411610

ОПИСАНИЕ 411610ИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистицеских Республик( 1680760/26-9) ависпмое от авт, с аявлено 19.Ч 1,197 Н 031 с 3/3 и 1 соедипенисм за осударственнын комитетСовета Министров СССРва делам изобретенийи аткрытий ПриоритетОпубликовано 15 Л.1 УДК 621.373.531,24, Бюллетень2 описания 22 Х.1974 а опубликован Авторизобретения Б. А, Глебо осковский ордена Ленина энергетический инст аявитель ЛОКИ Н Г-ГЕН ЕРАТОР 2 Изобретение относится к а жет быть использовано в кач прямоугольных импульсов.Известен блокинг-генератор ре, содержащий последовател дающую 1.С-цепь и шунти включенный через резистор транзистора,томатике и мо отве генератора на транзистоьную времязарующий диод,базовую цепь Этот блокинг-генератор стабильностью частоты ге сов. ладает низкой уемых импульС целью повышения стабильности частоты генерации в предлагаемом блокинг-генераторе времязадающая 1.С-цепь подключена через дополнительно введенный дроссель к шунтирующему диоду, а общая точка соединения конденсатора и катушки индуктивности времязадающей 1 С-цепи соединена с коллекто. ром транзистора через дополнительно введенные диод связки и цепочку, содержащую последовательно включенные один с другим диод, дополнительную обмотку трансформатора, резистор и конденсатор, причем параллельно цепочке, состоящей из дополнительной обмотки трансформатора, резистора и конденсатора, подключен резистор,На чертеже приведена принципиальная электрическая схема предлагаемого блокинггенератора. Блокинг-генератор содержит транзистор 1и последовательную времязадающую 1.С-цепь, состоящую из,катушки 2 индуктивности и конденсатора Зшунтирующий диод 4, включенный через резистор 5 в базовую цепь тран зистора 1.Времязадающая 1.С-цепь подключена черездроссель 6 к диоду 4, а точка соединения катушки 2 и конденсатора 3 соединена 10 с коллектором транзистора 1 черездиод 7 связи и цепочку, содержащую последовательно один с другим диод 8, обмотку 9 трансформатора 10, резистор 11 и конденсатор 12. Параллельно цепочке, состоящей из 15 обмотки 9, резистора 11 и конденсатора 12,подключен резистор 13.В момент открывания транзистора 1 па всехобмотках трансформатора 10 появляются перепады напряжения, конденсатор 3 заряжа ется напряжением, полярность которого показана на чертеже. Действием напряжения на дополнительной обмотке 9 на общей точке обмотки катушки 2 и конденсатора 3 создается отрицательный потенциал, и диод 7 оказы вается запертым.Конденсатор 3 заряжается через цепь, состоящую из последовательно включенных транзистора 1, дросселя 6, конденсатора 12, резистора 11, обмотки 9 и диода 8, По мере 30 заряда конденсатора 12 током, протекающимчерез него и обмотку 9, потенциал на аноде диода 7 повышается и в момент, когда он превысит катодный потенциал на величину порога отпирания диода 7, диод 7 отпирается, и ток разряда конденсатора 3 замыкается через последовательно включенные диод 7, транзистор 1 и дроссель 6, минуя источник 14 питания. Процесс разряда конденсатора 3 имеет колебательный характер.Через полупериод после начала этого процесса протекание тока через диод 7 прекращается, а конденсатор 3 окажется заряженным напряжением, полярность которого противоположна показанной на чертеже, а амплитуда несколько превышает начальное напряжение на конденсаторе 3, так как во время разряда конденсатора 3 в контур, образованный катушкой 2, конденсатором 3 и дросселем 6, вносится энергия от источника 14 питания. После запирания диода 7 в схеме заканчивается первый этап процесса,Во время второго этапа, независимо от состояния транзистора 1, диоды 7 и 8 оказываются под обратным напряжением (это обусловлено напряжением на пер езарядившемся конденсаторе 3), что приводит к отделению колебательного контура, образованного последовательно включенными катушкой 2, конденсатором 3 и дросселем 6, от основной части схемы высоким обратным сопротивлением запертых диодов 7 и 8, в результате обеспечивается высокая добротность контура и слабое влияние остальной части схемы на колебательный процесс в этом контуре. При этом полярность напряжения на аноде диода 7 изменяется на прямую. Однако, если к этому моменту импульс при нагрузке 15 завершится, т. е. транзистор 1 находится в закрытом состоянии, то параллельно конденсатору 3 и дросселю 6 включаются высокие сопротивления, а следовательно, и добротность контура остается высокой.Из-за накопления энергии в контуре амплитуры переменного напряжения на аноде диода 7 выше, чем напряжение питания, и отделение контура от источника 14 питания осуществляется с помощью диода 16,5 Падение напряжения на диоде 4 от токаконтура обеспечивает поддержание закрытого состояния транзистора 1. Через половину периода колебательного процесса ток в контуре меняет направление на обратное, диод 4 за пирается, и ток контура вызывает срабатывание блокинг-генератора.Далее процессы повторяются.Изменяя параметры резисторов 11, 13 иконденсатора 12, можно регулировать поступ ление энергии в контур и тем самым регулировать амплитуду переменного напряжения на конденсаторе 3 и амплитуду напряжения на транзисторе 1.Для предложенной схемы блокинг-генера тора характерна стабилизация периода работы всей схемы в целом, что дает возможность получения импульсов высокой стабильности.Предмет изобретения 25 Блокинг-генератор на транзисторе, содержащий последовательную врем язадающую 1.С-цепь и шунтирующий диод, включенный через резистор в базовую цепь транзистора, отл ич аю щи й с я тем, что, с целью повыз 0 щения стабильности частоты генерации, времязадающая 1.С-цепь подключена через дополнительно введенный дроссель к шунтирующему диоду, а общая точка соединения конденсатора и катушки индуктивности врез 5 мязадающей ЕС-цепи соединена с коллектором транзистора через дополнительно введенные диод связи и цепочку, содержащую последовательно включенные один с другим диод, дополнительную обмотку трансформато ра, резистор и конденсатор, причем параллельно цепочке, состоящей из дополнительной обмотки трансформатора, резистора и конденсатора, подключен резистор.Составитель Ю. ЕркинРедактор Т. МорозоваТехред 3, ТараненкоКорректор 3, ТарасоваЗаказ 1107/4 Изд1188 Тираж 811 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам, изобретений и открытий Москва, Ж, Раушская наб д. 4/5 Типография, пр. Сапунова, 2