Устройство для моделирования транзистора

ного напряжении для диодного элемента,который реализует ограничение лишь при"отрицательной полярности выходного наприженияусилителя 4, что соответствует положительной полярности напряжения0 источника 2,Устройство для моделирования транзистора работает следующим образом.При подаче на вход усилителя-ограничителя 4 напряжения 0 от источника 2, Опропорционального напряжению Отранзистора, на выходе усилителя 4 вырабатывается напряжение 0, пропорциональное току коллектора транзистора 1 , нос обратным знаком. Значение этого напряжения зависит от величины управляюшегонапряжения О, пропорционального токубазы р транзистора, которое подается навход усилителя-ограничителя 3 от источника 1. При неизменном значении напря- , 20жения 0, соответствующем некоторомупостоянному значению тока базы транзистора, например 1, устройство воспроизводит нелинейную зависимость 0=( 0)которая соответствует лишь одной ветви 25семейства коллекторных вольтамперныххарактеристик=) для тока 1(см. фиг, 2). Эта зависймость имеет двахарактерных участка; начальный, болеекрутой, участок и участок насыщения, соединяюшиеся в точке перегиба, При увеличении управляющего напряжения ( возрастает опорное напряжение делителя 6 и участок насьпцения моделируемой вольтамперной характеристики транзистора смещается вверх параллельно самому себе на величину, пропорциональную величине управляюшего напряжения, При этом точка перегиба скользит по линии, являющейсяйродолжением начального участка характе- фристики, Соответственно при уменьшенииуправляюшего напряжения участок насышения характеристики перемешается вниз,Величина наклона начального участкахарактеристики регулируется потенциометром 10 наклон участка насыщения определяется величинами сопротивления рези-"сторов 11 и 12. Коэффициент усилениятранзистора по току в модели можно варьировать, изменяя передаточный коэффициент усилителя 3.Если модель транзистора работает в 4качестве составной части более сложной. - модели, то может оказаться, что в определенные интервалы времени .напряжения О Ц источников 1 и 2, пропорциональныеи О , соответственно, будут отрицательными.Диоды 8 и 9 служат длялФ" "фтого, чтобы ограничить выходное напряже-, ние каждого из усилителей 3 и 4 при отрицательной полярности напряжений 0 и ( . Так обеспечивается соответствие между раельным транзистором и его моделью. В реальном транзисторе при 1 С0 и ОО ток коллектораравен нулю (отрицательный ток утечки во внимание не принимается). В модели при отрицательных значениях напряжений 0, О источников 1 и 2, моделирующих 1 и О )ф напряжение 0 на выходе усилителя 4, пропорциональное коллекторному току 1 , также равно нулю.Для реализации усовершенствованной модели транзистора, воспроизводящей более точно коллекторные вольтамперные характеристики транзистора при аппроксимации каждой из них большим числом отрезков, в обратную связь усилителя-ограничителя 4 необходимо включить пераллельно имеюшемуся дополнительные трехполюсные диодные нелинейные элементы, причем каждый новый ,диодный элемент соответствует отрезку кусочно-линейно аппроксимированной вольтамперной характеристики транзистора.Пр едм е т,изо бр е тенинУстройство для моделирования транзистора, содержашее источники напряжения, усилители-ограничители, инвертор делитель напряжения, элемент односторонней проводимости, о т л и ч а ю ш е е с я тем, что, с целью упрощения и повышения точности в работе устройства, выход первого источника напряжения через последовательно соединенные первый усилитель-ограни читель и инвертор подключен к первому входу делителя напряжения, второй вход которого подключен к выходу второго усилителя-ограничителя, первый вход которого соединен с выходом второго источника напряжения, а второй вход через элемент односторонней проводимости подключен к выходу делителя напряжения.485470 ставитель Е.Тимох едактор л 11 орозо ехре ктор ц,неева Тираж 679 олписно в ССС венис и из, 1130 релврвятие атент, Москва,59, Бережковская иаф/ Изл, Ж 1 ИПИИИ 1 1 осударстпо дел Моска о комите 1 а Совета Мни бретевий и открытий 35, Раушская наб., 4