Привод для запоминающего устройства

Номер патента: 151507

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Берг, Старос

МПК: G11C 11/06

Метки: запоминающего, магнитного, пластина, устройства, ферритовая

...ячейки должны быть направлены в одну сторону. В применяемых пластинах расстояние между отверстиями ячейки равно расстоянию между ячейками, что вызывает частичное или полное разрушение информации, хранящейся в одной ячейке, при многократном обращении в соседнюю ячейку, а, следовательно, препятствует применению форсированных режимов считывания, что необходимо для повышения быстродействия магнитных запоминающих устройств, Для уменьшения разрушающего действия соседних ячеек приходится увеличивать расстояние между отверстиями.Для повышения надежности хранения информации в предлагаемой ферритовой пластине каждая ячейка содержит два отверстия, расстояния между которыми меньше расстояния между ячейками. Печатная обмотка пронизывает оба...

Номер патента: 980161

Опубликовано: 07.12.1982

Автор: Романков

МПК: G11C 11/063

Метки: запоминающее, магнитное, оперативное

...высокий уровень.Схема 45 также выдает нулевой уровень сигнала, указывающий о несравнении поступивших на его входы сигналов, т,е. об отсутствии нарушения в выдаче команды вторым устройством-потребителем. На основании данных нулевых 5 уровней сигналов, поступивших соответственно по выходам 42 и 43, блоки 3 и 4 организуют занесение адре, сов в соответствующие регистры 5,6 и 23,24 и слово для записи в регистр 10 21, Далее подключаются к работе де шифраторы. 7,8,26,25 и блоки 9 и 27, которые определяют номера разрядных обмоток и затем дешифрируют данные номера. Одновременно коды адресов х с регистров 5 и 23, коды адресов.у с регистров 6 и 24 и коды номеров разрядных обмоток с блоков 9 и 27 поступают в блок 32, где они проверяются...

Номер патента: 997098

Опубликовано: 15.02.1983

Авторы: Борисов, Брагин, Зайончковский, Козлов

МПК: G11C 11/14

Метки: доменах, запоминающих, магнитных, устройств, цилиндрических

...ЦМД проводится имплантация ионов в 5 приповерхностный слой доменосодержащей пленки с последующим термическим отжигом при температуре, меньшей температуры эпитаксиального наращивания. Это приводит к существенному уменьшению ростовой анизотропии и тем самым Фактора качества в приповерхностном слое из-за установления статистического распределения редкоземельных ионов по додэкаэдрической подрешетке феррограната вслед ствие резкого увеличения скорости дифФузии, стимулированной большим числом вакансий, созданных в результате ионной имплантации. При этом ростовая анизотропия и фактор качест-о ва на остальной глубине эпитаксиальной пленки остаются практически неизменными, так как указанные параметры существенно снижаются только в случае...

Номер патента: 951394

Опубликовано: 15.08.1982

Авторы: Гомзина, Гришечкин, Зиборов, Игнатенко, Пучкова

МПК: G11C 11/06

Метки: доменах, запоминающего, магнитных, накопитель, устройства, цилиндрических

...аппликациями регистров хранения информации и смещен"ная по отношению к их внешним сторо"нам на расстояние не более одного диаметра ЦМД,На чертеже представлен предлагаемый накопитель для запоминающего устройства на ЦМД, 15Накопитель содержит магнитоодноосную пленку 1, регистр вывода 2,регистры хранения. информации 3, С-образные поворотные Ферромагнитные аппликации 4, токовую шину управления 5 щдополнительную токовую шину управления 6.При передаче информации иэ регистров хранения в регистр вывода накопитель работает следующим образом. 25В момент времени, когда доменынаходятся в зонах основания С-образных поворотных ферромагнитных аппликаций 4, по дополнительной токовойшине управления 6, которая расположена под С-образными...

Номер патента: 1051583

Опубликовано: 30.10.1983

Авторы: Кононенко, Кузьменко

МПК: G11C 5/02

Метки: запоминающих, магнитных, матриц, пленках, устройств, цилиндрических

...изготовления матриц для запоминающих устройств на ЦМП при последовательном формовании нитков числовых обмоток перемещают сформованные петли числовой обмотки к опушке сплетенного полотна при каждом шаге их формования, а несформованную часть проложенного в зев проводника числовой обмотки перемещают при этом паралелльно его первоначальному положению на величину перемещения сформованных петель числовой обмотки при каждом шаге их перемещения.Сущность предлагаемого способа заключается в том, что на специаль" ном устройстве натягивают в качестве основы технологические струны, разводят их для образонания зева, прокладывают в образонавшийся зев проводник числовой обмотки под углом к технологическим струнам, последователь-, но переводят...