Устройство для утразвуковой очистки

Номер патента: 1411643

Опубликовано: 23.07.1988

Авторы: Валиев, Усенко

МПК: G01N 7/00

Метки: герметичной, давления, емкости, канале, капиллярного, микрокапилляра, сквозного, стенке

...предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 14Изобретение относится к технической фи.зике и может быть использовано для определения величины капиллярных сил, например, при оценке герметичности емкости.Цель изобретения - упрощение способаи повышение точности.На, чертеже представлена зависимостьрасхода жидкости от давления на каналемикрокапилляра,Способ осуществляют следующим образом.В рабочую жидкость добавляют труднолетучие составляющие, подают жидкостьв емкость и повышают давление в емкости,затем снимают кривую скорости испаренияжидкости в зависимости от времени, фиксируют момент наступления пульсирующегохарактера испарения жидкости. Давление,соответствующее этому моменту, равнокапиллярному.Пример. На образец из стали...

Номер патента: 1794809

Опубликовано: 15.02.1993

Автор: Виницкий

МПК: B65D 88/12

Метки: вкладышем, грузов, емкости, емкость, пленки, транспортировки

...иметь по меньшей мереодин гибкий стержень мерной длины длясоединения днища емкости со стенкой корпуса,Емкость может также иметь укрепленный по периметру эластичной пластинышнур 65.Способ реализуется следующим образом.В емкости, например, железнодорожной с размещеннь 1 м в ней вкладышем 9предварительно производят падготовкувкладыша к размещению в нем груза путемподачи газовой среды, например, воздухапод давлением, не превышающим 0,1кг/см, после чего через загрузочную горловину производят загрузку при температурениже температуры термоусадки пленки,причем в процессе загрузки в емкости создают дополнительный объем, в которомподдерживают давление, величина которого превышает сумму давлений над грузом вовкладыше и гидростатического столба,...

Номер патента: 1242002

Опубликовано: 30.06.1986

Автор: Мишель

МПК: B32B 7/14, B63B 3/68, F16B 11/00

Метки: газа, герметичная, емкости, предпочтительно, сжиженного, составная, сред, стенка, текучих, термоизоляционная

...которал обращена к самонесущей стенке 1, и лист 70 из гибкого слоистого материала, механически прочного и хпадостойкого, на внутренней стороне корпуса 68, причем этим слоистым материалом является преимущественно тот, который был описан на солги,1, Некоторые иэ краев плиты 69, например края 71 и 72 (фиг .4)выступают за пределы боковых сторон корпуса 68 и располагаются на опорных средствах, представляющих собой металлические шайбы 73, которые навинчивают на ряд шпилек 74 находящихся на одинаковом одна от другой расстоянии, плоские металлические шайбы 75, располагают ггежду внутренней поверхностью краев 71 смежных панелей и зажигигыми гайками 76, которые заблокированы или застопорены с помощью клеящего состава, наносимого на резьбу гайки...

Номер патента: 1838430

Опубликовано: 30.08.1993

Авторы: Джон, Энтони

МПК: C21C 5/48, C21C 7/00

Метки: газом, емкости, металла, металлургической, продувки, расплава, расплавом, стенку

...1 по направлению оциз будет практически исключена, если окладыш 1 будет правильно и прочно запрессооан относительно пористой заглушки 7, Утечка газа может происходить через цементирующее или обработанное мастикой соединение между кольцом-вкладышем 22 и неподвижным оерхним блоком или вдоль поверхности раздела между двумя верхним и нижним блошками 24 и 25. Используемые о данном устройстве пружины (на фигурах не покдззцы) будут смещать упомянутые блоки 24 и 25 по направлению вверх напротив кольца-вкладыша 22, и о идеальном случае они могут .обеспечить вполне достаточную газонепроницаемость между упомянутыми блоками, Однако существующие допуски нд изготовление соответствующих деталей могут сыграть свою отрицательную роль в достикении...

Номер патента: 148143

Опубликовано: 01.01.1962

Автор: Логунов

МПК: H01L 29/88

Метки: диодов, емкости, основанный, перехода, площади, туннельных, уменьшении, уменьшения

...в том, что рабочую плошадьр - п перехода туннельного диода уменьшают за счет изменения электрической структуры исходного материала, для чего на полупроводникнаносят тонкий слой материала того же типа, но с меньшим удельнымсопротивлением.Во время вплавления выпрямляющего контакта происходит проплавление поверхностной пленки и образование надежного р - и перехода как с пленкой, так и с основной массой полупроводникового кристалла.Применяя тонкие поверхностные слои низкоомного материала, можно получить туннельные диоды с очень малой емкостью. На полупроводниковый кристалл поверхностный слой наносят, например, при помощидиффузии примесей или осаждением низкоомного материала из газовойфазы и т. д.Государственный комитет...