Способ изготовления транспарентных фотошаблонов
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
(54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ГРАНСПАРЕНГНЫХ фОГОШАБЛОНО Союз СоветскихСоциалистическихРеспублик осударственныи комитетСовета Министров СССРоо делам изобретенийи открытий 43) Опубликовано 2 45) Дата опубликНаличие максимумов интенсивности в области тени и. минимумов в зоне светя приводит к тому, что для получения бездефектных пропечатков экспозиция должна находиться в определенном интервале. Если экспозиций слишком мала, то в зоне светя около минимума освещенности "б" (см, фиг 2)останется вадик неудяленного фоторезиста -двойной край в области света, Если же экспозицию завысить, то реэист будет удален 1даже в зоне тени вблизи максимума освещенности в - двойной край в области тени.Из теории дифракции следует, что высота максимума в иследовательно, величинарабочегоинтервала освещенностиьРЙзависи 1 со 1 разности фаз лучей И и Г (см; фиг. 1),Мощность интерференпионных максимумовнаименьшая, а величина рабочего интерваланаибольшая при разности фаз , кратной227, т. е.вслучае Ф =О, Ю =2 Т 0Ф =2 2 Г,. У =323 ит.д.Так как на разность фаз Ф влияетглавным образом глубина травления(см, фиг. 1), необходимо прн локальномудалении маскирующего слоя,создавать 15такую глубину рельефа рисунка, котораяобеспечивает необходимую разность фазМ = К 2 Ъ , где К = О, 1, 2, 3 и т. д.Необходимую глубину травления можноустановить путем послойного удаленияЗОмаскирующеГо слоя и, если необходимо,прозрачной основы шаблона с одновременным измерением разности фаз, например,с помощью рефратометра Жаменя,Выполнение в фотошаблоне глубины геометрического рельефа в каждом конкретном случае определенного размера, обеспечивяюц 1 его оптическую разность фяз между лучами актиничного света, процедшими через маскирующий и прозрачный участки шаблона кратную 23, подроляет устранить укаэанные недостаткиНеобходимую глубину травления можно контролировать в процессе изготовления фотошяблона, например, с помощью рефряктометра Жаменя,Формула изобретенияСпособ изготовления трянспарентных фотошаблонов, включающий нанесение на стеклянную,подложку маскирующего слоя с йослецующим формированием заданного Геометрического рельефа, методом фотолитографии, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что,с целью устранении дифракционных искажений и дефектов и расширения диапазона рабоиих экспозиций, формирование заданногогеометрического рельефа проводят путем локального послойного удаления материала со сто роны маскирующего слоя с одновременным измерениемоптической,разности фаз между лучами актиничного света, проходящими через маскирующий и прозрачный участки фото- шаблона, до получения глубины рельефа, обеспечивающей упомянутую оптическую разность фаз, кратную 2 Г570005 Фчв Тираж 574 Подписное осударственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж 35, Раушская наб., д, 4/5
СмотретьЗаявка
2029950, 17.05.1974
ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ А-1631
БЕРЕЗИН ГЕННАДИЙ НИКОЛАЕВИЧ, ГУРЖЕЕВ ВАЛЕРИЙ НИКОЛАЕВИЧ, ЗАХАРОВ ВЛАДИМИР ИВАНОВИЧ, НИКИТИН АРКАДИЙ ВИКТОРОВИЧ, СУРИС РОБЕРТ АРНОЛЬДОВИЧ
МПК / Метки
МПК: G03C 5/00
Метки: транспарентных, фотошаблонов
Опубликовано: 25.08.1977
Код ссылки
<a href="https://patents.su/3-570005-sposob-izgotovleniya-transparentnykh-fotoshablonov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ изготовления транспарентных фотошаблонов</a>
Предыдущий патент: Центральный фотозатвор
Следующий патент: Бачок для обработки на свету экспонированного рулонного фотоматериала
Случайный патент: Способ получения сополимеров этилена