного атпарата абонента 8, протекает по обмоткам 25 8 и 4 от конца к началу.Магнитные потоки, наведенные токами питания микрофонов, направлены...
Индукционный аппарат
Номер патента: 603006
Опубликовано: 15.04.1978
Автор: Макаров
МПК: H01F 27/30
Метки: аппарат, индукционный
...намотки внутренней обмотки, а направление изгиба пластин наружного кольца противоположно направлению изгиба пластин внутреннего кольца.На фиг, 1 показан двухобмогечный транс р форматор в плане, выполненный в соответсч. вии с изобретением; на фиг. 2 - направление поперечных потоков в кольце, вызванных потоком рассеяния Ф обмоток и потоками намагничивания г отводовэ 1 биИндукционный аппарат содержит магиитоировод 1, наружную обмотку 2 высокого напрюьенияе внутреннюю обмотку 3 низкого напряжения с отводами 4 и 5 для вы вода концов обмотки наружу и эвольвент- Ы ные прессующие кольца б и 7, установленные соответственно на торцах наружной и внутренней обмоток, Отводы внутренней обмотки. разделены иа две группы 4 и 5, Одна группа...
Способ регистрации средней энергии и плотности потока направленного ионизирующего излучения
Номер патента: 963388
Опубликовано: 15.12.1993
Авторы: Бакулин, Терешкин, Чукляев, Яковлев
Метки: излучения, ионизирующего, направленного, плотности, потока, регистрации, средней, энергии
...нейтронов импульсных ядерных реакторов с помощью двух детекторов: вакуумной камеры деления (ВКД) а,радиатором Рц в экране В и детектора с водородосодержащим рассеивателем (ДВР). Энергетическая чувствительность ВКД на энергетическом диапазоне функции распределения нейтронов по энергиям для ядерных реакторов представима с точностью не ниже 6 кон- стантой и об 1 г(т) - средняя энергия и плоттока направленного излучения;) - плотность потока рассеянного- ток первого и второго детекlф(с) = пи означает, что отно 5 шение тмаксима сти пото днем фро ОДейс ков двух детект ьной скоростй н а импульсного и нте развития им твительно, плотн ооов, беретс врастания и злучения (на пульса излучая плотнос при тно ереия). потелесный тока излучени Й в...
Предыдущий патент: Способ получения гидроксилсодержащих моноили полисульфидов
Следующий патент: Способ получения высокооктанового бензина
Случайный патент: Временной селектор