Чахмахсазян

Номер патента: 583456

Опубликовано: 05.12.1977

Автор: Чахмахсазян

МПК: G06G 7/48

Метки: моделирования, транзистора

...носителей в области базы,примыкающей соответственно к амиттерному или коллекторному переходу, рекомбинацию носителей в самом переходе, обратныйток через данный переход, рекомбинацию25носителей, генерируемых под действием излучений в р -и-переходе и соседнем с нимучастках базы эмиттера или коллектора.Генераторы тока 13 в амиттерно-базовой и квази-нейтральной моделях, а такжегенератор тока 12 в коллекторно-базовоймодели отражают рекомбин цню неосновныхносителей в соответствующих участках базыКонденсатор 10 в амиттерно-базовой модели 1 и 11 в коллекторно-базовой модели35отражают накопление заряда в участках базы, граничащих с у - т 1-переходом, барьерную емкость эмиттерного или коллекторногоперехода. Кроме етого, конденсатор 11...