Способ стирания записанной информации в запоминающей электроннолучевой трубке с видимым изображением

О П И С А Н И Е ц 568982ИЗОБРЕТЕНИЯ Союз Советских Социалистических Республик) М,Кл, Н 01.1 31/08 заявки М присоединение Государственныи комите Совета Министров СССР ло делам изобретенийи открытий 23) Приорите 3) Опубликовано 15.08.7 тень К К 621.385.83(45) Дата опубликования описания 02.01,78(54) СПОСОБ СТИРАНИЯ ЗАПИСАННОЙ ИНФОРМАЦИИВ ЗАПОМИНАЮЩЕЙ ЭЛЕКТРОННО-ЛУЧЕВОЙ ТРУБКЕС ВИДИМЫМ ИЗОБРАЖЕНИЕМ Изобретение относится к автоматике, радиоэлектронике и вычислительной технике, в частности, может быть использовано в электронно-лучевых запоминающих устройствах, применяющихся в системах отображения информации.Известен способ .стирания информации на бистабильной запоминающей электронно-лучевой трубке (ЗЭЛТ) с видимым изображением с помощью широкого пучка электронов ЯИзвестен способ стирания записанной информации в запоминающей электронно-лучевой трубке с видимым изображением, заключающийся в том, что всю поверхность мишени облучают основным широким электронным пучком с энергией, соответствующей рабочему потенциалу коллектора 21.Недостаток известного способа стирания заключается в том, что стирание информации, производимое широким пучком электронов воспроизводящего прожектора, происходит по всей поверхности мишени. В условиях же эксплуатации часто необходимо стирать не всю информацию, а только ее часть, например для устранения уже использованной или ошибочно записанной информации.С целью обеспечения возможности выборочного стирания информации при одновременном ее воспроизведении на остальных участках мишени на выбранный участок мишени,не выключая широкий электронный пучок,направляют дополнительно узкий сфокусированный электронный пучок с энергией элект 5 ронов, превышающей второй критический потенциал, и облучают выбранный участок датех пор, пока он не разрядится,до величины,меньшей первого критического потенциаладля электровозов основного широкого электронного пучка.На фиг. 1 дана схема бистабильной ЗЭЛТобычного типа, в которой производится выборочное стирание по предлагаемому способу;на фиг. 2 - кривые зависимости коэффициента вторичной эмиссии о от энергии электронов, поясняющие обычный режим записи истирания: кривая а для электронов записывающего прожектора и кривая б для электронов пучка воспроизводящего прожектора; на20 фиг. 3 - кривые зависимости коэффициентавторичной эмиссии о, поясняющие способ локального стирания по предлагаемому способу:кривая а для электронов записывающегопучка и кривая б для электронов воспроиз 25 водящего пучка электронов,Для записи известным способом между катодом записывающего прожектора 1 (фиг, 1)и диэлектрической мишенью 2 устанавливаются разность потенциалов, например 4 кВ,30 при которой о ) 1 (фиг. 2).При подаче отпирающего напряжения на модулятор записывающего прожектора 1 потенциал диэлектрической мишени 2 повышается записывающим пучком от О (В) до значения У(В) больше У для электро нов воспроизводящего прожектора 3. Последующим облучением записанных участков диэлектрика пучком электронов воспроизводящего прожектора 3 потенциал этих участков повышается и доводится до величины потен циала коллектора Ув, являющейся точкой устойчивого равновесия, соответствующей одному из стабильных уровней записи (первой стабильной точкой является точка нулевого потенциала, равного потенциалу катода воспроизводящего прожектора 3).Записанная таким образом информация стирается обычным способом путем облучения электронами воспроизводящего прожектора 3 всей поверхности мишени 2 при снижении напряжения на коллекторе 4 до величины ниже Упри,которой потенциал записанного участка мишени снижается до нулевого значения (фиг. 2).Для осуществления операции локального стирания в соответствии с предложенным способом электронам записывающего пучка сообщается энергия, соответствующая напряжению выше Упрп которой о 1 (фиг. 3).Отпирание записывающего прожектора 1 З 0 производится на время, необходимое для того, чтобы электроны записывающего пучка разрядили выбранный записанный участок мишени 2 до потенциала У,несколько ниже У,р, для электронов воспроизводящего пуч 35 ка (фиг. 3). Дальнейшее снижение потенциала выбранного участка мишени 2 от У(В) до О (В) производится широким пучком электронов воспроизводящего прожектора, непрерывно облучающим, как обычно, всю 40 поверхность мишени.Использование режима выборочного стирания позволяет работать с устройством отображения, наблюдая за процессом записи информации, воспроизводимой на экране ЗЭЛТ с высокой яркостью и четкостью и без геометрических искажений; выводить на экран перекрестие, формируемое записывающим пучком для работы с джостиком, трекболом или световым карандашом; дописывать к выходным данным, выведенным из ЭВМ, дополнительную информацию, производить редактирование и выборочное стирание. Следовательно, функциональные возможности системы, работающей по способу с выборочным стиранием, неизмеримо выше, чем при использовании полного стирания информации.Формула изобретенияСпособ стирания записанной информации в запоминающей электронно-лучевой трубке с видимым изображением, заключающийся в том, что всю поверхность мишени облучают основным широким электронным пучком с энергией, соответствующей рабочему потенциалу коллектора, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью выборочного стирания информации при одновременном ее воспроизведении на остальных участках мишени, на выбранный участок мишени, не выключая широкий электронный пучок, направляют дополнительно узкий сфокусированный электронный пучок с энергией электронов, превышающей второй критический потенциал, и облучают выбранный участок до тех пор, пока он не разрядится до величины, меньшей первого критического потенциала для электронов основного широкого электронного пучка.Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:1. М. Кноль, Б, Кэйзан. Электронно-лучевые трубки с накоплением зарядов, Госэнергоизд,ат, 1955.2, С. В, Денбновецкий и др. Запоминающие трубки в устройствах обработки информации,М., 1973.568982 г.1 гбур Фиг. Составитель И. Горело едактор Т, Я хред М. Семенов каз 681/1710ЦНИИ Тираж 995омитета Совета Министров Сетений и открытийаушская наб., д, 4/5 писное Тип. Харьк, фил, пред. Патент Изд.676 осударственного по делам изоб Москва, Ж, Р