Способ измерения омической искусственной линии

кусственйой лини К авторскому сви заявленному 24 О выдаче авторског. Цим года ( тельству М. апреля 14 видетельства убл наличия двух батарей и их постоянной проверки, потребность. эталонов.на Ь = 3, выполненных соответственно типу линии. Указанные недостатки устраняются предтагаемым согласно изобретению методомь основанным на использовании схемы Мостика Уитстона, Для определения затухания искусственной линии ее элементы включаются в две ветви и в диагональ моста с той целью, чтобы по отношению сопротивлеыий двух других ветвей можно было найти затухание, Волновое сопротивление омической искусственной линии находится путем включения, в одну из ветвей моста всей линии параллельно с регулируемым добавочным сопротивлением, дающим непосредственно величину волнового сопротивления.На чертеже фиг. 1 и 2 изображают различные схемы искусственной линии: Н-образной симметричной и Т-образной несимметричной; фиг. 3 - представляет схему вышеупомянутого прибора Сименс и Гальске; на фиг, 4, б, 8 (с Н-образными линиями) и 5, 7 и 9 (с Т-образными линиями) представлены принципиальные схемы для измерения этим методом затухания большой величины и затухания малой величины и волнового сопротивления.Для воздушных линий и пупинизированного кабеля, т. е. для наиболее чаАВТОРСКОЕ СВИЙЕТЕЛг В практике телеграфно-телефонныхизмерений часто приходится- иметь делос искусственными ойическими линиями;являющимися- простейшим средствэмприблизительного воспроизведения дей.ствительных линий. Проверка изготовлен- ной искусственной линии, производящаяся путем измерения сопротивлениякатушек, не дает гарантии жответствияизготовленной линии с заданнымн затуханием и волновым сопротивлениея,в виду возможной ошиоки в расчете,которая таким образом остается необнаруженной. Поэтому волновое сопротивление и затухание изготовленной линиицелесообразнее .определять непосредственным измерением,Одним из известных приборов дляпроверки таких -искусственных лиуйй.постоянным током служит компенсационное устройство разработанное, например,фирмой Сименс и Гальске. При компенсационном методе измерений применяемые здесь две батареи должны бйтьодинакового напряжения. Затухайие, может быть определено с достаточнойточностью в Случае, если величина затуха-,ния Ь больше 3 непер.,Для измерений затуханий, . мейьщихуказанной величины, приходится подключать эталоны на Ь =3.В качестве неудобств указанного;иетода можно отметить: необходиюсть НА ИЗОБВЕТЕНИ алвотого и- Н, Н. Соловьезаяв. свид68885).ковано 28 февраля 1934 годсто., встречающихся средств связи, можно с достаточной точностью считать волновое сопротивление почти действительным. Следовтельно в этом, случае действительнаялиния может быть восйроизведена четырЕхполюсникомпредставленныи на чертеже - фиг, 1 и 2, составленным из омических сопротивлений. Расчет элементов таких искусственных- линий ведется по следующим формулам; Ь гР=г 1 дЬ - и В= - . --2 япйб где г - волновое сопротивление действительной линии и,Ь - ее затухание.Такимобразом при постоянном каждому значению величины затухания Ь соответствуют определенные величины Я и 1 Г На этом и основан предлагаемый метод измерения искусственных омических линий. Как это видно на фиг. 4, 5, б и 7, элементу искусственной линии:,разделены по плечам моста :Уитстона. При отсутствии тока в гальванометре имеем для Н-образных лиЮ+ -йний г=г (фиг. 4) и г= ф2+ 4Яд (фиг, 5). Поставив вместо Ви Я Н3/ / 8 мх указанные выше значения %=Ьи Р = г 1 д Ь - , получим зависимость затухания Ь от г. Эта зависимость, представленная в виде таблицы или в виде кривой для каждого типа линии и для каждого из интервалов Ь, может быть йспользована для проверки затухания изготовленной искусственной линии.Схема фиг, 4 применяется для проверки величины затухания в пределах от Ь=10 до Ь=0,5. Схема фиг. 5, от.личающаяся от схемы 4 добавлением сопротивления г, пригодна для проверки значений Ь от О, 5 до 0,01, В качетве постоянного сопротивления г 1 удобнб, например, применять сопротивления в 1000 ол при значениях Ь) 0,1 и в30 ол при Ь 0,1. Из теории известно, что входнЬе со-,противление четы рехполюсника равноего выходному сопротивлению, есличетырехполюсник замкнут на ,сопроти.вление, равное его собственному волновому сопротивлению; На этом свойствечетырехполюсника и основан способизмерения волнового сопротивленияискусственной омической линии,Как видно из схем фиг. 8 и 9, равновесие моста дрстигается в том случае,когда сопротивление плеча, обозначенного гравно г искусственной линии, исопротивлению, . на которое замкнутаискусственная линия и которое такжеобозначено г, так как оба значенияг:.по ходу измерений должны менятьсяодновременно и быть равными другдругу,Схема фиг, б применяется для проверки волнового сопротивления искус-,ственной:.линии, В этой схеме выходныеклеммы искусственной линии замыкаются на,добавочное омическое сопротивление г, равное волновому сопротивлению испытуемой линии. Балансные сопротивления равны и приняты каждое,например, в 1000 ом, Сопротивленияг и г равны и одновременно изменя;. ются как в одну, так и в другую сторону, и при равновесии мостика каждоеиз них, равно искомому волновому сопротивлению линии,Предмет изобретения. Способ измерения омической искусственной линии, отличающийся применением моста Уитстона для определения затухания искусственной линии и ее врлнового сопротивления путем включе-. ния элементов линии в две ветви и в диагональ моста, с той целью, чтобы по отношению сопротивлений двух других ветвей можно было определить затухание искусственной линии и путем включения в одну из ветвей моста всей искусственной линии вместе с регулируемым добавочным сопротивлением можно было определить волновое сопротивление искусственной линии.