Широтно-импульсный преобразователь

ОП ИСАНИЕ:ИЗОБРЕТЕН ИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз СоветскихСоциалистицескихРеспублик 11)-Я 6 3 5(43) Опубликовано заявки осударственный ноннте Совета Министров ССС оо делан изооретеннй и открытий) Автор .изобретен рофеев 1) Заявите 54) ШИРОТНО-ИМПУЛЬСНЫЙ ПРЕОБ АТЕЛЬ 2устойчивом состоянии. Иэ-за этогомалых значениях управляющего напряжерезко увеличивается степень васьпцевияемя рассасывания, ватягиваюаее процессокидываиия, Появляется векоитролнру ое паразитное увеличение длительности, Целью изобретения является раеширение апазова изменения выходного сигнала в рону малых длитщтьностей импульса. меивоприиня и вр Это достигпульсвый преождущем мульмально заперттранзисторы,костную коллны два эмиттваго повторийравляющего нторителя подклк 1насыщенногорнтелей вклюмально запертНа чертежма преобраэо Изобретение относится к области цолупроводниковой импульсной техники, Оно может использоваться в устройствах электронной регулировки и перестройки длител ности прямоугольных импульсов, преобразо- а вателях типа напряжение-длительность импульсов, модулирующих каскадах телеметрических систем, работающих по принципу широтно-импульсюй модуляции.Известен широтно-итипульсвый преобра- О зователь, выполненный на двух транзисторах с резистивной и емкостной коллекторно-базовыми связями 1 .Недостатком его является низкая точность, преобразования, 5Известен также широтно-импульсный пре- образователь, выполненный на ждущем муль,- тивибраторе, содержащем нормально запертый и нормально насыщенный транзисторы, одну резисторную и одну емкостную коллекторно 0 базовые связи, в котором коллекторная цепь нормально запертого транзистора подключена к источнику управляющего напряжения2 .Недостатком его является резкоеиэменение степени насыщения транзистора во вре ается тем, что в широтно-имбразователь, выполнетпый на тивибраторе, содержащем норый и нормально насыщенный одну реэистивную и одну емекторно-базовые связи, введеерных повторителя, вход пертеля подключен к источнику уп. апряжения, вход второго пов-чен к коллектору нормально, транзистора, а выходы повточены в коллекторную цепь норого транзистора.е изображена электрическая схевателя.Устройство содержит нормально запертыйтранзистор 1, коллектор которого соединен с выводами резистора 2 и конденсатора 3; база транзистора 1 соединена с выводами резистора 4, конденсатора 5 и резистора 6. БВторой вывод резистора 2 соединен с эмиттерами транзисторов 7 и 8. Второй выводконденсатора 3 соединен с базой транзистора 9 и коллектором транзистора 10. Второй вывод резистора 4 соединен со вторым 1 Овыводом конденсатора 5, коллектором траненст ра 9,б зойтранзист ра8 и выводомрезистора 11, Второй вывод резистора 6соединен с клеммой шпос источника 12смещения. Коллекторы транзисторов 7,8,база транзистора 10, второй вывод резистора 11 соединены с клеммой минус" ис-.точника 13 питания. Эмиттер транзистора10 соединен с выводом резистора 14, второй вывод которого соединен с клеммой 26минус дополнительного источника 15.База транзистора 7 соединена с клеммой"минус источника управляющего напряжения16. Эмиттер транзистора 1, емиттер транзистора 9, клемма минус" источника смешения 12, клеммы плюс источников 13,15 и 16 соединены с корпусом устройства.Преобразователь работает следующим образом.После включения источников питания иуправляющего напряжения транзистор 10будет находиться в активном режиме, поскольку его эмиттерный переход смещен впрямом направлении (предполагается, чтоабсол тное значение напряжения источника 3515 больше, чем абсолютное значение напряжения источника 13).Ток коллектора транзистора 10 течетчерез эмиттерный переход транзистора 9обеспечивает его насыщение. Транзистор фо1 при этом закрыт. Напряжение источника,управляющего напряжения 16 подается набазу транзистора 7, включенного по схемеэмиттерного повторителя, и следовательно,повторяется на его, эмиттереИапряжениена эмиттере транзистора 8, связанном сэмнттером транзистора 7, будет также равно; напряжению источника 16, посколькунапряжение на базе транзистора 8 определяется напряжением на коллекторе транзистора 9, т. е, близко к нулю, то эмиттерныйпереход транзистора 8 смещен в обратномнаправлении и указанный транзистор запертКонденсатор 3 заряжен до напряжения источника 16, Такое состояние схемы является длительно устойчивым,Запускающий импульс отрицательной полярности, поступая на базу транзистора 1,вызывает переключение транзисторов 1 и 9 и перевод схемы ждущего мультивибратора во второе, временно устойчивое состояние, В этом состоянии транзистор 1 будет насыщен, транзистор 9 заперт, Запертое состояние транзистора 9 обеспечивается за счет положительного напряжения на его базе, создаваемого заряженным конденсатором 3.Разряд конденсатора 3 происходит по линейному закону за счет тока коллектора транзистора 10. Когда по мере разряда конденсатора напряжение на базе транзистора 9 перейдет через нулевой уровень, формирование выходного импульса заканчивается.,Олительность выходного импульса пропорциональна начальному напряжению на конденсаторе 3, т. е. напряжению источника 16.Транзистор 8 во временно устойчивом состоянии открыт, а транзистор 7 закрыт, Напряжение на амиттере транзистора 8 не, зависит от управляющего напряжения, и режим транзистора 1 при перестройке длительности выходного импульса не изменяется. В результате этого при снижении управляюющего напряжения время выхода транзистора 1 из насыщения не возрастает, что поз. воляет расширить диапазон изменения выходного сигнала в сторону малых длительностей импульса.формула изобретенияШиротно-импульсный преобразова 1 ель, выполненный на ждущем мультивибраторе, содержащем нормально запертый и нормальнонасыщенный транзисторы, одну резистивцуюи одну емкостную коллекторно-базовые связи, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что,с целью расширения диапазона изменениявыходного сигнала в сторону малых длительностей импульса, в преобразователь введены два эмиттерных повторителя, вход первого повторителя подключен к источнику управляющего напряжения, вход второго повторителя подключен к коллектору нормально насыщенного транзистора, а выходы повторителей включены в коллекторвую цепьнормально запертого транзистора,Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:1, Важенина 3, П, Импульсные генераторы на транзисторах, И "Энергия",.1971,с. 38-42.2. Тищенко А. М. и др, Расчет и проектирование импульсных устройств на транзисторах, М"Сов-радио", 1964, с, 139,рис, 2, 20 а,566345 Составитель В, ДмитриевД. Пинчук ТехредА. Богдан Корр ктор И, Гоксич СССР лиан П 11 П "Патент", г, Ужгород, ул. Проектная, 4 з 2513/39 Тираж 1065 ЦНИИПИ Государственного комитета по делам изобретений 113035, Москва, Ж, РаушсПодписноеСовета Министри открытийая набд, 4/5