Запоминающее устройство

(р 1488257 Союз Советских Социалистических Республик(32) ПриоритетОпубликовано 15. осуаарственный комите авета Министров СССР оо делам изобретенийи открытий 53) УДК 681.327,6(088.8) ллетень Ме 3 Дата опубликования описания 23.01.76 2) Авторы изобретения В. Мартын Г. Самофал Киевский ордена Ленина политехнический институт м. 50-летия Великой Октябрьской социалистической революци(54) ЗАПОМИНАЮЩЕЕ ного устроист действие, мала изкая помехоз сегнет ыми н 1Известно запоминающее устройство, содержащее подложку, соединенную с сегнетоэлектрической пластиной, на которой расположены числовые, общие и разрядные электроды, образующие совместно с участками сегнетоэлектрической пластины запоминающие элементы и объединенные соответствующими проводящими полосками в числовые, общие и разрядные шины.Недостатками извест ва являются невысокое быстро я информационная емкость и н ащищенность.Описываемое устройство отличается от известного тем, что в подложке параллельно разрядным шинам выполнены пазы по количеству разрядов устройства.При этом целесообразно сечение участков пластины между запоминающими элементами выбрать больше сечения пластины в местах расположения запоминаюгцих элементов.Указанные отличия позволяют увеличить помехозащищенность, информационную емкость и быстродействие устройства.На фиг. 1 представлено схематически предлагаемое запоминающее устройство; на фиг.2 - отдельный запоминающий элемент устройства.Устройство (см. фиг. 1) содержит оэлектрическую пластину 1 с нанесен а ее поверхности числовыми 2, общими 3 и разрядными 4 электродами, При этом электроды могут иметь различные расположения, что определяется конструктивными особенностями 5 устройства. В частности, электроды расположеы на обеих поверхностях пластины. Причем на нижнюю нанесены числовые электроды 2, которые в пределах каждого адреса объединены проводящими полосками в числовые 10 шины 5. Общие электроды 3 (по два на каждом элементе) нанесены на верхнюю поверхность пластины, которые также проводящими полосками объединены в общие шины 6, Числовые и общие шины образуют систему пере секающихся между собой шин. На верхнююповерхность параллельно общим электродам 3 нанесены и разрядные электроды (также по два на каждый элемент) по обе стороны от общих. Эти электроды параллельно общим 20 шинам объединены в разрядные шины 7.Электроды 3 могут быть нанесены и на одну поверхность с электродами 2 и объединены в шины, параллельные числовым шинам. Электроды 2, 3 и 4 и расположенные между ними 25 участки пластины составляют отдельные запоминающие элементы. Причем участки пластины между собственно числовыми 2 и общими 3 электродами являются секциями возбуждения, а участки между общими 3 и разрядны- ЗО ми электродами - генераторными секциями.В данном устройстве геператорные секции запоминающих элементов поляризованы жестко продольно и в противоположных по отношению к электродам направлениях (на фиг, 2 направления поляризации показаны стрелками 8), Секции возбуждения каждого запоминающего элемента по отношению к электродам имеют одинаковые направления поляризации, причем поляризация этих участков может иметь то или иное направление, которое задается при записи информации. Пластина 1 на участках между запоминающими элементами, между разрядными электродами соседних элементов механически жестко соединена с подложкой 9, На фиг. 1 эти участки отмечены штрих-пунктирными линиями 10 и механически не связаны с подложкой на участках расположения запоминающих элементов.Последнее достигается тем, что в подложке 9 параллельно разрядным шинам 7 выполнены пазы 11. При этом сечение участков 12 пластины 1 между запоминающими элементами больше сечения пластины в местах 13 расположения запоминающих элементов.Устройство работает следующим образом.Запись информации в устройстве осуществляется путем приложения частей напряжений записи к числовым 5 и общим б шинам. При этом участки сегнетоматериала пластины 1 между числовыми 2 и общими 3 электродами выбранного числа поляризуются так, что устанавливаемые направления поляризации соответствуют коду записываемого числа, так как к электродам выбранного числа прикладываются напряжения, разность между которыми по величине и знаку обеспечивает соответствующую переполяризацию участков. В остальных запоминающих элементах поляризация участков между числовыми и общими электродами остается неизменной, так как прикладываемые к ним разности напряжений по величине являются недостаточными для изменения спонтанной поляризации участков сегнетоматериала.В режиме считывания информации все общие шины б подключаются к общей точке устройства, При этом на выбранную числовую шину 5 подается импульс напряжения считывания, амплитуда и длительность которого выбирается таким образом, что действие импульса не приводит к изменению спонтанной поляризации, а следовательно, не приводит и к разрушению записанной информации. Под действием импульса считывания участки пластины 1 между соответствующими числовыми и общими электродами деформируются. Эта деформация передается на участки материала между разрядными 4 и общими 3 электрода ми. В результате прямого пьезоэффекта насимметричных разрядных шинах 7 появляются импульсы напряжения. Импульсы на обеих разрядных шинах в каждом разряде имеют противоположные полярности. Разнополяр ность импульсов определяется противоположным соотношением заданных направлений поляризации участков сегнетоматериала, расположенных между разрядными, общими и числовыми электродами по обе стороны от каж дого числового электрода. А полярность импульсов на каждой разрядной шине определяется направлением поляризации участков сегнетоматериала между числовыми и общими электродами, т, е, записанной информацией, 25 так как в данном случае поляризация участков между разрядными и общими электродами фиксирована и установлена при изготовлении устройства.30 Предмет изобретения1. Запоминающее устройство, содержащееподложку, соединенную с сегнетоэлектрической пластиной, на которой расположены числовые, общие и разрядные электроды, образу 35 ющие совместно с участками сегнетоэлектрической пластины запоминающие элементы иобъединенные соответствующими проводящими полосками в числовые, общие и разрядныешины, отличающееся тем, что, с целью40 увеличения помехозащищенности, информационной емкости и быстродействия устройства,в подложке параллельно разрядным шинамвыполнены пазы по количеству разрядов устройства.45 2. Запоминающее устройство по п. 1, о т л ич а ю щ е е с я тем, что сечение участков пластины между запоминающими элементамибольше сечения пластины в местах расположения запоминающих элементов,,3 Д Ф Х 12 Составитель В, Рудаков Техред М, Семенов Редактор Б. Нанкина Корректор А. Дзесова Типография, пр. Сапунова, 2 Заказ 3382/13 Изд.1900 Тираж 648 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5