Источник плазмы для очистки тлеющим разрядом

(51 ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОВЕДОМСТВО СССР(ГОСПАТЕНТ СССР) ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТО РСКО ДЕТЕЛ ЬСТВ О(56) И.Л. Ройх и др, Защитные вакуумные покрытия из стали, М.: Машиностроение, 1971, с.125-128.Вакуумные металлизационные установки, М.: ЦИНТИхимнефтемаш, 1983.(54) ИСТОЧНИК ПЛАЗМЫ ДЛЯ ОЧИСТКИ ТЛЕЮЩИМ РАЗРЯДОМ(57) Изобретение относится к области ваку-. умной техники и может быть использовано для очистки подложки перед напылением. Изобретение относится к области вакуумной техники и может быть использовано для очистки подложки перед напылением,Целью изобретения является уменьшение времени полной очистки подложки.Указанная цель достигается тем, что в вакуумной напылительной установке, имеющей источник плазмы для очистки. тлеющим разрядом, представляющий собой гребенчато расположенные электроды, изготовленные из трубок, расположенных перпендикулярно относительно горизонтальной трубки со скосами расположенных симметрично, электрод тлеВщего разряда имеет вертикальные трубки. представляющие собой в сечении эллипс. большая ось которого направлена в сторону очищаемой подложки, а меньшая ось эллипса составляет 15 - 30 величины темного катодного пространства. Сущность изобретения; источник плазмы представляет собой гребенчато расположенные электроды, изготовленные из трубок, расположенных перпендикулярно относительно горизонтальной трубки и имеющие скосы, расположенные симметрично, где электрод тлеющего разряда имеет вертикальные трубки, представляющие собой в сечении эллипс, большая ось которого направлена в сторону очищаемой подложки, а меньшая ось эллипса составляет 15-30 величины темного катодного пространства. Плазма возникает между электродами и заземленным корпусом установки. Такая конструкция источника плазмы удобна при использовании в вакуумных напылительных установках, в частности Установках УВМ 15 У, УВМА и др,На чертеже представлена вакуумна напылительная установка 1, имеющая источф ник плазмы 2, имеющая горизонтальную трубку 3, вертикальные электроды 4, имеющие в сечении эллипс 5, где 6 - вершина эллипса, 7 - скосы электродов, 8 - напыляе- Од мая подложка, 9 - подложкодержатель. (ЛВакуумная напылительная установка, Д, имеющая источник плазмы для очистки, ра- С ) ботает следующим образом. рПри давлении 1,10 - 1.10 мм рт.ст. на электрод подается напряжение, возникающий тлеющйй разряд создает энергию ионов, бомбардирующих обрабатываемую поверхность, которые очищают поверхность от загрязнения,Для определения оптимальной формы электрода тлеющего разряда источника плазмы для очистки тлеющим разрядом было изготовлено 8 электродов:1835434 4 са по отнрытия нение 120 оси элл одн разрядо 1) с цилиндрическими вертикальными трубками2) с эллипсом, большая ось которого равна 8" величинам темного катодного пространства3) с эллипсом, большая ось которого равна 10 величинам -"-,4) с эллипсом, большая ось которого рвана 12 величинам -"- 5) с эллипсом, большая ось которого равна 15 величинам -"- 6) с эллипсом, большая ось которого равна 20 величинам -"- 7) с эллипсом, большая ось которого равна 30 величинам -"- 8) с эллипсом, большая ось которого равна 35 величинам -"- " - меньшая сторона эллипсаДля оценки распределения ионного потока на обрабатываемую поверхность предварительно наносился тонкий слой лака,Стеклянная пластинка, покрытая лаком, помещалась на подложкодержатель и обрабатывалась разрядом, при этом отмечалось время от включения разряда до начала вспучивания лакаРезультаты испытаний представлены в приложении 1, При величине большой оси эллипса, меньшей 15 величины катодного пространства, а также при величине более 30, происходит резкое увеличение времени- размер меньшеипространства- адгезия алюминиевогоразличными электродами в от начала разряда до вспучивания лака (в 5 и более раз),Признак, характеризующий новизнупредлагаемого технического решения, - на личие вертикальных эллиЬсных трубок сразмером меньшей стороны 15-30 ввличи.ны темного квтодного пространства, в то же время определяет существенные отличия предлагаемого технического решения.10 Технико-экономическими преимуществами изобретения являются:1) уменьшения времени ионной очистки 2) улучшение качества очистки при очистке в заданном временнЬм интервале.15Формула изобретения Источник плазмы для очистки тлеющимразрядом, представляющий собой гребен чато расположенные электроды, изготовленные из трубок, расположенных перпендикулярно горизонтальной трубке и имеющих скосы,. расположенные симметрично,отл и,чаю щийсятем,что,сцелью 25 уменьшения времени ионной очистки, электрод тлеющего разряда имеет вертикальные трубки, представляющие собой в сечении эллипс, большая ось которого направлена в сторону очищаемой подложки, а меньшая 30 составляет 15-30 величин темного катодного пространства. ошению к величине темногстекле при обработке тлеюс.1835434 Заказ 2977 Тираж Подписное ВНИИПИ ГосУдарственного комитета по изобретениям и открыт 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5