Магниторезистивная головка

(53)5 6 ТЕН технический институтий, А,М. Шух и В.И. 3493694,О,М 63 в 92, кл. 6 1 дп-бепзТ сеебод вд 30(5),тадпес(с3 ЕЕЕ. 1986,зном от не дос на гГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНВЕДОМСТВО СССР) ОПИСАНИЕ ИЗО АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТ,1 ейегз Р. Нгесогд(пд Ьеабэ Рго4, й 11, р, 1552, Й Изобретение относится к приборостроению, в частности к технике магнитной записи и воспроизведения информации, и может быть использовано в электронно-вычислительной аппаратуре в устройствах магнитной памяти.Известна магниторезистивная головка, содержащая немагнитную подложку, магниторезистивный элемент, смещающий проводник и магнитные экраны по обе стороны от магниторезистивного элемента.Недостатком этой головки является нетаточное качество воспроизведения сигла, связанное с недостаточно" равномерным распределением поля смещения по высоте магниторезистивного элемента.Наиболее близкой по технической сущности к изобретению является магниторезистивная головка, содержащая магниторезистивный элемент и два парал. лельных ему магнитных экрана, располо 2(54) МАГНИТОРЕЗИСТИВНАЯ ГОЛОВКА (57) Использование: для магнитной записи и воспроизведения информации в устройствах магнитной памяти, Сущность изобретения: наличие выемок гиперболической формы в экранах со стороны магниторезистивного элемента позволяет создать более равномерное распределение поля смеще-: ния по высоте магниторезистивного элемента, что расширяет амплитуднйй диапазон воспроизводимого сигнала, снижает частотные искажения и, следователь- но, повышает качество воспроизведения. 2 ил. женных по обе стороны на ра горасстоя нии.Недостатком данной головки являетсянизкое качество воспроизведения сигнала,связанное с неравномерным распределением поля смещения по высоте магниторезистивного элемента,Целью изобретения является повышение качества воспроизведения. Использование изобретения позволяет увеличитьамплитуду воспроизводимого сигнала на6;4 без увеличения его искажений илиуменьшить йскажения воспроизводимогосигнала при той же максимальной амплитуде,Цель достигается за счет того, что в маниторезистивной головке, содержащей магниторезистивный элемент и двапараллельных ему магнитных экрана, располокенньх по обе стороны на разном отнего расстоянии, в экранах со стороны магниторезистивного элемента и симметричноего средней линйи сделаны выемки гипер1793464 5 10 15 20 25 30 35 40 ки болической формы, ширина которых равна ширине магниторезистивного элемента.Сущность изобретения заключается в том, что наличие выемок гиперболической формы в экранах со стороны магниторезистивного элемента позволяет создать более равномерное распределение поля смещения по высоте магниторезистивного элемента, что расширяет амплитудный диапазон воспроизводимого сигнала, снижает частотные искажения и, следовательно, повышает качество воспроизведения.Существенным отличием изобретения является наличие выемок гиперболической формы в экранах со стороны магниторезистивного элемента, симметричных его средней линии и равных по ширине магниторезистивному элементу.На фиг, 1 изображено сечение предлагаемой магниторезистивной головки; на фиг. 2 - графики распределения намагниченности М по высоте Н магниторезистивного элемента под воздействием поля смещения в прототипе (а) и в изобретении (б).Магниторезистивная головка (фиг. 1) содержит магниторезистивный элемент 1 и два магнитных экрана 2 и 3, в каждом из которых сделаны выемки 4 гиперболической формы,Магниторезистивная головка работает следующим образом,Под воздействием внешнего сигнального магнитного поля в магниторезистивном элементе 1 изменяется ориентация вектора намагниченности относительно ориентации вектора плотности тока детектирования на некоторый угол О, что вызывает изменение удельного электрического сопротивления р материала, из которого выполнен магниторезистивный элемент 1, по закону р =ро + Ьрсов (О+л/4), (1) где ро - изотропная составляющая удельного электрического сопротивления материала магниторезистивного элемента 1; Ьр- максимальная величина изменения Ф ор мул а и зоб рете ни я Магниторезистивная головка, содержащая магниторезистивный элемент и два параллельных емуэкрана, расположенных по обе стороны на разном от него расстоянии; о т л и ч а ю щ а я с я тем, что, с целью сопротивления в магниторезистивном элементе 1, При протекании по магниторезистивному элементу 1 постоянного тока, называемого током детектирования, происходит изменение электрического напряжения на магниторезистивном элементе пропорционально изменению его сопротивления.Протекающий по магниторезистивному элементу 1 ток детектирования наводит вокруг магниторезистивного элемента постоянное магнитное поле, которое намагничивает магнитные экраны 2 и 3 в противоположных направлениях, Причем магнитный экран 2, расположенный ближе к магниторезистивному элементу, намагничивается сильнее. Магнитные поля, наводимые экранами, воздействуют на магниторезистивный элемент и создают в нем смещение рабочей точки, На фиг. 2 а показаны распределения намагниченности М по высоте Н магниторезистивного элемента 1, вызываемые каждым из экранов 2 и 3(см, фиг. 2 а, кривые 5 и 6), и их результирующее воздействие для прототипа (кривая 7). Как видно из фигуры, намагниченности магниторезистивного элемента 1, вызванные каждым из экранов 2 и 3, а также результирующая намагниченность имеют значительно большую величину в средней части магниторезистивного элемента 1, чем на его краях. Применение в экранах 2 и 3 выемок 4 гиперболической формы позволяет планеризовать распределения намагниценностей, вызванных каждым из экранов 2 и 3 (см. фиг, 2 б, кривые 5, 6), что позволяет планеризовать распределение результирующей намагниченности (см, фиг. 2 б. кривая 7) и, следовательно, смещение рабочей точТаким образом, за счет того, что в экранах 2 и 3 имеются выемки 4, планеризуется распределение смещения рабочей точки по высоте Н магниторезистивного элемента 1 и, следовательно, расширяется амплитудныйдиапазон воспроизводимого сигнала, снижаются частотные искажения, а значит, повышается качество воспроизведейия. повышения качества воспроизведения, в экранах со стороны магниторезистивного элемента и симметрично его средней линии выполнены выемки гиперболической формы, ширина которых равна ширине магниторезистивного элемента.борская аказ 506 Тираж Подписное ВНИИГ 1 И Государственного комитета по изобретениям и открытиям пр 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 ГКНТ СССР изводственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул.Гагарина, 10