416866

/У. ОПИСАНИЕ ИЗОБВЕТЕН ИЯ 4 И 866 Союз Советеки 1 т Социалистических Республикъ. Г К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Зависимое от авт. свидетельства М И. Кл. Н 031 с 1756 Заявлено 02.1.1972 ( 1747877/26-9) с присоединением заявки Ъе ПриоритетОпубликовано 25.1,1974, Бюллетень7Дата опубликования описания 24.И.1974. осудерственныи кометеСовета Министров СССРво делам изооретеннйи открытий 21.374,33 (088.8) Авторзобретения И. Черников Заявите ОЛУПРОВОДНИКОВЬ й КОММУТАТОР Изобретение отн трических сигнало диапазона и мож стемах сбора, нак мации, в электро ке, в ядерной рад 20 Поступающие па резистор гашения входныекоммутируемые импульсы делятся на делителе, образованном резистором 1 и сопротивлением диода 9, в открыгом направ,чении Р д Откр и так как Й 1 З+1 хдоткр на нагрузочном рези 25 сторе 6 выходные импульсы отсутствуют. Ве.личина входного коммутируемого сигнала не должна превышать 1"Р 1, в противном случае произойдет закрывание диода 9, что вызывает увеличение падения напряжения на нагрузоч ном резисторе 6. осится к коммутации элекв микро- и наносекундного т быть использовано в сиопления и обработки инфорной вычислительной техниоэлектронной аппаратуре и Известны полупроводниковые коммутаторы, содержащие ключевой транзистор, база которого подключена к шине управления, а коллектор - к месту соединения резистора гашения, связанного с входной шиной, и резистора нагрузки, связанного с общей шиной, а также резисторы в цепях смещения, Однако сравнительно,невысокое быстродействие связано с тем, что ключевой транзистор работает в режиме насыщения.Целью изобретения является повышение быстродействия.Для этого 1 коммутатор содержит диоды, причем эмиттер ключевого транзистора через диод и резистор подсоединен к соответствующим шинам питания источников напряжения смещения, а параллельно резистору нагрузки включен диод,Кроме ого, с целью повышения коэффициента передачи, соответствующий вывод резистора гашения подсоединен к эмиттеру допо,чнительного транзистора, коллектор которого подсоединен и ко,члектору ключевого транзистора, а база подсоединена к шине питания источника напряжения смещения.Ка фиг. 1 изображена схема предлагаемого коммутатора; иа фнг, 2 - то же, вариант исполнения.Устройство содержит резистор 1 гашения, ключевой транзистор 2, разделительный конденсатор 3, резисторы 4 - 7 и диоды 8 и 9.В исходном состоянии прп отсутствии импульса управления, подаваемого на базу ключевого транзистора 2, последний открыт и через него протекает ток 1, определяемый номиналами напряжений +Е и +Еьа также величиной сопротивления резистора 7. Протекание тока 1 поддерживает открытое состояние диода 9, напряжение на его аноде, а, следовательно, и на нагрузочном резисторе 6, близкое к нул;о,При подачс через разделительный конденсаор 3 иа базу ключевого транзистора 2 управляю:цего сигнала последний закрывается, и протекавший через него ранее ток замыкается через диод 8, причем Е) )Е, . Диод 9 закрывается, входной коммутируемый импульс поступает на выход и выделяется на нагрузочном резисторе б с коэффициентом передачид,закрй, +й,йрСхема, образуемая ключевым транзистором 2, диодами 9 и 8 и .резистором 7, представляет собой токовый переключатель, т. е. схему, в которой отсутствует насыщение полупроводниковых элементов и,которая обладает высоким быстродействием при переключении, так как происходит переключение одного и того же тока из одной цепи в другую при малых управляющих напряжениях. В качестве диода 9 может бызь использован транзистор при условии обеспечения большого значения запирающего напряжения.На фиг. 2 изображена схема варианта коммутатора, содержащего дополнительный транзистор 1 О, эмиттер которого подсоединен к резистору 1 гашения, коллектор - к коллектору ключевого транзистора 2, а база к шине питания источника напряжения смещения - Ео Электрическая цепь, образуемая резистором гашения, транзистором 10 и нагрузочным резистором 6, представляет собой транзисторный каскад с общей базой.Коэффициент передачи этого каскада определяется как Я 6где ,в - сопротивление перехода эмиттербаза транзистора 10, В этом случае Кр=1 при Р -- Я, и выполнения условия РЛВ не требуется. Номинальные значения резистора 5 нагрузки выбираются теперь только из услоВия Лбд откр, и при Р д откр., равном единицам ом (для высокочастотных импульсов диодов Р может быть выбрано порядка сотен ом).10 Уменьшение номиналов резисторов Р, и Я,уменьшает постоянные времени перезаряда паразитных емкостей, подключенных к выходу и входу схемы, и, тем самым, дополнительно повышает ее быстродействие.15Предмет изобретения1. Полупроводниковый коммутатор, содер жащий ключевой транзистор, база которогоподключена к шине управления, а коллектор подключен к месту соединения резистора гашения, связанного с входной шиной, и резистора нагрузки, связанного с общей шиной, 25 резисторы в цепях смещения, о т л и ч а ющ и й с я тем, что, с целью повышения быстродействия, он содержит диоды, причем эмиттер ключевого транзистора через диод и резистор подсоединен к соответствующим шинам пита ния источников напряжения смещения, а параллельно резистору нагрузки включен диод,2. Коммутатор по п. 1, отличающийсятем, что, с целью повышения коэффициента передачи, соответствующий вывод резистора 35 гашения подсоединен к эмиттеру дополнительного транзистора, коллектор которого подсоединен к коллектору ключевого транзистора, а база подсоединена к шине питания источника напряжения смещения.Составитель ьев Редактор 3. Твердохлебова Техред Г. Васильева Корректор М, Лейзерман Заказ 1468(10ЦНИИП ПодшССР пографця, пр. Сапунова Изд. М 503сударствепного ко по делам изобре Москва, Ж.35, Ра Тираж 811:итета Совета Ми пистгений и открытийшская наб., д. 45