Формирователь импульсов

Номер патента: 705660

Опубликовано: 25.12.1979

Автор: Скрябин

МПК: H03K 5/153

Метки: входного, длительности, заднему, импульса, импульсов, малой, переднему, формирователь, фронтам

...уровень напряжения, так как на вто.рой вход элемента 3 совпадения с выхода элемента б поступает низкий потенциал.Входной импульсотрицательной йолярностипоступает на шину 10, При этом на первом,входе элемента 3 совпадения действует нуле вой уровень, а на первом входе элемента 2совпадения единичный уровень с выходаинвертора 1. Наличие двух единичных уровнейна обоих входах элемента2.совпадения приводит к появлению на его выходе убвня"логй.ческого нуля, который поступает на первыйвход триггера 4 и перебрасывает его в противоположное исходному состояние, Нулевойуровень с выхода элемента 7 совпадеййя начинает действовать на втором входе элемейта 2совпадения и приводит к появлению на выходеэтого элемента уровня логической единицы.Яа...

Номер патента: 738126

Опубликовано: 30.05.1980

Авторы: Бобылев, Демкин, Прянишников, Худавердиев

МПК: H03K 5/01

Метки: импульсов, коротких, полярности, прямоугольных, формирователь, чередующейся

...следующим образом.Если к шине 2 источника переменногонапряжения приложена положительная по2 источника переменного напряжения, ограничитель 3 тока, включенный последовательно с насышающимся трансформатором 4. Ограничитель 3 тока выполнен по 35 мостовой схеме, одне диагональ его содержит последовательно соединенные триоды5 и 6, база триода 5 через базовый резистор 7 подключена к концу обмотки 8насышаюшегося трансформатора 4 и через базовый конденсатор 9 - к концу обмотки 10 дополнительного трансформатора11, база триода 6 через базовый резистор 12 подключена к началу обмотки 13 насышающегося трансформатора 4 и через базовый койденсвтор 14 - к началу обмотки 15 дополнительного трансформатора 11.Средняя точка этой диагонали подклю 45...

Номер патента: 517148

Опубликовано: 05.06.1976

Авторы: Веденеев, Морозов, Рыбак

МПК: H03K 5/00

Метки: импульсов, коротких, полярности, прямоугольных, формирователь, чередующийся

...импульсов улучше мы, агаемый формирователь отличаетчто в него введены два дополнитранзистора и два шунтируюшихичем эмиттеры транзисторов усиэшнэсти соединены с клеммами юшее выходное напряжение атора открывает транзистор ранзистор 2. По обмотке 16 Ц течет начальный тэк кол ора 3, на ней возникас.тэ.д.скоторая, трансформируясь в обмоткуобратной связи 18, открывает транзистор 3.Все напряжение питания оказывается приложенным к обмотке 16. Через некотороевремя трансформатор 15 насыщается, и на- бпряжения на его обмотках оказываются равными нулю. При этом транзистор 3 закрывается, разрывая цепь подключения обмотки16 к клемме питания, Разрыв цепи вызывает возникновение э,д.с. самоиндукции на 1 Ообмотках трансформатора, которая шунтируется...

Номер патента: 1723648

Опубликовано: 30.03.1992

Авторы: Кочкарев, Хрипко

МПК: H02M 9/06

Метки: активно-индуктивной, емкостный, импульсы, канальной, нагрузки, накопитель, питания, прямоугольные, рекуперацией, трехфазного, энергии

...11 - 16. Тиристорный ключ первогоканала состоит из основного тиристора 17,коммутирующего тиристора 18, коммутирующего конденсатора 19, зарядного резистора 20 и рекуперативного диода 21.40 Ключи 7 и 9 аналогичны тиристорномуключу 5. Тиристорный ключ 6 второй группынагрузок отличается от ключа 5 обратным(по полярности) включением диодов и тиристоров, ключи 8 и 10 аналогичны ключу 6,В ключе 5 основной тиристор 17 и коммутирующий тиристор 18 соединены анодами, между их катодами включен конденсатор 19, зарядный резистор 20 включен между общей точкой преобразователя и катодом коммутирующего тиристора 18. Нагрузка включена между катодом основного тиристора 17 и общей точкой преобразователя. Элементы остальных ключей включены аналогично (в...

Номер патента: 118859

Опубликовано: 01.01.1959

Автор: Катаев

МПК: H03K 5/159

Метки: импульсов, крутым, формирования, фронтом

...фронта импульса, прошедшего через подобную линию, увеличится.Применение подобных устройств дает возможность упростить процесс формирования высоковольтных (с амплитудой больше 100 в) импульсов с крутыми фронтами нане,"екундной длительности.Для получения острого заднего фронта импульса в элементах искусственной линии задержки необходимо применить такие среды, в которых произведение магнитной и диэлектрической проницаемости будет увеличиваться с ростом мгновенного значения амплитуды импульса,Ежели устройство будет с одинаковым ослаблением пропускать все частоты спектра, то при соответствующем выборе длины искусственной линии длительность фронта импуьса на выходе может быть еде;1 ана равной нулю при длительности фронта па входе...