Датчик давления
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
Яф фФа ГЕуа фйЛа не, тцпц ЬО 314 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Республик(23) ПриоритетОпубликовано 30,01,76, БюллетеньДата опубликования описания 23.04.7 л." "6 011. 9,(51 Государственный комитат Совета Министров СССРло делам изобретенийи открытий 3) УДК 531.787.9(54) ДАТЧ И ЛЕНИ Изобретение относится к области контрольно-измсрительной техники, в частности может быть использовано в датчиках давления, работающих в условиях быстроменяющихся температур,Работа тензорезисторных датчиков давления в условиях быстроменяющихся температур связана с большими погрешностями на переходных температурных режимах. Причина погрешностей заключается в появлении температурных градиентов в датчике вследствие разной теплоемкости его деталей и связана с возникновением в них температурных деформаций.Известны датчики с термокомпенсацией, содержащие четыре тензометрических моста, плечи которых электрически включены параллельно. В одно пз плеч каждого моста включено термочувствительное сопротивление, компенсирующее схему при равномерном нагреве. Кроме того, имеется отдельный мост, составленный из термочувствительных элементов, компенсирующий дрейф тензометрических мостов от температурного градиента, выход которого через масштабные резисторы включается параллельно выходу тензометрических мостов. Недостаток такой схемы тензометрического датчика - громоздкость, большое число элементов, что не позволяет применять ее в малогабаритных конструкциях. Известная схема температурной компенсации тензометрических мостов с использованием термопар, включаемых в плечи моста, отличается компактностью и позволяет исключить указанные недостатки, так как изменение температуры окружающей среды по отношению к телу, где установлены тензорезисторы, вызывает появление термо-э. д. с., которая используется для термокомпенсации, алгебраически суммируясь с напряжением в плече моста. Недостатком такой схемы является пространственное расположение компенсационной термопары: она приваривается непосредственно к решетке тензорезистора. В этом случае температуры холодного и горячего спаев термопары близки и компенсация недостаточно эффективна.В предложенном датчике с целью повышения точности в условиях быстроменяющихся температур за счет улучшения термокомпенсации при переходном температурном режиме горячие спаи термопар размещены в центральной части мембраны, а холодные - на корпусе, в местах с наибольшей теплоемкостью.На фиг. 1 изображен датчик давления вразрезе; на фиг. 2 - мостовая измерительная схема,Датчик состоит из изготовленных заодноцелое корпуса 1 и мембраны 2, торцовые по верхности которых покрыты слоем диэлектри501314 Рьг г Редактор Г, Яковлева Заказ 603 Изд. Ы. 1 Об 8 Тираж 1029 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5
СмотретьЗаявка
2064563, 04.10.1974
ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ А-1891
АНДРОСОВ ЕВГЕНИЙ ВЛАДИМИРОВИЧ, ЖУЧКОВ АНАТОЛИЙ ИВАНОВИЧ, САБЛИН АРНОЛЬД ВАСИЛЬЕВИЧ
МПК / Метки
МПК: G01L 9/04
Опубликовано: 30.01.1976
Код ссылки
<a href="https://patents.su/3-501314-datchik-davleniya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Датчик давления</a>
Устройство для преобразования напряжения неравновесия тензометрического импульсного моста
Номер патента: 1140051
Опубликовано: 15.02.1985
Авторы: Иванов, Передельский
МПК: G01R 17/10
Метки: импульсного, моста, неравновесия, преобразования, тензометрического
...схема устройства для преобразования напряжения неравновесия тензометрического импульсного моста, реализующего предлагаемый способ, на фиг.2 диаграммы, поясняющие работу устройства.Устройство для преобразования напряжения неравновесия тензометрического импульсного моста для примера ограничено тремя каскадами усиления. Оно содержит трехкаскадный усилитель, между каскадами 1-3 которого включены два синхронных детектора 4 и 5, вход каждого из которых подключен к выходу предыдущего. каскада 1 и 2, два конденсатора 6 и 7, каждый из которых включен между выходом своего синхронного детектора 4 и 5 и общей шиной, блок управления 8 (синхронными детекторами и ключами) к соответствующим выходам которого подключены управляющие входы всех...
Способ подбора температурных характеристик датчиков температуры
Номер патента: 433360
Опубликовано: 25.06.1974
Авторы: Бысов, Горизонт, Рум, Харьковский
МПК: G01K 15/00, G01K 7/28
Метки: датчиков, подбора, температурных, температуры, характеристик
...подбора характеристик тлубина модуляции стала минимальной или равной нулю.Все фигуры поясняют случай, когда характеристики апроксимированы в трех точка.Применение данного способа позволяегзначительно упростить процесс подбора тем.пературных характеристик, механизировать его, исключить аналитический расчет, повысить точность настройки, расширить диапазон настройки.Температурные характеристики датчикатемпературы и анализируемого параметра апроксимируются и преобразуются в ряд электрических сигналов, например, преобразуются в ряд значений омического соцротцв.ления, набранного с помощью магазинов сопротивлений, Затем электрические сиг.налы обеих характеристик, соответствующие определенному значению темпера.туры, сравниваются...
Устройство для преобразования напряжения неравновесия тензометрического импульсного моста
Номер патента: 1456899
Опубликовано: 07.02.1989
Авторы: Макеев, Передельский, Руколеев
МПК: G01R 17/10
Метки: импульсного, моста, неравновесия, преобразования, тензометрического
...построены на основе интегральных преобразователей типа 124 КТ 1 А. Блок управления синхронными детекторами и электронными ключами включает в себя четыре элемента задержки, каждый иэ которых имеет свой выход. Каждый элемент задержки содержит последовательно включенные ждущий мультивибратор на операционном усилителе, БС-диференцирующую цепь и еще один ждущий мульти- вибратор на операционном усилителе.Устройство работает следующим образом.В исходном состоянии все электронные ключи и полевые транзисторь в синхронных детекторах закрыты и емкости разряжены. При поступлении на вход первого каскада 1 усиления импульса напряжения неравновесия тензо. метрического моста с блока 34 черезнекоторое время, необходимое для окончания переходных...
Датчик неэлектрической величины, например, температуры с токовым выходом
Номер патента: 444073
Опубликовано: 25.09.1974
Авторы: Иванченко, Израилев, Кот, Лазукин, Смирнов, Стеколин
МПК: G01K 5/00
Метки: величины, выходом, датчик, например, неэлектрической, температуры, токовым
...же зажиму присоединена1коллекторная цепь транзистора Т й-р-фь типа, в которую включен стабилитрон Д1 Коллекторная цепь транзистора Т , в кото 1 рую включен стабилитрон Д и змиттер 2ная цепь транзистора Т, в которую вклю 2чено термосопротивйение Я , присоединено к зажиму минус. К эмиттерам транзисторов Т и Т присоединено сопротивление1 2, которое уменьшает погрешность уст 3ройства.В качестве приемника информации могут быть использованы, например, источ О ник питания и амперметр, с которого про изводится съем информации. Датчик и приемник соединены парой жил кабеля связи, Передача информации производится методом интенсивности. Расстояние от 46 датчика до приемника может быть от нескольких метров до нескольких километров,Устройство...
Датчик относительной влажности и температуры
Номер патента: 1763960
Опубликовано: 23.09.1992
Авторы: Ануфриев, Титов, Ходос
МПК: G01N 27/00
Метки: влажности, датчик, относительной, температуры
...обнаружено, что позволяет сделать вывод о соответствии заявляемого решения критериям, предъявляемым к изобретению,На чертеже показано схематическое устройстводатчика ОВ и температуры: влагочувствительный 1 и термочувствительный 2 элементы, полупроводниковая пленка 3, диэлектрическая подложка 4, ВЧ-контуры 5, слой герметизирующего немагнитного диэлектрика 6, непроводящий немагнитный корпус 7.Устройство работает следующим образом.Для проведения измерений датчик помещают в исследуемую атмосферу. Удельное сопротивление р пленок кремния в структуре КНС изменяется: в термочувствительном элементе - под воздействием температуры среды, во влагочувствительном - под воздействием и температуры среды, и влаги, поскольку поверхность пленки не...