Фазоимпульсный многоустойчивый элемент

О П И С А Н И Е 273272ИЗОБРЕТЕН И,ЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советскин Социалистическин Республин,1 т 1 в 1262 аявлецо 09 Л явки с прцсоедицецисм Комитет по пела МПК Н 033 3/29 Н 031 2900 УД К 621.318.576 (088.8)риоритет зобретеиий и открытийпри Совете Министров публиковацо 15.Ъ 1970, Б степь Ле 2 Дата опубликования описания 24 ХП.19 Авторыизобретец а н тт,т) С. Ситников, С. Е. Токовецко и Л. Л, Ут П, С ю 11 Тг 1;1 н,0А 1 Ц: ттгд"ь ЙОТЕУ Заявите АЗОИМПУЛЪСНЪЙ МНОГОУСТОЙЧИВЪЙ ЭЛЕМЕ повысить падеж 2 Э Предлагаемое изобрегеиие относится к области радиоэлектроники и может быть исиользовацо в автозЯтие, вычислительной и цифровой текцике в качестве делителя частоты или элемента с мцогцми устойчивыми состояниями (ЭФМ).Известцы фазоимпульсцые мцогоустойчивые элементы, содеркащие коидецсаторцый цакопитель с лицеаризирую шм эмиттерным повторителем, компаратор с цепью самонастройки и разрядное спусковое устройство.Предложенный фазоимпульсцый много- устойчивый элемент отличаегся от известны.;. тем, что в цем вькод Накопи)сля иодключсц к шине питания через последовятельцо соедииециыс цепь самонастройки, диод и перекод база в эмитт одного из транзисторов ряз- РЯДНОГО УстРОйстВ 1.Эти отличия позволяютность работы элемента.На фиг. 1 представлецз прццципиальцая с:;емя ОДНОГО из Вариацтов предлагаемого устройства; ия фиг. 2 - ири:ПШпиальиая скемя другого варианта устройствл.Фазоимцульсцый мцогоустойиВы элемент (см. фиг. 1) содержит коцдецсяторцый пакоштель 1 с лииеаризируощим эмиттсрцым повторителем 2, сксму згр 5 ла, Пакопитсльцого коцдеислтора 4, выиолце:Пую ца транзисторах 5(р - гг - р) и 6(п - рп), а также компаратор 7 с цеио самоизстройки, Вк,)ючающей конденсатор 8 и разрядцый элемент (резцстор) 9. причем вкол цлкош:теля сосдицсн с клеммой 10 В.олцы.; ПГиялов, цякоиительцыц конденсатор сосдицсц через диод 11 или цепосрсдствсццо с эмиттсром транзистора 5, первый вывод параллельной КС-цепи самонастройки подклОс 1 к Оязе тряцзистОрз 6, я второй через д,ол-ко)Паратор 12 соедццсц с накопительным конлецсзтором 4 либо с эмцттсром лицеаризирующего повторителя 2.Работа скемы ззключлсгся в следующем. С прпкодом каждого импульса в момент положительцого его фронта Накопитльцый коцлецсатор 4 разряжлстся чсрз лозирующий конденсатор 13, диод 14 и пс)очиик вкодиык импульсов. Величицл рлзрялл проиорциопль- ИЛ СООТИОПЕцпО МСКЛ ВЕЛИИЗМИ СМКОСТСЙ коцдецсаторов 4 и 1,. В момент отрццатсльцого фронта дозирующцй коилеисзтор пере- заряжается через эмиттерный повторитель 2 ;10 няпрякния, рзВНОГО ил ир 51 жсии 0 нл Накопительном коцдсцсзторс, в рез льтятс чего величии 1 р 1 зрядл цякоиитслПОГО кондеися- ТОРЯ НЕ ЗЯВИСИТ ОТ ЦЗПР 51 ЖЕЦП 51 Ца ЦЕМ.В искодиом состоянии транзисторы 5 и 6 злкрьты. 1,лк то,1 ько цлп)Яжеиис ил илкоиительном коилеисяторс 4 достигнет опорцого урОВН 51 ияпр 51 Кеии 51, зяиОминасмоГО конде 1 дсатором 8 самонастройки, откроется диод 27327255 б 0 65 компаратор 12 и через него конденсатор 8 и переход база - эмиттер транзистора 6 пройдет импульс тока, так что транзистор 1 откроется.Отрицательный импульс, посту пающпй ны базу транзистора 5, открывает его, что приводит к еще большему отпиранию транзистора 6 в результате воздействия по:,окптел.ного синила с коллектора транзистора 5. Тякпм ооразом, после сраоатываппя (омпаратора триггер опрокидывается, и конденсатор 4 начинает заряжаться через диод 11 и транзистор 5, Как только конденсатор 4 зарядится, транзистор 5 закроется, что приведет к запиранию транзистора б, т. е. к опрокпдывапшо триггера в исходное состояние.Напряжение на накопительном конденсаторе достигает уровня опорного напряжения после прихода нескольких инхронизирующпх импульсов, т. е. в целом элемент работает как делитель частоты.Работа цепи савонастроки закгпочается в запоминании некоторого среднего уровня напряжения в процессе подзао да конденсатора 8 в моменты компарации и разряда его через разрядный элемент 9. В случае дшампческого равновесия между процессами заряда и разряда конденсатора 8 на последнем запоминается некоторое зпычеппе .пряжеппя, соответствующее заданному коэффицепу деления.Установка требуемого коэффициента деления осуществляется путем подключения конденсатора 8 через диод 15 на некоторое время к одной из шин питания, например к корпусу, В результате чего оп заря:каетс 5 до напряжения, превышающего требуемое зпычеппе опорного напряжения, В это же время на вход записи, например на клемм 16 выходных импульсов, поступают импульсы опорой последовательности, принудительно заряжая накопительный конденсатор 4 до того, как напряжение на нем достигнет уровня компарации, т. е. запоминающий конденсатор 8 пе будет подзаряжаться в момент компарации. В результате разряда конденсатора 8 через разрядпыи резистор 9 напряжение па конденсаторе уменьшается до тех пор, пока пе установится динамическое равновесие между процессами заряда и разряда конденсатора 8 самонастройки. Это зиачеше напряжения на конденсаторе 8 сохранится и послс прекращения поступления импульсов опорной последовательности.Если разрядный резистор самонастройки включен параллельно конденсатору самонастройки, транзистор б в схеме на фпг. 1 заперт в исходном состоянии нулевым смещением на базе относительно эмигтера. С целью повышения помехоустойчивости схемы, а также увеличения надежности работы прп повыше. нии температуры разрядный элемент в цеш самонастройки нужно включить между минусом диода-компаратора и шиной питания (на фиг. 1 - разрядный элемент 17), тогда транзистор б будет заперт падением напряжения 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 па азово согротпвлеппп трапзисора 6 коллектором транзисторы э.Недостатком этой схемы яьляется необходимость предварпельпого заряда конденсатора 8 в процессе настройки элемента на заданный коэффициент деления.В элементе, принципиальна схема которого представлена на фпг. 2, этот недостаток исключен олагодаря тому, что конденсатор включен в цепь базы транз:стора 5.После того, как напряжение на накопительном конденсаторе достигнет у роьня компарации, запоминаемого конденсатором 8 самонастройки, открывается диод-компаратор 12 и через переход база - эьнттер транзистора 5 проходит импульс тока, в результате транзисторы 5 и б открываются. Выключение их происходит по окончании заряда конденсатора 4. Работа цепи самонастроики в последней схеме отличается от работы этого же узла в схеме на фиг. 1 только тем, что в моменты компарации конденсатор 8 разряжается на некоторую величину, а в промежутках между ними заряжается черезрезистор.Как уже описывалось выше, цикл работы ЭФМ состоит в заряде пакоштельного конденсатора 4 до напряжешя, олизкого к величине коллекторного питашя, и в последующем ступенчатом разряде,ледовательно, нулевое значение опорного напряжения относительно корпуса соответствует максимальному коэффициенту деления. Очевидно, что в момент включения шпапия конденсатор 8 фг, 2) разряжен, так что элемент сразу настроен на максмалыь коэффициент деления. Если в это время па вход зашси (клемма 16) подавать иьпульсь опорной последовательности, принудительно заряжая накопительный конденсатор 4, то конденсатор 8 будет заряжаться через резистор 9 до тех пор, пока пе установпся динамическое равновесие между процессами разряда в момент компарации и заряда. Заряд коденсатора 8 может осуществляться не только от источника коллекторного питания, по и непосредственно от накошпельного конденсатора. При этом благодаря нелинейной обратной связи (напряжение на конденсаторе 4 имеет вид ступенчатой кривой) в цепи самонасаройки расширяется температурный диапазон из-за на. личия подзаряда накопительюго конденсатора непосредственно от цепи самонастройки. Предмет изобретенияФазоимпульсный мпогоустойчпвый элемент, содержащий конденсаторный накопитель с линеарпзирующим эмиттерным повторителем, компаратор с цепью самонастройки и разрядное спусковое устройство, отличаюиийся тем, что, с целью увеличения ныдекности работы элемента, в пем выход акошпеля подклю чен к шине ппташя через последовательно соедшешые цепь самоныстрокн, диод и переход база - эмиттер одного из транзисторов разрядного устройства,273272 Ъг 7 Составитель А. Д. Федоровакина Те:рея 3. П. Тараненко Корректор Л, В, Юшин г 1 гсдактор Б,Заказ 2280/6Цг 1 ИИПР Комитета по .аслам изоорМосква, Жолписное в СССР ипография, пр. Сапунова, 2 Гю Тираж 480ений и открытий при Сов ге Мнн Раушская нао., д, 4 г 5