Магнитный аналоговый элемент памяти

пмтен и иО то,;ннч 9 скйл б от Рл А Союз Советскнк Социалистических республик(21)2694266/18-24 явлено 30,1 Х рисоединением эаявк осударственный комитет СССР во дедам изобретений и открытий(54) МАГНИТНЫЙ АНАЛОГОВЫ МЕНТ ПАМЯТИ Прин(1 н- налогов Изобретение относится к областиавтоматики и вычислительной техникии может быть использовано при построении аналоговых запоминающих устройстввременных функций напряжения,Известен магнитный аналоговыйэлемент памяти, содержащий трансфлюксоры, прошитые обмотками записи, установки, строба записи и дифференциально включенными выходными обмотками1, В таком элементе памяти характеристика записи информации нереверсивна, т.е, обеспечивается запись сигналов только одной полярности,Наиболее близким техническим решением к изобретению является магнитный аналоговый элемент памяти, содержащий два двухотверстных трансфлюксорапрошитых обмотками записи, установки,строба записи, считывания и дифференциально включенными выходными обмотками, а также два стабилитрона, разноименные электроды которых соединеныс одной входной клеммой устройства,а другие разноименные электроды подключены к другой входной клемме устройства через включенные встречностабилитронам диоды и соответствующие обмотки записи 121. При записи методом интегрирования напряж в таком элементе памяти необ мо наличие двух многовитковых о ок записи.Целью изобретения является упрощение магнитного аналогового элемента памяти.Поставленная цель достигается тем, что в магнитный аналоговый элемент памяти, содержащий сдвоенный трансфлюксор с четыръмяотверстиями, обмотку записи, обмотку установки, обмотку строба записи, прошивающие большие отверстия трансфлюксора, малые отверстия которого прошиты обмотками считываний и дифференциально включенными выходными обмотками, введены обмотка управления, которая подключена к входу элемента памяти и пропущена через одно большое отверстие трансфлюксора согласно, а через другое встречно с обмоткой строба записи, и включенные встречно диод и стабилитрон, одноименные электроды которых подключены к обмотке записи, охватывающей перемычку .трансфлюксора между большими отверстиями.На чертеже представлена пиальная схема магнитного а о728165 Формула изобретения го элемента памяти, выполненная согласно изобретению,Магнитный аналоговый элемент памя"ти содержит сдвоенный трансфлюксор1, средняя перемычка которого охвачена обмотками установки 2, стробазаписи 3, записи 4, крайние перемычки охвачены обмоткой управления 5так, чтО одно ббльшое Отверстие онапрошивает согласно, а другое - встречно с обмоткой, строба записи, а малыеотверстия прошиты обмотками считывания 6 и дифференциально включенными Выходными обмотками 7. Начало иконец обмотки управления 5 соединеныс входными клеммами элемента памяти,а начало и конец обмотки записи 4 15соединены между собой через встреч" но включенные диод 8 и стабилитрон 9,причем, если начало обмотки записисоединено с анодом дИода, то конец -с анодом стабилитрона, . 20В процессе работы импульсами тока установки через обмотку 2 обе половины трансфлюксора устанавливаютсяв состояние насыщения, соответствующее максимальному значению остаточно- Яго потока - Ф, , При подаче в обмотку3 импульса тока строба записи диод8 открывается, стабилитрон 9 пробивается и,если ток управления в обмотке41 = О, в обеих половинах трансфлюк- усора устанавливается значение магнитного потокаф- Ф+ со4 где О - напряжение стабилизациистабилитрона;длительность импульса токастроба записи;ф 4 - число витков обмотки записи 4,ОПри этом = - , в этом слу 4чае при 1 = О в обеих половинах трансфлюксора устанавливается значе ние магнитного потока, соответствующее.середине рабочего диапазона. Поскольку выходная обмотка 7 включена по дифференциальной схеме, среднее значение выходного напряжения на основ-Я ной частоте равно нулю. Ксли ток управления 1 = О, то подача импульса тока строба записи в обмотку 3 ведет к неодинаковой разблокировке половин трансфлюксора и при считывании вы 55 Г ХОдное напряжение на выходной обмотке пропорционально величине тока Г, При изменении направления тока 1 напряжение на выходе меняет полярность.Предлагаемый Элемент памяти обладает реверсивной характеристикой записи,имеет одну обмотку записи 4 с числом витков,в два раза меньшим,чем в одной обмотке из двух имеющихся у известного элемента памяти, один диод и один стабилитрон. Обмотка управления 5 выполняется одновитковой, При построении аналогового запоминающего устройства на основе такого элемента памяти стабилитрон является общим для всего запоминающего устройства,а обмотка управления прошивает последовательно все элементы памяти.Так как число диодов и стабилитронов в данном элементе памяти меньше в два раза, а общее число витков меньше практически в три раза, чем у известного элемента памяти, то упрощается элемент памяти при той же точности записи. Магнитный аналоговый элемент па- мяти, содержащий сдвоенный трансфлюксор с четырьмя отверстиями, обмотку записи, обмотку установки, обмотку строба записи, прошивающие большие отверстия трансфлюксора, малые отверстия которого прошиты обмотками считывания и дифференциально включенными выходными отмобками, о т л ич а ю щ и й с я тем, что, с целью упрощения элемента памяти, в него введены обмотка управления, которая подключена к входу элемента памяти й пропущена через одно большое отверстие трансфлюксора согласно, а через другое встречно с обмоткой строба записи, и включенные встречно диод и стабилитрон, одноименные электроды которых подключены к обмотке занисИ, охватывающей перемычку трансфлюксора между большими отверстиями,Источники информации,принятые во внимание при экспертизе1. Авторское свидетельство СССРУ 396720, кл.С 11 С 27/00, 1974,2, Авторское свидетельство СССРР 435564, кл,С 11 С 27/00, 1974,728165 х Составитель В.Муратоведактор Т.Юрчикова Техред М,Петко Корректор И.Муска ака ПодССР ное.4/5 Филиал ППП Патент.,.Ужгород, ул.Проек э 1144/49 ТирЦНИИПИ Государственнпо делам иэобрете 113035, Москва, Ж,ж г и 62комитетаи открытская наб