Формирователь ступенчатого напряжения

публиковано 35.02.79 Бюллетень М ата опубликования описания 28,02(Японии) странная фирма екгрик Инд. Ко71) Заявитель ИРОВ СТУПЕНЧАТО ПРЯЖЕ ного упомянутым тицепи обра гной связи, иена с точкой соедиколлекгорной цепи ен ульсной зоб сто тивополож гноситс па проводимости в база которого соеп нения реэясгоров в входного биполярно эмиттер соединен с и технике.Известен формирователь ступенчатогонапряжении, содержащий интегральнуюЯС-цепь, два операционных усилителя,комленсирукнпий транзистор, прячем коперациониым усилителям подключеныисточники порогового напряжении ЦНедостатком такого формирователяявляется его сложность,Наиболее близким по техническойсущносги к изобретению является формиарователь ступенчатого напряжения, содержащий входной биполярный транзистор,база которого через резистор соединенас входной шиной, а коллектор через двапоследовательно включен: х рез эра соединен с источником ;,. нии, выходной биполярный транзистор, база которого соединена с эмиттером входногобиполярного транзистора, коллектор через резистор соединен с источником питания, а эмиттер соединен непосредствейно с обшей шиной и биполярный грайо транзистора, аточняком питания 2 ооудьротеенный коммтет (3) СССР ео делам нэооретеннй и открытнйНедостатком, этого формиррвагеля является большая потребляемая мощностьЦелью изобретения является уменьшение по гребляемой мошносги.Это достигаегси тем, что ь. формирователь ступенчатого напряжении, содер жаший транзистор, база которого через резистор соединена со входной шиной, а коллектор через два последовательно включенных резистора соединен с источником питания, выходной биполярный транзистор, база которого соединена с эмиггером входного биполярного гранзистора, коллектор которого через ре эисгор соединен с источником питания, а эмиттер соединен непосредственно с обшей шиной и биполярный, транзисторпротивоположного упомянутым типа и роводимосги в цепи обратной связи, база ко-торого соединена с точкой соединениярезисторов в коллекторной цепи входного биполярного транзистора, а эмитгерсоединен с источником питания, введендополнительный биполярный транзистор,коллектор которого соединец с эмиттером входного биполярного транзистора,эмиттер соединен с общей шиной, а база 6через резистор соединена с коллекторомбиполярного транзистора в цепи обратнойсвязи,На чертеже приведена принципиальнаяэлектрическая схема описываемого форми- Брователя.Формирователь содержит входной биполярный транзистор 1, выходной бдпдоляр-:ный транзистор 2, биполярный грацзисгор3 противоположного типа проводимости, 2 Одополнительный биполярный транзистор 4,резисторы 5-9. Входной сигнал подаддна входную шину 10, Выходной сигналснимается с шины 11.(Исгочнддкдд питания на схеме не показаныПринцип рабогы формирователя заключается в следующем.При условии, что на формировательподано напряжение питания и что потенциал на входной шине 10 нулевой, всетранзисторы 1 - 4 заперты, гак чго потенциал на шине 11 равен напряжениюпитания.Когда потенциал на входной шипе 10резко возрастает в момент Ф 1, базовый35ток протекает через транзисторы 1 и 2,а в моменгначинаег течь коллекторный ток Часть коллекторцого гока транзистора 1 становится базовым током40транзистора 3 и в момент - возникаетколлекгорный ток транзистора 3. В момент 4 коллекгорный ток приводиттранзистор 4 к состоянию насьццеция,так что напряжение между эмигтером и45,.коллектором становится практически нулевым и поэтому эмигтерцый ток гранзистора 1 цротекаег по коллектору трацзистора 4, а не по базе транзистора 2.В результате в момент д д. коллекторный ток транзистора 2 становится нулевым после того, как исчезают нвосцовные носители в его базовой части;Интервал времени между моментамии 1 составляет обычно несколько мддкросекунд, причем, чем выше усиление по току транзистора 2,3 и 4 или чем ниже их предельная частота, тем дольше промежуток междуи Е . Этот интервал времени может меддягься также с помощью изменения базового тока каждого иэ транзисторов,Формула изобретенияФормирователь ступенчатого напряжения, содержащий входной биполярный транзистор, база которого через резистор соединена с входной шиной, а коллектор через два поспедовагельцо включенных резистора соединен с источником питания, выходной биполярный транзистор, база которого соединена с эмцттером входного биполярного транзистора, коллектор через резистор соединен с источником питания, а эмиггер соедицеь непосредственно с обшей шиной и биполярный транзистор прогивоположного упомянутым гддпа проводимости в цепи обратной связи, база которого соединена с точкой соединения резисторов в коллекторцой цепи входного биполярного транзистора, а эмитгер соединен с источником питания, о г л и ч а ю ш и й с я тем, что, с целью умецьщения потребляемой мощности, в пего введен дополнительный биполярный транзистор, коллектор которого соединен с эмитгером входного биполярного транзистора, эмигтер соединен с обшей шиной, а база через резистор соединена с коллектором биполярного транзистора в цепи обратной связи.Источники информации, принятые вовнимание при экспертизе1. Заявка франции % 2279263,кл. Н 03 К 4/02, 19.03,76.2, Заявка Франции М 2251191,кл, Н 03 К 450, 11.06.75,649342 Составитель В. ЕгорТехредЮ, Ниймет а Корректор Е, Папи Редактор А 18/89 Тираж 1059ЦНИИПИ Государсгвенного копо делам изобрегений и о113038, Москва, Ж, Раушска Зака Подписноемигега СССРкрыгийя наб., д. 4/5 Филиал ППП Патент, г, Ужгород, уа, Проектная,.4