Устройство для испытания плазмотронов

) 2588391/2 М. Кл В 23 К с присоединением заявкиГевударатввнный квинтет СССР пе делам нзебретеннй н аткрытнйОпубл ано 25,05.79, Бюллетень бликования описания 25,0 ата 2) Авторы изобретН. Ментешашвили, Н.И. Борисенко, Г,А, М Д,Ш. Осиашвилн и Н.Е. Борисенк та 71) Заявите а Ленина и ордена Трудового Красногоехнический институт им. В.И. Ленина Грузинский орд поли ИСПЫТАНИЯ ПЛАЗМОТРО 54) УСТРОЙСТВ да магнитов, а экран - . в виде постоянного магнита с четырьмя одноименными полюсами, расположенными во взаимно перпендикулярных плоскостях, и ориентированных под 45 к продольной оси переменных магнитов:На чертеже представлена принципиальная схема предлагаемого устройства.Оно содержит плазмотрон 1, цилиндрическуюОповерхность 2, анод 3, полюса 4 магнита пере. менного тока, ось 5 полюсов магнита перемен. ного тока, ось 6 цилиндрической поверхности, полюса 7.постоянного магнита и ось 8 полюса постоянного магнита.Плазмотрон 1 установлен перпендикулярно к цилиндрической вогнутой поверхности 2 анода 3, который заключен между полюсами маг. нита переменного тока 4. Ось полюсов 5 маг нита 4 совмещена с осью цилиндрической по. верхности 6, Над полюсами магнита 4 установлены одноименные полюса 7 постоянного магнита (на чертеже показаны южные полюсы).Оси 8 полюсов 7 повернуты под 45 относительно осей 5 магнита 4. Плазмотрон 1 уста. новлен еще и так, что кроме перпендккуляр. Изобретение касается сварочного производ.ства и может быть применено для испытанияплазмотронов, применяемых для резки и свар.ки с целью определения характеристик.Известно устройство для испытания плазмо-тронов, содержащее катод, установленный вплазмотроне, медный охлаждаемый анод с во.гнутой поверхностью, помещенный в источникпеременного магнитного поля для перемещенияанодного пятна плазменной дуги, и расположенный между упомянутым источником и катодомэкран для исключения влияния магнитного поля на катодное пятно дути, причем катод, анод,источник магнитного поля и экран установле.ны соосно 11,15Однако быстрый износ анода препятствуетпроведению длительных испытаний и сокращаетсрок службы устройства.Цель изобретения - повышение ресурса ра;боты устройства путем обеспечения наиболеерационального перемещения плазменной дуги.Это достигается тем, что источник перемен.ного магнитного поля выполнен в виде двухсимметрично расположенных относительно аноЫ:, Ы:, ДФЫый),юаЕйФр ""ности его оси 9 к поверхности 2, ось его 9проходит через фокус 10 магнитного поля по.стоянного магнита.Устройство работает следующим образом,Зажигают плазменную дугу и включают магниты. Переменное магнитное поле между полю.сами 4 вызывает колебания плазменной дугииее конец движется по поверхности 2 анода 3.Этим достигается распределение тепла дуги навсю поверхность анода и облегчается его ох.лаждение. Колебания дугине передаются на ко.нец дуги, опирающийся на катод, если плазмен.иая струя "фиксируется" магнитным полемпостоянного магнита в плоскости осей полюсов 7. Это предохраняет сопло плазмотрона отразрушения, Распределение тепла дуги по большой поверхности анода в сочетании с водянымохлаждением (по внутренним каналам) обеспе.чивает сохранение работоспособности анода втечение неограниченного времени (анод не раз.рушается),Например, при работе стенда с током дугив 500 А пятна эрозии не появляются на поверх.ности анода даже при непрерывной работе в течение 4 ч, в.то время как в известных кон.струкциях аноды покрываются пятнами эрозииуже после 5 - 10 мин работы, даже при токе300 А.Изобретение позволяет повысить надежностьи увеличить срок службы стендов для испыта.ний плазмотронов, оно может использоватьсяв лабораториях, разрабатывающих новые кон.струкции плазмотронов,Предложенное устройство увеличивает время непрерывных ресурсных испытаний плазмотронов в 2 - 3 раза.Формула изобретения Устройство для испытания плазмотронов,содержащее катод, установленный в плазмотро.не, медный охлаждаемый анод е вогнутой поверхностью, помещенный в источник переменного магнитного поля для перемещения анодногопятна плазменной дуги,и расположенный между упомянутым источником и катодом экрандля исключения влияния магнитного поля накатодное пятно дути, причем катод, анод, ис.1 ф точник переменного магнитного поля и экранустановлены соосно, о т л и ч а ю щ е е с ятем, что, с целью повьипения ресурса работыустройства путем обеспечения наиболее рационального перемещения плазменной дути, источ.2 О ник переменного магнитного поля выполнен ввиде двух симметрично расположенных относительно анода магнитов, а экран - в виде по.стоянного магнита с четырьмя одноименнымиполюсами, расположенными во взаимно перпендикулярных плоскостях, и ориентированныхпод 45 к продольной оси переменных магии.тов,Источники информации, принятые во внимание при экспертизе1. Быховский Д.Г, Элементы.ЧА группыкак термохимические катоды плазмотрона -яЭлектротехническая промышленность". ИнфорЛ. Суханова о Л. Народная К, Гавр 21 Поднисисудврственного комнтета СССРизобретений и открытий