286860
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
трубкой 3, выступающей цад дном рсакционого стакана на высоте 3 - 5 сс.Образующаяся в результате хим 1 ской реакции гслеобразная суспензия, часто структурированная, обладает большои вязкостью.Вследствие непрерывного интенсив ого псрсмсшивапия за счет вибрации реакциоццого стакана 2, с",пензия приобретает .ороц,ю текучесть и непрерывно и равномерно персте- каст из реакционного стакана 2 в верки 010 часть кристаллизатора 12, Г 1 ри необходимости в Веркиюо часть кристаллизатора 12 чсрз штуцсра 13 подают дополнительныс компоненты (Вод, кислоты злектролРт 11 и лр.1, В цснтралыой трубе 1 о суспензия пермсшВастся. Затем она поступает в нижнюю часть ап:арата и через отверстия 1 б перетекает В лцеое пространство между сенами кристаллнзатора 12 и центральной трубо 1. Это пространство разделено по высоте горизо 1- . альными,перегородками 17, За счет разно- ти уровней на входе и выходе кристаллизатзра суспензия поднимается вверх, проходя по слсловатсльно все секции, и удаляетсч чрсз штуцер И,Ьлаголаря вибрации стенок кристаллизагора 12, центральной трубы 1) и горизонталы 1 ых перегородок 17 схспснзи 51 интенсивно Пер.м- ш:вастся и равномерно прогревастся. Инкрустация предотвращается. Это способ нут формированию одцородных кристаллов.Разлслснис кристаллизаторя но высот с 1 лошнь.Р ГО)изонтальи 1)1 и нср Ороля)1 и 1l с псрелцвнымц тр) бками 1 х Обси чина.т 00 м Ож ность инт.нси нного н рм( нн г 111 и) сменцзин В Ооьсмс каждой сс 1 ии. хром тн о, лостигастся мРИ 1 малыо,иремниванне сусицзин мс)кту секциями, и зто приближает работу кристаллизатора к аппаратам идеального вытеснения, что является одним ИЗ НСООХОДИМЬ 1 Х МСЛОВИЙ ЛЛ 51 ПОЛМЧЕНИЯ ОДНО- роднык кристаллов5 Дя получения кристяллическРк ВещестВ сзаданными свойствами аппарат позволяет в широкх пределах варьировать условия крис- Т(1 ЛЛ И 3 Я НИ.Интенсивность ультразвука можно регулиро вать изменением мощности излучения, расстояшя между излучателем ц дцом реакционного стакана, а также высоты сусицзин в реакцпшном стакане,Тсмисратуру кристаллизации регулируют 15 измн 1111 м )ошнОсы н(11 Рсватсля, ПРОдол)китсльность пребывания суспензии в зоце реакции регулируется скоростью подачи исход 1 цяк компонентов и высотой переливной тр,оки.20 Продолжительность пребывания и р суснсн.ии В кристаллизаторс регулируются подачй дополнитльных реагентов (воды, кислоты, электролитов и лррслмт изобретения25,),инрт лля ш)лучПня кристаллических вензв В результате .;имичской реакции, включяю 1 цнй ракционный стакан с ультразвуко вым излучстслс, кристаллизатор с нагревательным устройством и механический вибрагор, ог,ссс ссосссссо)с тм, что, с целью получен И 51 0:1110 рол 111.; кристллО В ст.".ио)1 етр 1 ч(.ского 0 явя и интнс 1нации процесса, ме,5 х а 11 чк и й вн оратор раИО;1 Ожс и )1 кд0 .,:ль 1)монтировянными реакционным стаканом и рисаллизстором и является ик общим Н 1 Р И В О, 0 М .286860 1 2 Составители Т. Соколова Рствктор Н. Вирко Текред Л. Куклина Корректор Е. Лтихеев икдз,Ы 7/5 Изл.1531 Тирикк 46 Подписиюс 1 ИИИИ Комитета по дслвги изобрсгспии и открытий ири Совете .т 1 инистров ССС 1 з .т 1 осква, К, Ри гигкпя ипо.т. 1,5Типография, пр, Сапунова, 2
СмотретьЗаявка
1318795
Н.М. Кораблев В.М. Чижов, сесоюзнАЯ ЯАТ НТНО ХКГ
МПК / Метки
МПК: B01D 9/02
Метки: 286860
Опубликовано: 01.01.1970
Код ссылки
<a href="https://patents.su/3-286860-286860.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">286860</a>
Предыдущий патент: Машина для мульчирования и заделки семян
Следующий патент: Способ очистки деионизованной воды
Случайный патент: Устройство для измерения параметрор,