Импульсный датчик напряжения

т.о овна.,бнбли:т.;кэ. М Й ОП ИСАНЙЕ ИЗОЕЕЕТЕНИЯ 393703 Союз Советских Социалистических РеспубликК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВ Зависимое от авт. свидетельстваЗаявлено 28.1 Х,1970 ( 1483305/24-7)с присоединением заявки1483306/24-7ПриоритетОпубликовано 10 Х 11.193. Бюллетень33Дата опубликования описания 26.Х 11.1973 л, б 01 г 31/16 Государственный комитетСовета Министров СССРпо делам изобретенийи открытий 621.317.333.8(088.8) Авторизобретения ф, Шикало восибирский электротехнический институт аявитель ПУЛЬСНЫЙ ДАТЧИК НАПРЯЖЕНИЯ Предлагаемое изобретение относится к датчикам напряжения и может использоваться в статорпых обмотках электрических машин (или в других электротехнических устройствах) низкого и высокого напряжения с целью вывода сигнала импульсного напряжения на реле волновой защиты.Для этой цели в настоящее время иопользуются стандартные трансформаторы напряжения, активные и емкостные датчики.Предлагаемое изобретение у 1 совершенствует емкостный датчик, который выполняется в виде конденсатора, одним электродом которого является токопроводящий стержень статорной обмоткой (или другой изоляционной конструкции), а другим - наложенный на изоляцию проводящий электрод из фольги. Такой датчик имеет передаточную функцию, целиком зависящую от величины емкости датчика и входного сопротивления реле волновой защиты, и обладает низкими фильтрующими свойствами, Кроме того, в случае применения датчика на высоковольтных конструкциях наблюдается возникновение короны и скользящих разрядов у краев проводящего электрода.Эти недостатки устраняются в предлагаемой конструкции импульсного датчика напряжения. Это достигается благодаря тому, что датчик выполнен в виде нанесенного на поверхность изоляциями токопровода резистивного пленочного покрытия и установленных на немэлектродов. В случае применения датчика навысоковольтных конструкциях он снабжен дополнительным резистивным покрытием, расположенным по краям основного покрытия,причем один из электродов установлен в цент 10 ральной части основного резистивного покрытия, а другие - на стыке основного и дополнительного покрытий.На фиг. 1 представлена схема установкиимпульсного датчика для низковольтных кон 15 струкций; на фиг. 2 - схема установки датчика для высоковольтных конструкций.Импульсный датчик напряжения содержиттокопроводящий электрод 1 (стержень), основную изоляцию 2, дополнительную изоля 20 цию 3, основное резистивное пленочное покрытие 4.Импульсный датчик напряжения можетбыть выполнен на открытом участке основнойили дополнительной изоляции изоляционной25 конструкции кабельного типа в однофазномилп многофазном исполнении, на неизолированных проводниках или шинах с предварительным наложением дополнительной изоляции на полное рабочее напряжение или в ви 30 де самостоятельной конструкции,Для низковольтных конструкций импульсный датчик напряжения, состоит из рабочего резистивного покрытия 4 и токосъемных электродов 5 и б. При заземлении одного из электродов 5 или б непосредственно или через небольшое сопротивление со второго можно снимать сигнал импульсного напряжения.В электрическом отношении импульсный датчик напряжения является распределенной КС-структурой, передаточная функция которой зависит от частоты приложенного напряжения,При воздействии на датчик напряжения промышленной частоты его продольное активное сопротивление оказывается значительно меньше поперечного емкостного и шунтирует электроды 5 и б, Разность потенциалов оказывается между ними недостаточной для срабатывания реле защиты: затухание датчика велико. При воздействии импульсного напряжения поперечное емко стное сопротивление значительно уменьшается (пропорционально частоте), и когда становится соизмеримо или меньше активного продольного сопротивления, между электродами 5 и б возникает достаточная для срабатывания реле разность потенциалов.Для высоковольтных конструкций импульсный датчик напряжения состоит из рабочего резистивного покрытия 4, краевых резистивных пленочных покрытий 7, 8 и токосборных электродов 9 - 11.Краевые покрытия 7, 8 имеют большее сопротивление на единицу длины, чем рабочее резистивное покрытие 4, причем величина сопротивления краевых покрытий увеличивается, по мере удаления от токосъемных электродов 9 и 10, которые расположены на стыках основного и дополнительных краевых покрытий. Низкопотенциальные кольцевые токо- сборные электроды всегда должны быть соединены вместе и заземлены, Потенциальный токосборный электрод 11 расположен в средней части рабочего покрытия симметрично по отношению к низкопотенциальным электродам 9, 10. В общем случае резистивное крае вое покрытие целиком охватывает рабочее резистивное покрытие, которое является внутренней областью,При работе импульсного датчика на высоковольтной конструкции у вго краев (около вы ходовых низкопотенциальных электродов) невозникает корона, и скользящие поверхностные разряды, вследствие шунтирования краевым резистивным покрытием продольного поверхностного сопротивления изоляции и сни жения максимальных поверхностных напряженностей до величин, меньше критических.Предмет изобретения201. Импульсный датчик напряжения дляволновой защиты электротехнических устройств, выполненный на токопроводе защищаемого устройства, отличающийся тем, что, с 25 целью устранения ложных срабатываний волновой защиты н повышения надежности ее работы, он выполнен в виде нанесенного на поверхность изоляции токопровода резистивного пленочного покрытия и установленных 30 на нем электродов.2. Импульсный датчик по п. 1 отличаюиийся тем, что он снабжен дополнительным резистивным покрытием, расположенным по краям основного покрытия, причем.один из элек тродов установлен в центральной части основното резистивного покрытия, а другие - на стыке основного и дополнительного резистивных покрытий,3. Импульсный датчик по пп, 1, 2, отличаю икайся тем, что дополнительное резистивноепокрытие выполнено с неравномерным по длине сопротивлением.3393703 РигСоставитель Б. КолкерТехред А. Камышникова Реда льдм Подп испо каз 3429 СССР П Типография, пр. Сапунова,Изд. М 879сударственного комитпо делам изобретенМосква, Ж, Рауш Тираж 755ета Совета Министй и открытийская наб., д. 4/5 Корректор Н. Ауи Т, Добровольска