Устройство для коммутации высокочастотного вращающегося магнитного поля

ОП И б ли, т Союз Советских Социалистических Реслублик(32)Государственный комитетСовета Министров СССРоо делам изобретенийи открытий6,Бюллетень45) Дата опубликования описания 03.0 Иностранец Франц Наврати72) Автор изобретен остранная фирмафСименс АГф) Заявитель Изобретение относится к измерительной технике. Устройство предназначено для поддержания постоянства энергии вращающегося магнитного поля и сокращения продолжительности переходных процессов, возникающих при коммутации высокочастотного магнитного поля.Известно устройство для коммутации высокочастотного вращающегося магнитного поля, содержащее две ортогонально расположенные катушки, соединенные по крайней мере с одним высокочастотным генератором, питающим катушки синусоидальным током, сдвинутым по фазе на 90 о ЦЭтому устройству присущ длительный переходный процесс, возникающий при включении и выключении магнитного поля.Цель изобретения - повышение быстродействия, т.е. сокращение продолжительности переходного процесса при намагничивании и размагничивании различных магнитных материалов.Предлагаемое устройство отличается тем, что в него введен коммутирующий элемент в вице регул ого источника напряжения, подкл ого че ез элемсн- араллельнс" азованного но включе- - еля соедп- параллельОпооным,.озадержки к одного колебательног у из входов и контура, обр и дополнитель м, и выключат орым входом го контура и нои из катушек ым конденсатор енного между в чого колебательтенциалом. качестве выключа теля использованй трансформатором,включена в цепь 10 анзистор, управляемь дна обмотка которого миттер транзист а, а другая подому генератору. ключена к высокочасто Емкость параллельн контура выполнена в виго колебательного де двух ледо тельно вкл ых кон енсаторов лючен ге 1 ке соед выс ения которых поой частоты,т мент задержки выполнен в О е ен исто атор а с параллель ключенным кон м ей ать элемента з адержки по меньп. вышает емкостьного контура,в десять оаз ьного колебат ер алл ируем 54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ КОММУТАЦИИ ВЫСОКОЧАСТОТНОГО ВРАШАЮШЕГОСЯ МАГНИТНОГО ПОЛЯ3На чертеже представлена схема устройства для коммутации высокочастотного магнитного поля.Устройство состоит из высокочастотного генератора 1, задающего устройства 2, Ь колебательного контура 3, содержащего два последовательно включенных конденса тора 4 и 5 и катушку 6. К точке соединеепея конденсаторов подключен высокочастотный генератор 1. Параллельно катушке 6 16 включен коммутирующий элемент 7, обведенный на чертеже штрих-пунктирной линией. В состав коммутирующего элемента входят элемент задержки 8 и регулируемый источник напряжения 9, который подключен й через элемент задержки к зажиму параллельного колебательного контура 3. К другому зажиму колебательного контура 3 подключен транзистор 10, во входной цепи которого подключен трансформатор 11. Эле- О мент задержки 8 состоит из резистора 12 и параллельно включенного конденсатора 13.К генератору 1 подключено задающее устроиство 2, определяющее программу коммутации, срабатывающее при помощи коммута- тора 14, Задающее устройство соединено шиной 15 с входом трансформатора 11.Работает устройство следующим образом.При включении высокочастотного магнит- уного поля коммутатор 14 подает на базутранзистора 10 короткий импульс от задаюеееего устройства 2, длительность стартового импульса должна быть равна четвертипериода колебаний генератора 1, В этотпромежуток времени результирующая емкость колебательного контура заряжаетсячерезэлемент задержки 8 до полногонапряжения источника 9. Затем эта емкость разряжа,тся через катушку 6 параллельного коле Оательного контура 3, что приводит к наальному демпфированию его колебаний.днако при одновременной подаче энергиие генератора 1 амплитуда колебаний увеечивается, 45Таким образом, в процессе включения иыключения складываются два колебания,дно из которых экспоненциально спадаетюле разряда конденсатора, а другое эксненциально возрастает до полной амплиту- цОе колебаний. При этом обеспечивается поле возрастание амплитуды тока в колебальном контуре 3 в течение четверти пеода. Сопротивление резистора 12 элемензадержки 8 выбирают так, чтобы при д 5почении и выключении коммутатора 14пцаюшееся магнитное поле было постоеым,При выключении вращающегося магнито лоля с помощью коммутатора 14 им- ВО фпульс от задающего устроиства 2 подается на базу транзистора 10, Транзистор включается на несколько периодов, и параллельный контур 3 шунтируется через транзистор 10, элемент задержки 8 и сопротивление источника 9, Энергия контура 3 выделяется практически в рабочем цикле, поэтому емкость конденсатора 13 должна быть по меньшей мере в десять раз больше результирующей емкости контура 3,Формула изобретения1, Устройство для коммутации высокочастотного вращающегося магнитного поля,содержащее две ортогонально расположенные катушки, соединенные по крайней мере с одним высокочастотным генератором,питающим катушки синусоидальным током,осдвинутым по фазе на 90, о т л и ч аю ш е е с я тем, что, с целью повышения быстродействия, оно снабжено коммутирующим элементом в виде регулируемого источника напряжения, подключенногочерез элемент задержки к одному из входов параллельного колебательного контура,образованного одной из катушек и дополнительно включенным конденсатором, ивыключателя, соединенного между вторымвходом параллельного колебательного контура и опорным потенциалом.2, Устройство по и. 1, о т л и ч а юш е е с я тем, что в качестве выключателя использован транзистор, управляемыйтрансформатором, одна обмотка котороговключена в цепь база - эмиттер транзистора, другая подключена к высокочастотному генератору,3, Устройство по и. 1, о т л и ч а юш е е с я тем, что емкость параллельного колебательного контура выполнена в виде двух последовательно включенных конденсаторов, к точке соединения которых подключен генератор высокой частоты.4. Устройство по и. 1, о т л и ч а -ю щ е е с я тем, что элемент задержкивыполнен в виде резистора с параллельновключенным конденсатором.5, Устройство по пп. 1 и 4, о т л и -ч а ю ш е е с я тем, что емкость элемента задержки по меньшей мере в десять разпревышает емкость параллельного колебательного контура.Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:1. Степаненко И, П, Основы теории транзисторов и транзисторных схем, ГЭИ, 1963,стр. 217-221 (прототип).СССРэ д ал ППП фПатент", г. Ужгород, ул. Проектная,каз 5741/35 Тираж 1010 БНИИПИ Государственного комитета по делам иаобретени 113035, Москва, Ж 35, РаПодписное овета Минист и открытий ушская наб