Матрица для запоминающего устройства

1% д б н л,: , ; .; :; СП ИКАНИЕчам 5ИЗОБРЕТЕН ИЯ Сеоз СоветсиииСоциалистическимиРеспублик И АВТОРСКОМУ СВИДВ 7 ИДЬОВУ 61) Дополнительное к авт. свид-в 1) 207 2) Заявлено 2(23) Приоритет(43) Опубликован в судорствеииый комет авета Мииистраа ССС по делам иэеоретеиийи открытий Бюллетень 29 (53) У 1,327 088.8 45) Дата оп;бликовани 20. 1 О. 76(71) Заявител 54) МАТРИЦА ОПЯ ЗАПОМИНАЮШЕГО УС"РО чис зован для х борах Извесгна магри устройства, ,содер ников, прошитых и разуют обмотки во ца для запоминаюшего жашая две группы сердечроводниками, которые обзбуждения и считывания н ит о гН можен разброс дл тного проводов о обретение относится к электронно-вытельной технике и может быть испольо в запоминаюших устройствах ЗВМ и ранения дискретной информации в приавтома гики. ия 111. 0Однако прошивка "акой матрицы трудоемка, а возможности механизации прошивки гранич,еныИз известных матриц наиболее близкой к изобретению по технической сушности яв ляется матрица для запоминаюшего устройства, содержащая ферритовые сердечники, установленные с обеих сторон пластины и прошитые двумя обмогками возбуждечия и обмоткой считывания, выполненной прямыми 20 и обратными проводами расположенной на пластине параллельно одной из обмоток возбуждения 2.В такой матрице воз ин учасгков прямого и обра б мотки считывания, параллельных обмоткевозбуждения,. а также разброс длин криволинейных переходных учасгков (петель) те;же проводовобразованных при переходе отсердечников крайних столбцов, но расположенных в разных строках. Зго приводит кразличной величине индуктивно-емкостнойсвязи между соответствующими участкамиобмотки считывания и обмотки возбуждеи, вследствие этого, к возникновению дифференциальной помехи, Выравнивание длинуказанных учасгков обмотки считываниявручную недостаточно точно, оно приводк усложнению технологии прошивки и к повышению трудоемкости изготовления матриц,Белью изобрегения является повышениепомехоустойчивости матрицы,Г 1 осгавленная цель достигается тем, чтсферритовые сердечники строк обеих сторонпластины прошиты соогветственно прямыми обратным проводами, намоганными вокру пластины с натяжением,а чертеже представлена схема матрицы для запоминающего устройства,На пластине 1 с обеих сторон размещены сердечники 2, образующие строки истолбцы, Сердечники прошиты двумя обмогками возбуждения. Обмотки 3 условно обозначены Х, прошиты через строки сердечников на одной стороне пластины, затем - черезодноименные строки сердечников на другойстороне. Провода других обмоток 4, условно обозначенных Ц, прошиты обычно, отдельно на каждой стороне пластины. Обмотка 5 10считывания проложена параллельно обмоткамчерез сердечники на верхней стороне пластины,Затем при переходе на другую сторону смешается на одну строку и так обходит половину сердечников разряда. Вторая половина (обратный провод) обмотки считывания при обходеоставшихся сердечников сначала смешаетсяна одну сторону при переходе с верхней стороны пластины на нижнюю, затем на тристроки в противоположном направлении при20переходе с нижней стороны пластины наверхнюю, При этом обмотка считываниянаматывается последовательно вокруг пластины с натяжением обеспечивающим закрепА УИление ее на пластине,Выполнение обмогки считывания прямымии обратными проводами, прошивающими ферритовые сердечники строк соответственнообеих сторон пластины и наматываемымивокруг пластины с натяжением позволяетповысить помехоусгойчивость матрицы за счет исключения разбросов длин участков обмотки считывания, параллельных обмотке возбуждения, а также длин переходных участков обмотки считывания, так как длины этих участков определяются размером пластины; упростить процесс прошивки обмотки считывания,Формула изобретенияМатрица для запоминающего устройства,содержащая ферритовые сердечники, установленные с обеих сторон пластины и прошитые двумя обмотками возбуждения и обмоткой считывания, выполненной прямым иобратным проводами и расположенной напластине параллельно одной из обмоток возбуждения, отлича юша яся тем,что, с целью повышения помехоустойчивости матрицы, ферритовые сердечники строк собеих сторон пластины прошиты соответственно прямым и обратным проводами, намотанными вокруг пластины с натяжением.Источники, принятые во внимание приэкспертизе:1. Патент США3495226,кл. 340 - 174 публ, 1970 г,2, Крайзмер Л. П, "Бысхродействуюшиеферромагнитные запоминающие устройства",изд-во "Энергияф, Москва, 1964 г, стр.120. 24,Составитель А, ВоронинРедактор И. Квачадзе Техред А, Богдан Корректор А, ГриценкоЗаказ 491 О/399 Тираж 723 ПодписноеЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская набд, 4/5филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул, Проектная, 4