Всгсоюзная гояш111

Номер патента: 278631

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Дружинин, Романец, Рунов

МПК: B01D 9/00, G05D 11/02, G05D 23/13

Метки: вакуум-кристаллизационнойустановке, кристаллизации, процесса

...вакуум-испарителе 9 регулируется посредст вом регулятора температуры 10, вычислительного устройства 7 и регулирующего устройства 11. Выгрузка продукта из кристаллизатора 2 осуществляется при помощи датчика 12 концентрации твердой фазы, регулятора 13 и ре гулирующего органа 14.Регулирование процесса кристаллизации ввакуум-кристаллизационной установке производится следующим образом.При изменении концентрации компонентов 25 в исходном растворе происходит отклонениестепени насыщения раствора, поступающего в кристаллизптор, что приводит к изменению пересыщеттия раствора в кристаллизаторе и нарушению оптимального режима процесса 30 кристаллизации.278 б 31 ираж 480 Подписное аз 3286 ипографии, пр. Сапуно Вычислительное устройство 7 по сигналу...

Номер патента: 478862

Опубликовано: 30.07.1975

Авторы: Еременко, Кравчук, Ропотенко

МПК: C13F 1/02

Метки: исследования, кристаллизации, кристаллообразования, процессов, растворов

...62, 63; регулирующим органом 64 для контроля и регулирования абсолютного давления; приборами 65, 66 регулирования поступления раствора в зависимости от его пересы- щения и уровня; регулятором 67 и регулирующим органом 68; приборами 69 - 71 контроля электропроводности; прибором 72 контроля температуры греющего пара; прибором 73 контроля температуры пара термостатирующего устройства; прибором 74 контроля и регистрации фазовых превращений и эффекта различных интенсификаторов процессов кристаллообразования и кристаллизации растворов. (Приборы контроля расхода, давления воздуха и пара, дозаторы поверхностпоактивных веществ на чертеже не показаны.)Устройство также снабжено: вентилем 75 для отключения его от вакуумной линии; вентилем 76...

Номер патента: 929140

Опубликовано: 23.05.1982

Авторы: Еремеев, Рябцев

МПК: B01D 9/02

Метки: кристаллизации, процесса, растворов

...сравнения соединен с выходом второго блока 11 задания; первый блок12 коррекции, вход которого соединен с датчиком 13 концентрации исходного раствора, а выход - с входом второго блока 11 задания; второй блок 14 коррекции, вход которого соединен с выходом второго элемента 8 сравнения, а выход - с входом первого блока 6 задания,Устройство работает следующимобразом. 4Расход исходного раствора, поступающего в кристаллизатор 1, .измеряют датчиком 2, Текущее значение расхода сравнивают на первом эле. менте 3 сравнения с заданным, поступающим с первого блока 6 задания. В зависимости от отклонения текущего значения расхода от заданного, первый регулятор 4 вырабатывает управляющий сигнал на первый клапан 5.Плотность сгущенной суспензии...

Номер патента: 982705

Опубликовано: 23.12.1982

Авторы: Дернова, Пискунов

МПК: B01D 1/30

Метки: многокорпусной, процессом, растворов, упаривания, установке

...аппарата с ограничителями 11 выходного сигнала по максимуму и минимуму, регулятор 12 плотности (концентрации), регулятор 13 уровня 30 35 ю 45 50 55 исходного раствора в приемном баке 4, датчик (расходомер) 14 расхода исходного раствора, запорную арматуру с приводом 15 и блок 16 управления переключением.Способ осуществляется следующим образо.м.Регуляторами 6 устанавливаются расходы раствора, соответствующие расчетным оптимальным плотностям орошения греющей поверхности выпарных аппаратов 1.Регулирование температуры кипения раствора в первом аппарате обеспечивается работой регулятора 8, выходной сигнал которого изменяет задание регулятору 7 расхода греющего пара, При регулировании давления (вакуума) в последнем корпусе известным...

Номер патента: 1029979

Опубликовано: 23.07.1983

Авторы: Алехина, Володин, Володина, Яншевский

МПК: B01D 9/02

Метки: кристаллизации, процесса, растворов

...может бытькак выше, так и ниже температурыпоступающих кристаллов,Так, при температуре поступающих сверху вниз кристаллов 20 С и температуре промывной жидкости, поступающей встречным потоком, 10 С перепад температуры в контрольных точках составляет от 5 до 8 С в зависимости от высоты слоя кристаллов.Данная зависимость позволяет поддерживать оптимальную скорость дви-. жения слоя кристаллов и промывной. жидкости путем поддержания заданного значения разности температур.На чертеже изображена принципиальная схема устройства автоматического регулирования процесса нев аппаратах с зоной промывки кристаллов, реализующая спбсоб.Устройство содержит установленные в нижней части кристаллизатора 1 с промывателем 2 чувствительные элементы 3 датчика...