Одновибратор

бйЭщфБА 1 П 11 0 Ч СЩ Оп ИСЭНф46572 О Союз Советских Социалистических Республик(б 1) Зависимое от авт. свидетельства 22) Заявлено 24.01,73 1875551 26-9 Н 03 с 3/2 рисоединением заявки2) Приорит Государственный комитет света Министров СССРлв делам изобретений и вткрытнй. Кочергин и С. Г. Архипо ооретения 71) Заявител Новосибирский электротехнический инсти 54) ОДНОВИБРА етение относится к области импульсники и может быть использовано длячастоты следования непериодическихных сигналов,ген одновибратор на транзисторах ода проводимости с коллекторно-оазовыями и термостабилизирующим диодом,ным между одной из обкладок времяего конденсатора и базой закрытого вм состоянии транзистора. 10о известный одновибратор не обеспееление частоты следования непериодиимпульсных сигналов и имеет недою стабильность коэффициента деле 15 коллекто пиальная схе; на фиг. 2 - щие его раЦель изобретения - осуществление процес- а деления частоты следования импульсных непериодических сигналов и повышение стабильности коэффициента деления,Для этого в одновибратор введен ключ на ранзисторе того же типа проводимости, собранный по схеме с ОЭ, база которого соединеа с источником синхронизирующих импульов, и импульсный генератор тока на транзиторе противоположного типа проводимости, коллектор которого соединен с общей точкои между времязадающим конденсатором и теростабилизирующим диодом, эмиттер - через езистор с шиной источника питания, база -через резистор с тои же шинои источника пи Изобр ной тех деления импульсИзвес ного тип включен задающ исходноОднак чивает д ческих статочну ния. тания и через конденсатор с транзисторного ключа.На фиг, 1 изображена принци ма предлагаемого одновибратора временные диаграммы, поясняю боту. В цепь базы транзистора 1 одновибратора для термостабилизации включен кремниевый диод 2. Между коллектором транзистора 3 и катодом упомянутого диода включен времязадающий конденсатор 4. Общая точка соединения диода 2 и конденсатора 4 через импульсный генератор тока на транзисторе 5 противоположного типа проводимости подключена к общей шине б источника питания Е. База транзистора 5 через резистор 7 соединена с потенциальной шиной б и через конденсатор 8 - с коллектором ключа на транзисторе 9 включенного по схеме с общим эмиттером. Точка соединения конденсатора 8 и коллектора транзистора 9 через резистор 10 подключена к общей шине б источника питания Е. За исключением транзистора 5 применены транзисторы одного типа проводимости,В исходном состоянии транзистор 1 закрыт, Транзистор 3 находится в состоянии насыщения, Времязадающий конденсатор 4 заряжен до величины напряжения источника питания Е. Поскольку потенциал катода диода 2 выше, чем потенциал анода, последний оказыва3ется закрытым, Транзистор 5 также закрыт и находится в состоянии отсечки. Отрицательный импульс синхронизации поступает на базу транзистора 9, переводя его в состояние насыщения. Конденсатор 8 начинает заряжаться до величины напряжения источника питания Е. Ток заряда протекает по цепи: Земля - насыщенный транзистор 9 - конденсатор 8 - резистор 7. Таким образом, в коллектор транзистора 5 с каждым импульсом запуска поступает дозированный заряд носителей, вели. чина которого определяется только значением напряжения источника питания и величиной емкости конденсатора 8. Каждый импульс синхронизации понижает потенциал катода диода 2 (правая обкладка конденсатора 4) на строго фиксированную величину - ступеньку (см. фиг, 2, эпюра напряжения У). Амплитуда ступеньки определяется площадью импульса тока коллектора транзистора 5, и-й импульс открывает диод 2 и транзистор 1. В схеме возникает регенеративный процесс, в результате которого транзистор 3 закрывается, переходит в состояние отсечки, а транзистор 1 насыщается током заряда конденсатора 4, Временем заряда конденсатора 4 определяется время восстановления схемы, После восстановления начального напряжения на накопительном конденсаторе 4 в схеме возникает обратный регенеративный процесс, в результате которого схема возвращается к своему исходному состоянию. На фиг, 2 показана эпюра напряжения в цепи коллектора транзистора 1 (Уы), иллюстрирующая процесс деления частоты.При изменении напряжения источника питания изменяется величина начального напряжения на времязадающем конденсаторе 4 и, пропорционально этому изменению, - амплитуда ступеньки. Поскольку процесс уменьшения напряжения на конденсаторе 4 носит перезарядный характер, коэффициент деления а не зависит от величины напряжения источника питания и при Рб = Я, определяется соотношением:5С 4 й: -а, где а - коэффициент передачи тока эмиттера транзистора 5;10 Си С 8 - емкости конденсаторов 4 и 8 одновибратора, соответственно.Таким образом, коэффициент деления и независит от амплитуды подводимых импульсов, порогового напряжения ключа и напряжения 15 источника питания, что существенно повышаетстабильность коэффициента деления частоты повторения импульсных сигналов.Предмет изобретения 20 Одновибратор на транзисторах одного типапроводимости с коллекторно-базовыми связями и термостабилизирующим диодом, включенным между одной из обкладок времязадающего конденсатора и базой закрытого в 25 исходном состоянии транзистора, о т л и ч а ющийся тем, что, с целью обеспечения возможности деления частоты непериодических импульсных сигналов и повышения стабильности коэффициента деления, в него введен ключ 30 на транзисторе того же типа проводимости,собранный по схеме с ОЭ, база которого соединена с источником синхронизирующих импульсов, и импульсный генератор тока на транзисторе противоположного типа проводи мости, коллектор которого соединен с общейточкой между времязадающим конденсатором и указанным диодом, эмиттер - через резистор с шиной источника питания, база - через резистор с той же шиной источника питания 40 и через конденсатор с коллектором транзисторного ключа.465720 имаулъсо иг. Составитель О. Кочерги хред Т. Курилко Корректор Л. Кото едактор Н. Коляда 02 Подпнсно стров СССР Заказ 1383/14ЦНИ Го Типография, пр. Сапунова Изд.1 дарственного по делам изо Москва, Ж,5 Тиражомитета Совета Миетений и открытийаушская наб., д. 45