Радиочастотный триггерный и логический элемент

эмиттерси транзвстсра 1 включен резистор 10, и между базои и общей швной вклвчен диомед 11, В исходнои состоянии, если амплитуда напряжения У, ниже порота отпвранвя транзистора 1, он заперт и на вымоде устройства У. мало, т. е.,реализуется состояние О. Если амплитуда напр,яжения Уна базе транзистора 1 выше порога его отпирания, он отпирается и на выходе Уы, максимально (У Х У), т. е.,реализуется, состояние 1. В исходном состоянии амплитуду переменного напряженвя на базе устанавливают делителем, состоящпм из резисторав 9, 10, 2, ,причеи ампдитуда напряжения должна быть ниже уровня порога отпирания транзвстсра 1, Для оппврания транзистора 1 или запирания открытого транзистора 1 служат чправляющие напряжения Ь У 2, 3 И 4Прсцесс отпирания транзпстора объясняется аледующи 1 м образом, При амплитуде налряжения .на базе транзистора 1 вы,ше вго,порога отпирания, в положительный полу 1 период напряжения Узаряжается кснденсатор 8 через переход коллектор - база и диод 11, причеи одноврсиенно заряжается и диффузионная емкость диода, К моменту прихода отрицательной полуволны,наиряжения У конденсатор 8, заряженный со знаксм минус на коллекторе пранзистора 1, является источником для питания транзистора 1, С приходом оприцательной поту 1 волны напряжения транзвстор 1 отпирается. В мамент отпирания транзистора 1 между базой транзвстора и общей линой создается отрнцательное нечинейное сопротивление.Отрицательное содротивление резко у 2 величивает напряженне на базе транзистора 1 и полностью его оппврает. Увеличение,напряжения на базе про 1 должается иплоть зо пранвцы насыщения транзистора 1. При этом амплитуда напряжения (У становится,п 1 рвмерно равной амплитуде питающего наиряжения.В отрицательной полупериод напряжения сопротивление диода 11 большое, и амплитуда напряжения на базе определяется резисторами 9, 10, 2. Так как,на резисторе 2 происходит падение постояиной и переменной составляющей напряжения, то при значениях сопротивления более 300 ом, траншистор зааврается, С целью исключения залирания транзистора одвн вывод резвстора 10 подключен кэипттеру. Большое значение сопротивдения (1 - 3 ) резистара 2 необходиио для уп 4 О Ц ЗО 55 Радиочастстный трвггерный и логический элемент, содержащий транзистор, коллектор,котороса через конденсатор, а ба.за через первый резистор соединена систочникои переменного,папряжения, эмиттер тра(нзи 1 атора через второй,резистор соединен с общей шиной, а через третий резистор и диоды,в прямом и обратном направлениях с шинами управления, отл ич а ю щ и й с я тем, что, с целью расширениячастотното диалазона, база транзисторачерез дополнителыный диод соединена собщей лвной, а через четвертый резистор - с эмиттером пранзистора,Источники информации,принятые во внииание при эксперпизе1. Лвторакое авидетельспво СССРУо 503365, ко. Н 03 К 1920 25.02,74. 5 1 о 1 20 2 зо 35 равления по эмиттеру транзистора 1 достаточно,малыми значениями улравляющихн Впц)яжениЙ У 41 ( 23,На фиг. 2 показаи график гистерезисной характвриствки успровства. При увеличении аипиитуды налряжения с илина базе транзистора 1 в точке А происходит резкий скачак амплитуды напряжения У,(до значеяия в точке Б). Приуменьшении амплитуды напряжвния У(или на блазе транзистора 1) арыв (скачок) персисходит в точке В, При этом Сыизменяется со значения соответствующего точке В, до значения в точке Г. Наанчие гистерезиансй ачпспитудной характеристики устройства объяаняется нелинейным 1 и парамепрами.Таким образом, из анализа работы устройства следует, что на етого выходе,реа 3 гизуются слвдующие операции:триггерный режим (1, О),логическая операция ИЛИ - НЕ.С,помощью предаагаемого элемента реализуется уннфицированная диодно-транзисторная лагвка (ДТЛ), работающая навысоких и низки 1 х частотах. Кроме того,прикенение многоэмиттерного транзисторавместо одноэмиттврного вриводит к построению унифвцврованной транзисторнотранзисторной радиочастотной логики(ТТЛ).Предлатаемый элемент прост по конструкции, не содержит катушку индуктивности и,конденсатор большой емкости в цепи эмиттЕра, и изготовленный элементмоино иапюдьзовать в швроком диапазоне частот без перестройки. ф о р м у л а и з о б р е т е н и я671033 уг г Я Составитель М. Назароведактор Е, Караулова Техред Н, Строганова ректор Л. Брахи каз 405 бЦН Подписное прполиграфиздата Мособлисполкома горская типограф Изд. Хв 40,51 ПИ НПО Поиск Государст по делам изобретений ЗЫ 5, Москна, Ж, Рауш Тираж 1059енного комитетат открытийкая наб., д. 4/5