Патенты с меткой «биморфных»

Номер патента: 686156

Опубликовано: 15.09.1979

Авторы: Князева, Ровинсков

МПК: H04R 17/00

Метки: биморфных, пьезокерамических, элементов

...энергопотребление элементов, одновременно с погружением во взве технологического цикла, а также дает возмажшенную смесь компонентов нагретого металли. ность изготовления миниатюрных биморфных ческаго электрода включают постоянное элект. элементов с кофигурацией повышенной слож. рическае пале. 10 ности, / Формула изобретения Составитель О, ПетровТехред М,Петко Корректор С. Шекмар Редактор С, Хейфиц Заказ 5369/55 Тираж 775 ПодписноеЦНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб д, 4/5 Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Предложенный способ изготовления пьезоке.рамических биморфных элементов осуществля.ется следующим образом.Пораппсообраэную смесь готовят нз четырех...

Номер патента: 1481811

Опубликовано: 23.05.1989

Авторы: Акопян, Базаев, Григорьян, Ерофеев

МПК: G06K 7/08

Метки: биморфных, запоминающих, информации, матрицах, пьезокерамических, считывания

...числа) изменяет значение поляризации пьезоструктуры в пределах Р = -Р - О (или "Р11 = +Р - 0) под 1-м электродом выходной пластины, Это соответствУет изменению коэффициента передачи К(М,)1-го запоминающего элемента вйходной пластины (фиг. 3). Таким образом, при записи М; числа преобразуют код М; числа в импульс записи с фиксированной амплитудой О и длительностью (М,), либо амплитудой У(М,) и фиксированной длительностью , подают импульс запи-,1си на выбранный запоминающий элемент пьезоструктуры, осуществляют запись в нем путем изменения степени остаточной поляризации подэлектродной области запоминающего элемента,Воспроизведение информации осуществляется в квазирезонансном режимевозбуждения пьезоструктуры. При этомвозбуждают входную...