Устройство для моделирования транзистора

Союз Советскии Социалистицеских РеспубликО П ИЗО 3456 Государственныи комитетСовета Министров СССРоо делам изобретенийи открытий К 681 33388.8)(72) Автор иаобретени Е, А хсазяе 1) Заявитель О ДЛЯ МОДЕЛИРОВАНИЙ ТРАНЗИСТО 54) УСТ Н являют 15изкая остатками а сложность и устройств внительно ся е сть,елью изобре ния является уп шение точности ен стройства и по ования. дели2 О тем, че мит предлагаемое терно-базовую ство содержит и коллек- вклютуру, меж 25 квази-нейтральнуюмодели, Все модели торно-базов чены в тре ную сеточ К АВеОР (61) Дополнит (22) Заявлено с присоединен (23) Приорите (43) Опублико (4 Б) Дата опу Изобретение относится к области вычислительной техники и может быть ,использо вано для моделирования и расчета характеристик биполярных транзисторов.Известно устройство для моделирования транзисторе (11, соаерыешее резисторы и источники тока, Недостатком этого устройся ва являются его ограниченные функциональ ные возможности.Наиболее близкимости к изобретению я-сетку и источники то енная цель достигается ду узловыми точками которой подключены резисторы и звенья, выполненные в виде последовательно соединенных эмиттерно-ба зовой модели, квази-нейтральных моделей и коллекторно-базовой модели, Каждая предыдущая модель собирательным выводом подключена к инжекционному выводу последующей. Рекомбинационные выводы всех моделей звена объединены и подключены через одни резисторы % -сетки к базовым выходам устройства, с коллекторным выхое дом которого через другие резисторы1К -сетки соединены собирательные выводь коллекторно-базовых моделей звеньев, С эмиттерным выходом устройства соединень инжекционные выводы амиттернобазовых моделей звеньев. Кроме того, каждая из эмиттерно-базовойе квази-нейтральной и коллекторно-базовой моделей содержит два параллельно включенных звена. Каждое звено состоит из параллельно соединенных источника тока, шунтирующих конденсатора и резистора. Одни выводы звеньев объединены и подключены к рекомбинационному вывОду модели, а другие через соответствующие генераторы тока соединены с инжекционным и собирательным выводами,На фиг. 1 представлена схема устройства; на фиг. 2 - схема эмиттеряо-базовой,квази-нейтральной и коллекторно-базовоймоделей.Устройство содержит эмиттерно-базовую1, квази-нейтральную 2 и коллекторно-базовую 3 модели, резисторы Й -сетки 4 иинжекционный 5, собирательный 6 и рекомбинационный 7 выводы устройства.Схемаприведенная на фиг, 2, содержитрезисторы 89, комденсаторы 10, 11 игенераторы тока 12-14.Устройство работает следующим обраэом.Генератор тока 12 в амиттерно-базовоймодели 1 и генератор тока 13 в коллекторно-базовой модели 3 моделируют рекомбина-;цию неосновных носителей в области базы,примыкающей соответственно к амиттерному или коллекторному переходу, рекомбинацию носителей в самом переходе, обратныйток через данный переход, рекомбинацию25носителей, генерируемых под действием излучений в р -и-переходе и соседнем с нимучастках базы эмиттера или коллектора.Генераторы тока 13 в амиттерно-базовой и квази-нейтральной моделях, а такжегенератор тока 12 в коллекторно-базовоймодели отражают рекомбин цню неосновныхносителей в соответствующих участках базыКонденсатор 10 в амиттерно-базовой модели 1 и 11 в коллекторно-базовой модели35отражают накопление заряда в участках базы, граничащих с у - т 1-переходом, барьерную емкость эмиттерного или коллекторногоперехода. Кроме етого, конденсатор 11 вколлекторно-базовой модели отражает накопление носителей в области коллектора.Конденсаторы 10 и 11 в квази-нейтральной модели, конденсатор 11 в амиттернобазовой модели, и конденсатор 10 в коллекторно-базовой модели отражают накопление носителей всоответствующих кваэинейтральных участках базы,Резисторы 8 и 9 во всех моделях моделируют аффект Эрли и токи утечки.Генераторы тока 14 во всех моделяхмоделируют диффузионно-дрейфовый ток череэ соответствующий участок кристалла.Элементы каждой модели - генераторытока, конденсаторы, резисторы - являются функциями структурно-физических параметров кристалла и напряжений, приложенных к транзистору. Они могут быть определены на основании теории транзистора.Описанное устройство более просто по сравнению с известным и обладает более высокой точностью работы.Формула изобретения 1. Устройство для моделирования транзистора, содержащее К -сетку.и источникитока, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что,с целью упрощения и повышения точностимоделировании, оно содержит амиттерно-базовую, квази-нейтральную и коллекторно базовую модели, причем все модели включены втрехме рную сеточную структуру, между узловыми точками которой подключены резисторы и звенья, выполненные в виде последовательно соединенных амиттерно-базовоймодели, квази-нейтральных моделей и кол.лекторно-базовой модели, причем предыдущаямодель собирательным выводом подключенак инжекционному выводу последующей; рекомбинационные, выводы всех моделей звена объединены и подключены через одни рзисторы ,К -сетки к базовым выходам устройства, с коллекторным выходом .которогочерез другие резисторы В -сетки соединенысобирательные выводы коллекторно-базовыхмоделей звеньев, а с амиттерным выходомустройства - инжекционные выводы эмиттерно-базовых моделей звеньев.2. Устройство по и. 1, о т л и ч а ю -щ е е с я тем, что, каждая из амиттернобазовой, квази-нейтральной и коллекторнобазовой моделей содержит два параллельновключенных звена, каждое из которых состоит из параллельно соединенных источника тока, шунтирующих конденсатора ирезистора, причем одни выводы звеньевобъединены и подключены к рекомбинационному выводу модели, а другие через соответствующие генераторы тока соединены с инжекционным .и собирательным выводами,Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:ф1 . Зарубежная электронная техника,6, 1972., стр, 50-53.2, Чахмахсазян Е, А. и др."Машинныйанализ интегральных схем, "Сов.радио",стр. 140-147, 150-151, 1974 г./ оставитель Л. Чернышовехред Н. Бабурка Корректор С. Шекмар Реда кт Утехин Тираж 818енного комитеталам изобретенийМосква, Ж,ПП "Патент, г. Ужгород, ул. Проектна Фиаэ 4896/55 БНИИПИ Государст по д 113035